专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种微波器件激光封焊-激光清洗复合加工方法-CN202211508033.8在审
  • 肖猛;李荣;丁飞;叶根;卢义明 - 安徽中科春谷激光产业技术研究院有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-03-10 - B23K26/24
  • 本发明公开了一种微波器件激光封焊‑激光清洗复合加工方法,其方法步骤为:将微波器件从过渡舱托盘取出放置在待加工区域;打开激光设备的CNC软件,选取对应程序;预览激光焊接轨迹,并激活激光使能,编辑激光焊接工艺参数,激光焊接头发出焊接激光束对焊缝进行焊接,激光清洁头发射清洁激光束对焊接后的焊缝进行清洁;加工完成后,将微波器件加工区域取出放置过渡舱托盘上;取出加工后的微波器件并且显微镜观察焊缝质量,经检验合格,即可放置包装盒,本发明有益效果:本发明通过采用激光焊接头、激光清洗头,运动模组之间的协同控制,实现了微波器件激光封焊—激光清洗复合加工,从而提高产品的生产效率和产品质量,同时降低生产成本。
  • 一种微波器件激光清洗复合加工方法
  • [发明专利]光纤器件加工设备的数字化智能监测系统及方法-CN202310382234.6有效
  • 王伟;王慧 - 山东越海通信科技股份有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-06-13 - G06F16/21
  • 本发明涉及设备监管技术领域,具体为光纤器件加工设备的数字化智能监测系统及方法,所述系统包括健康状态变化趋势分析模块,所述健康状态变化趋势分析模块分析光纤器件加工设备历史维护信息中维护数据与第一故障数据集合之间的关联性,得到光纤器件加工设备中待测部件的历史健康状态变化趋势,默认相邻两次维护对应的时间间隔为数据库中预置的定值。本发明不仅监控设备中部件的保养时间,还考虑到不同设备部件在不同使用状态下的健康状态情况的差异情况,准确预测光纤器件加工设备基于当前加工环境下,下一次维护时间前设备部件出现故障风险的程度,并及时向管理员进行预警,实现对光纤器件加工设备的有效管控。
  • 光纤器件加工设备数字化智能监测系统方法
  • [实用新型]一种电子零器件生产用加工平台-CN201921799166.9有效
  • 赵圆圆;孙姣梅;王鹏 - 怀化职业技术学院
  • 2019-10-24 - 2020-07-10 - B25H1/08
  • 本实用新型涉及电子零器件生产加工技术领域,且公开了一种电子零器件生产用加工平台,包括底座,所述底座的底部固定连接有接地柱,所述底座顶部的左右两侧均固定连接有支柱,两个所述支柱的相对面均固定连接有固定座,两个所述支柱的相对面且位于固定座的顶部均开设有滑槽,两个所述滑槽之间固定连接有加工平台。该电子零器件生产用加工平台,当加工平台向下挤压时带动支撑板向下挤压,支撑板带动活动杆底部的滑套分别向两侧滑动,然后通过减震弹簧力的作用下减缓压力,起到了保护电子零器件的左右,达到了减震效果好的优点,从而有效的解决了加工平台使用过程中减震效果不好容易损坏电子零器件的问题
  • 一种电子器件生产加工平台
  • [发明专利]激光加工系统和用于激光加工的方法-CN201880073395.4在审
  • M·斯特雷贝尔 - 普雷茨特两合公司
  • 2018-10-17 - 2020-06-26 - B23K26/03
  • 本发明涉及一种激光加工系统(100),其包括:第一偏转光学器件(110),该第一偏转光学器件被设置用于将加工激光射束(10)在两个空间方向(x,y)上偏转;第二偏转光学器件(120),该第二偏转光学器件被设置用于将测量射束与所述加工激光射束(10)无关地(15)在两个空间方向(x,y)上偏转;耦入装置(130),该耦入装置布置在所述加工激光射束(10)的射束路径中并且被设置用于将所述测量射束(15)耦入到所述加工激光射束(10)的射束路径中
  • 激光加工系统用于方法
  • [发明专利]一种半导体器件加工方法-CN202211210542.2在审
  • 孙晓波 - 拓荆科技股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2022-12-06 - H01L21/3105
  • 本发明提供了一种半导体器件加工方法及一种半导体器件。所述半导体器件加工方法包括以下步骤:准备带有有源区结构的待加工件;在所述待加工件表面沉积第一介电层,其中,所述第一介电层厚度不小于所述有源区结构的高度;在所述第一介电层的上方沉积支撑层;在所述支撑层上方沉积第二介电层;以及对所述待加工件的所述第一介电层、所述支撑层及所述第二介电层进行研磨,以获得暴露所述有源区结构的平整器件表面。
  • 一种半导体器件加工方法
  • [发明专利]一种制造表面刻槽光学面板的方法-CN200910197888.1无效
  • 黄小卫 - 上海元亮光电科技有限公司
  • 2009-10-29 - 2011-05-11 - B81C1/00
  • 一种制造表面刻槽光学面板的方法,涉及材料表面微加工技术,将表面刻槽光学面板用于光学信号反射源或光纤微支架,其特征在于:所述的表面刻槽光学面板为一个一个的单体器件,单体器件通过光学冷加工器件拼接而成,在所述单体器件的表面刻有异性槽有益效果是每道槽的加工要求落实到每一个单体,不会因为一道槽的质量问题而报废整个光学面板,同时槽的表面加工质量容易保障,降低了加工难度和提高了刻槽光学面板的成品率。
  • 一种制造表面光学面板方法
  • [发明专利]激光加工方法-CN200710147746.5有效
  • 福世文嗣;福满宪志;山内直己;和久田敏光 - 浜松光子学株式会社
  • 2001-09-13 - 2008-01-23 - H01L21/78
  • 本发明涉及一种激光加工方法,向在表面侧上形成有多个电子器件的晶片状的加工对象的内部对准聚光点,并经过电子器件之间的区域照射激光,从而沿着经过电子器件之间并在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个,在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第1熔融处理区域;并沿着经过电子器件之间并在与第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个,在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第2熔融处理区域的工序;经由安装在加工对象物的背面侧的具有弹性的薄片向加工对象物施加应力,从而,以第1和第2熔融处理区域为切断的起点,沿着第1和第2切割预定线,对于每个电子器件加工对象物分割为多个芯片的工序。
  • 激光加工方法
  • [实用新型]回转工作台-CN202123169062.X有效
  • 余格成 - 合肥开泰机电科技有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-05-03 - B23Q1/01
  • 本实用新型公开了回转工作台,涉及铣床加工技术领域,铣床在进行加工的过程中,转动轴进行转动,从而导致转动轴受到轴向力,进而使得转动轴与轴承套筒之间的摩擦力增加,使得转动轴与轴承套筒的损伤加剧,从而影响转动轴以及轴承套筒的使用寿命,两个支撑部在安装板的表面能够进行相对的滑动,根据圆柱型待加工器件的规格,调节两个支撑部之间的距离,然后将圆柱型待加工器件放置在两个转动轮之间,从而使得在加工的过程中,能够通过转动轮的结构,直接对上面放置的圆柱型待加工器件进行转动,从而实现快速调节圆柱型待加工器件加工位置,大大节省了人力,同时提高了加工效率。
  • 回转工作台
  • [发明专利]提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件-CN202211420625.4在审
  • 敬明礁;陈卓杰 - 四川斯艾普电子科技有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-05-30 - H01L21/48
  • 提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件,方法包括:提供至少三个的陶瓷基板,在第1个陶瓷基板底面加工金属薄层和导体层,顶面加工加厚导体层,加厚导体层上设置大功率器件和小功率器件,在大功率器件上通过薄膜工艺印刷成薄膜介质层,在其余陶瓷基板底面加工导体层;在对应的陶瓷基板上加工大功率接地孔和小功率接地孔,在所有陶瓷基板上加工多个散热孔,散热孔分布于薄膜介质层周侧;叠合,并在最下方设置散热片;烧制成型,使小功率接地孔导通至第在满足小尺寸设计的同时提高射频器件及射频系统的功率容量。
  • 提高集成射频器件功率容量方法
  • [发明专利]一种举升装置-CN200710121870.4有效
  • 王志升 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2007-09-17 - 2009-03-25 - B66F11/00
  • 本发明提供了一种用于在半导体加工/处理过程中携带被加工器件运动的举升装置,其包括:向压力缸提供动力的动力源;控制动力源和压力缸之间的动力传递的控制模块;向运动模块输出运动机械能的压力缸;以及运动模块,其根据来自压力缸的机械能而动作,以便携带晶片等被加工器件运动。控制模块包括电动比例调节元件,其根据输入的电信号来控制动力源和压力缸之间的动力传递速度,从而调节运动模块携带被加工器件运动的运动速度。本发明提供的举升装置能够在携带晶片等半导体器件运动过程中平稳运行,并能够使该半导体器件在最高位及最低位时保持中心轴位置不变,从而避免该半导体器件遭受机械损伤,以及因其失位而导致的加工达不到预期结果等问题
  • 一种装置
  • [发明专利]基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件及制法-CN202110505375.3有效
  • 祝薇;周杰;邓元;于跃东;胡少雄 - 北京航空航天大学
  • 2021-05-10 - 2022-07-26 - H01L35/34
  • 本发明涉及一种基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件设计及制法。在金属化衬底上,沉积交替排列的高长宽比矩形n、p型热电材料,采用脉冲激光直写技术分别对衬底上金属电极与热电材料图案化加工,并通过在特定区域制备支撑层和上电极得到完整热电器件;本发明首次将超快脉冲激光直写技术应用于热电厚膜器件加工中,可实现微米级热电堆阵列结构加工,有效提升器件集成度和输出性能。结合本发明提出的器件边缘电极“L”形结构设计,同类型热电堆可实现整列相邻排列,不同图案热电堆与电极多层结构激光直写加工具有高适配性,有效实现原位一体化集成加工;本发明所述器件集成方法各工艺环节兼容性强,
  • 基于脉冲激光技术高密度热电器件制法

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