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[发明专利]甲基三(2-氯丙氧基)硅烷化合物及其制备方法-CN201110042921.0有效
发明人：王彦林;周中凯;王乐然 -专利权人：苏州科技学院
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种含氯有机硅阻燃增塑剂甲基三(2-氯丙氧基)硅烷化合物及其制备方法，该化合物的结构如下式所示：，制备方法为：在冷却条件下将一定摩尔比的环氧丙烷液面下滴加到甲基三氯硅烷中，滴完后保温反应一段时间，蒸馏除去过量的环氧丙烷和少量的低沸点物，得无色液体甲基三(2-氯丙氧基)硅烷。本发明甲基三(2-氯丙氧基)硅烷的阻燃增塑性性好，并且生产工艺简单，设备投资少，成本低廉，易于实现工业化生产。
甲基氯丙氧基硅烷化合物及其制备方法

[发明专利]用循环氯化氢制备氯甲烷的方法-CN200810109230.6有效
发明人： K·克普勒;G·纳吉 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C07C17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种由甲醇和被硅化合物污染的氯化氢制备氯甲烷的方法，所述硅化合物选自甲基氯硅烷、甲氧基甲基氯硅烷及其水解产物和缩合产物，其中一部分硅化合物通过冷凝从形成的氯甲烷中除去，剩余的硅化合物用甲醇洗涤，并且使用由此得到的含硅化合物的甲醇与氯化氢制备氯甲烷。
循环氯化氢制备甲烷方法

[发明专利]卤硅烷化合物和组合物以及用于使用其沉积含硅膜的方法-CN201680034649.2在审
发明人：雷新建;李建恒;J·F·莱曼;A·C·库珀 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。
硅烷化合物组合以及用于使用沉积含硅膜方法

[发明专利]一种从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法及应用-CN202010560186.1在审
发明人：席先锋;邵向东;田春;杨琛;陈荣雄 -专利权人：中天东方氟硅材料有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及新能源材料与技术领域，尤其涉及一种从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法及应用，在氯硅烷加工副产物中加入低沸点溶剂和/或低沸点低官能度氯硅烷进行洗涤，过滤，即得细硅粉产品。该方法得到的细硅粉在含硅锂离子电池电极材料和含硅超级电容器电极材料中的应用。本发明的提取方法所得细硅粉产物的金属组分含量低，可避免电极材料的短路现象，适用于锂离子电池负极材料的制备，本发明从氯硅烷加工副产物中提取细硅粉的方法，开拓了有机硅及多晶行业副产细硅粉的新用途，解决了有机硅
一种硅烷加工副产物提取细硅粉方法应用

[发明专利]含吡啶环改性聚碳硅烷及吸波碳化硅陶瓷粉体的制备方法-CN202211193643.3在审
发明人：陈义;邱海鹏;王岭;王晓猛;罗文东;张冰玉;徐俊杰 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种含吡啶环改性聚碳硅烷及其制备方法，包括步骤：在惰性气氛保护下，将一定比例的三氯化硼、甲基乙烯基二氯硅烷以及二甲基乙烯基氯硅烷混合均匀，得到混合反应物；将聚碳硅烷溶液与六甲基二硅氮烷混合均匀，得到混合溶液；将混合溶液滴入冷却状态下的混合反应物中，待混合溶液滴加完毕后在搅拌条件下以第一预设时间进行室温反应；向室温反应后的混合反应物中滴入硼烷吡啶，在第一预设温度下以第二预设时间进行反应，得到含吡啶环改性聚碳硅烷该含吡啶环改性聚碳硅烷及其制备方法的目的是解决现有的聚合物转化碳化硅型陶瓷材料吸波性能低的问题。
吡啶改性硅烷碳化硅陶瓷制备方法

[发明专利]一种氯硅烷残液生产氯化氢气体的方法-CN201610328710.6有效
发明人：黄兵;李银光;张雯雯;陈樑;郑惠文 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液生产氯化氢气体的方法，属于多晶硅生产废物资源化领域；本发明将氯硅烷残液在含饱和盐酸反应釜中高速搅拌水解，水解产生的氢气和氯化氢气体、过饱和盐酸释放的氯化氢气体及被气流带出未反应完全的氯硅烷雾滴或气体进入吸收塔，氯硅烷气体及部分氯化氢气体被近饱和盐酸吸收，吸收液变为饱和盐酸返回反应釜，剩余的氢气和氯化氢气体经过水冷和深冷后进入三氯氢硅的合成工序。本发明利用氯硅烷残液水解产生氯化氢、氯硅烷残液水解反应为放热反应、饱和盐酸无法再吸收氯化氢的原理，用饱和盐酸水解氯硅烷残液直接获得氯化氢气体，省去了专门的盐酸解析设备，减少能源消耗，降低生产装置建设和运行成本
氯化氢气体氯硅烷残液饱和盐酸水解氢气反应釜氯化氢盐酸吸收塔多晶硅生产废物氯硅烷气体放热反应合成工序降低生产解析设备能源消耗三氯氢硅水解反应运行成本装置建设过饱和气流带吸收液再吸收中高速资源化深冷水冷雾滴返回生产释放吸收

[发明专利]一种三甲基氯硅烷制备的系统与方法-CN202211390367.X在审
发明人：冷江子;孙树泉;廖立;冷从金;王海栋 -专利权人：江西蓝星星火有机硅有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J8/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种三甲基氯硅烷制备的系统，包括依次相连的：进料单元、预热单元、反应单元和脱轻单元；进料单元，包括氯化氢净化装置和四甲基硅烷混合物储罐；预热单元：预热单元包括预热器；原料四甲基硅烷混合物和氯化氢气体经过预热单元预热后进入反应单元；反应单元：包括固定床反应器，经预热的原料在反应单元发生反应，得到产物；脱轻单元：包括脱轻塔，反应产物进入脱轻塔，进行精馏、分离得到含目标产物三甲基氯硅烷的脱除轻组分的混合物。本发明在不消耗其他有机硅单体的基础上，利用甲基氯硅烷水解产生的氯化氢气体将TMS综合利用，转化为三甲基氯硅烷，产品中三甲基氯硅烷含量达到93％以上。
一种甲基硅烷制备系统方法

[发明专利]从含硅残余物中除去杂质的方法-CN02816882.8有效
发明人： H·M·荣;H·索尔海姆;H·A·奥耶 -专利权人：埃尔凯姆公司
申请日： 2002-08-18 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： B03C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及从有机氯代硅烷和氯代硅烷生产过程中的含单质硅残余物中去除杂质的方法。使所述残余物通过磁力分离来提供硅含量较高的相对纯的非磁性部分和比非磁性部分硅含量低的相对不纯的部分。
残余物除去杂质方法

[发明专利]产生环己硅烷化合物的方法-CN201180007314.9有效
发明人： A·埃兰戈班;K·安德森;P·R·鲍德尤克;D·L·施乌尔斯 -专利权人：北达科他州立大学研究基金会
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明提供自三氯硅烷制备环己硅烷化合物的方法。该方法包括将三氯硅烷与试剂组合物接触以产生化合物，其含有十四卤代环己硅烷双阴离子，比如十四氯环己硅烷双阴离子。本发明还提供将含十四卤代环己硅烷双阴离子的化合物转化为环己硅烷或十二有机环己硅烷的方法。
产生硅烷化合物方法

[发明专利]含过渡金属元素聚硅烷及其制备方法-CN201110046758.5无效
发明人：高孟姣;陈来;花永盛;张家宝;任慕苏;孙晋良 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种含过渡金属元素聚硅烷及其制备方法。本发明采用电化学合成法，用镁块作阴阳极，将甲基三氯硅烷、烯丙基氯、环戊二烯、过渡金属氯化物和在四氢呋喃溶液和高氯酸锂支撑电解质中进行聚合，合成出含双键和含金属元素的聚硅烷，该聚硅烷的结构式为：结果表明本发明方法反应条件温和，操作简单、安全，将双键和抗氧化金属元素钛或锆或铪等引入到聚硅烷中
过渡金属元素硅烷及其制备方法

[发明专利]甲基三(2,3-二氯丙氧基)硅烷化合物及其制备方法-CN201110042927.8有效
发明人：王彦林;周中凯;韦春胜 -专利权人：苏州科技学院
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种含Si、Cl双元素协同阻燃剂甲基三(2，3-二氯丙氧基)硅烷化合物及其制备方法，该化合物的结构如下式所示：，制备方法为：在25℃下开始将一定摩尔比的环氧氯丙烷滴加到甲基三氯硅烷中，加热反应一段时间，再减压蒸馏出低沸点物，得到甲基三(2，3-二氯丙氧基)硅烷。本发明甲基三(2，3-二氯丙氧基)硅烷的阻燃效能高、与高分子材料相溶性好，并且生产工艺简单，设备投资少，成本低廉，易于实现工业化生产。
甲基二氯丙氧基硅烷化合物及其制备方法

[发明专利]一种含氟聚硅氮烷及其制备方法-CN201610891761.X有效
发明人：张宗波;徐彩虹;罗永明;李永明;曾凡 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟聚硅氮烷及其制备方法。所述含氟聚硅氮烷包含至少一种含氟基团。所述含氟聚硅氮烷的制备方法，包括如下步骤：(1)含有Si‑H键和/或Si‑X键的卤硅烷与含有可反应的活性官能团的含氟化合物进行反应，得到含氟的卤硅烷单体；(2)所述含氟的卤硅烷单体与卤硅烷单体混合，进行氨解反应，即得到含氟聚硅氮烷。本发明在单体原料阶段就进行改性，这样能提供种类更多的含氟聚硅氮烷材料。特别是与其它氯硅烷的共氨解反应，能使制备的含氟聚硅氮烷更多的性能，这为材料的后期应用提供了更多可能。
一种含氟聚硅氮烷及其制备方法

[发明专利]制备烷基卤硅烷的方法-CN96111459.2无效
发明人：Ｍ·Ｓ·施坦纳;Ｃ·施尔德;Ｂ·迪根 -专利权人： GE拜尔硅股份有限公司
申请日： 1996-08-30 - 公布日： 2001-06-06 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及通过在至少一种催化剂和易挥发性或气态含卤和／或含烷氧基硫化合物和可选的助催化物质的存在下使硅与烷基卤反应来制备烷基卤硅烷特别是甲基氯硅烷的方法。
制备烷基硅烷方法

[发明专利]一种苯基氯硅烷的制备方法-CN201811551861.3有效
发明人：田博;何岩;孙启魁;边路路;周锐;申学燕 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基氯硅烷的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：(1)将硅粉、铜催化剂和含钠化合物加入反应器中；(2)通入硅‑铜触体改性剂在300‑500℃条件下对硅‑铜触体预处理；(3)将预处理过的硅‑铜触体与组成为Cu‑CuO‑Cu2O‑CuCl的四元铜粉催化剂混合，加入反应器中；(4)通入氯苯，控制反应温度400‑700℃，反应制备苯基氯硅烷单体。该方法铜催化剂用量少，氯苯转化率高，苯基氯硅烷选择性好，产物中具有较高经济价值的二苯基二氯硅烷收率高，提高了直接法制备苯基氯硅烷的经济性。
一种苯基硅烷制备方法

[发明专利]一种利用氯硅烷残液、废铝渣及酸渣生产聚硅酸铝铁的方法-CN201910258299.3有效
发明人：苏泽模;江滔 -专利权人：四川广阳环保科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C01B33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用氯硅烷残液、废铝渣及酸渣生产聚硅酸铝铁的方法，该方法将氯硅烷残夜水解后直接与废铝渣和含铁废酸进行反应，使氯硅烷残的水解产物能被完全利用，且原材料均为废弃物，不仅显著增加了氯硅烷残夜的回收率，还节了约资源，降低了生产成本；同时，通过添加位阻剂，使反应过程中硅酸分子可以在各个方向进行聚合反应，形成立体结构的聚合物，从而使制备得到的聚硅酸铝铁吸附性显著增加，不仅有利于氯硅烷残液的大规模回收利用
一种利用硅烷废铝渣生产硅酸铝方法