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[发明专利]含氯硅烷的氯化氢气体生产高纯度浓盐酸的方法-CN200910183870.6有效
发明人：夏俊辉;蒋广生;张鹏;唐洁;芮元庆 -专利权人：中国石化集团南京设计院
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氯硅烷的氯化氢气体生产高纯度浓盐酸的方法，含氯硅烷的氯化氢气体先进入水解罐，与水解罐中浓盐酸中的水分进行水解反应，除去气体中的氯硅烷，气体再依次经过至少两个串联的降膜吸收器，在降膜吸收器中采用水循环吸收气体中的氯化氢本发明利用本方法，含氯硅烷的氯化氢气体生产高纯度浓盐酸，解决了传统方法用水直接吸收，不能得到纯的盐酸的问题。
硅烷氯化氢气体生产纯度盐酸方法

[发明专利]一种含氟有机硅滑油基础油及其制备方法-CN201811145386.X有效
发明人：李旭东 -专利权人：李旭东
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C10M107/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种含氟有机硅滑油基础油及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：由二烃基二氯硅烷、三烃基氯硅烷、氟氯硅烷的混合物水解制备中间产物；对所述中间产物进行重整，得到氟硅滑油混合物；分馏得到所述含氟有机硅滑油基础油。本发明还提供了上述方法制备的含氟有机硅滑油基础油，其在20℃下的粘度可以达到35‑55mm2/s。
一种有机硅基础油及其制备方法

[发明专利]一种含萘胺基的含硫硅烷及其制备方法和应用-CN202011621294.1在审
发明人：丁冰;梁秋鸿;周煜华;杨静;葛利伟 -专利权人：江西晨光新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种含萘胺基的含硫硅烷及其制备方法和应用。该含萘胺基的含硫硅烷的制备方法包括如下步骤：1)将α‑萘胺与氯丙基烷氧基硅烷在缚酸剂的作用下反应得到萘氨基丙基烷氧基硅烷；2)将所述萘氨基丙基烷氧基硅烷与硫磺在80～160℃下反应，至体系中硫磺完全熔融，体系的色度与粘度不再变化，除去渣滓，得到所述含萘胺基的含硫硅烷。本发明提供了一种非水相合成含硫硅烷的新制备方法，亦无需溶剂，直接合成含硫硅烷，该制备方法的整体收率高，后处理容易，成本低。
一种胺基硅烷及其制备方法应用

[发明专利]沉积多晶硅的方法-CN200910001882.2有效
发明人： K·黑塞;F·施赖德尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中，而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述方法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将反应气体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的温度
沉积多晶方法

[发明专利]一种含氟硅油消泡剂及其制备方法-CN201410648599.X有效
发明人：向德轩;陈欣;王树华;周强 -专利权人：衢州氟硅技术研究院
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟硅油消泡剂及其制备方法，其结构式如式Ⅰ所示，由下述方法制得：将六氟丙烯二聚体和烯丙基溴在氟化钾或氟化铯作用下发生加成反应得到含氟烯烃，含氟烯烃再与甲基二氯氢硅烷进行硅氢加成反应得到含氟二氯硅烷，含氟二氯硅烷与二甲基二氯硅烷在中性或弱碱性条件下进行水解，最后水解产物以六甲基二硅氧烷做封端剂，在碱性条件下进行缩聚反应得到上述含氟硅油的消泡剂。
含氟硅油消泡剂含氟二氯硅烷含氟烯烃聚合物制备二甲基二氯硅烷甲基二氯氢硅烷六氟丙烯二聚体六甲基二硅氧烷硅氢加成反应化学稳定性耐高温性能弱碱性条件生产成本低加成反应碱性条件水解产物缩聚反应烯丙基溴工艺流程封端剂氟化钾氟化铯溶解度水解消泡

[发明专利]一种合成乙烯基含氯硅烷的方法-CN200710168341.X有效
发明人：程鹏飞;金龙彪;廖俊;余杰;邱猛勇 -专利权人：湖北武大有机硅新材料股份有限公司
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成乙烯基含氯硅烷的方法，其步骤是：A.催化剂为醚做溶剂，二苯并吡啶或咔唑作配位体与氯铂酸反应生成铂的络合物；B.用泵将含有催化剂的溶剂从反应釜底部输送到反应塔顶，在反应塔釜内循环；C.在反应塔内装陶瓷填料，将气化后的含氢氯硅烷和乙炔混合物连续输入反应塔内，让其和催化剂在填料塔表面反应，连续进料反应；D.在0.001－0.3MPa压力和50－90℃温度下，用铂络合物做催化剂，用氯己烷做溶剂合成乙烯基氯硅烷本发明方法简便，操作容易，乙烯基含氯硅烷选择性大于97.0％，不用回收乙炔，方法简单，反应平稳易控。
一种合成乙烯基硅烷方法

[发明专利]一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统-CN202211362206.X在审
发明人：赵旭霞;吕学谦;刘兴平;孙原庆;王芯蕊;闵中龙;冯留建;贾春 -专利权人：新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供一种去除氯硅烷中碳杂质的方法及系统，方法包括：将多晶硅生产过程中的含碳氯硅烷与还原尾气混合，以使二者中的物料进行反应，对反应后的混合物料进行冷凝，以使反应后的混合物料中的氯硅烷冷凝成液体，对冷凝产生的气体进行吸附，以去除其中的甲烷，对冷凝产生的液体进行精馏，以去除其中的甲基三氯硅烷。本发明在不需要催化剂和/或原料浓缩的前提下，利用还原尾气余热促进甲基二氯硅烷反应的进行，使其转化成更高沸点的甲基三氯硅烷和更低沸点的甲烷气体，不仅技术手段简单、而且能够提高三氯氢硅与甲基氯硅烷杂质的分离效率
一种去除硅烷杂质方法系统

[发明专利]一种甲基三氯硅烷的利用系统-CN202110327655.X在审
发明人：李文;黄江波;方袁烽;王珂 -专利权人：浙江三时纪新材科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种甲基三氯硅烷的利用系统，甲基三氯硅烷和无水甲醇在反应塔内反应生成含甲醇的氯化氢气体和甲基三甲氧基硅烷；含甲醇的氯化氢气体通过冷却单元除去大部分甲醇后通过脱醇单元制得氯化氢干燥气体；单质硅和氯化氢干燥气体在三氯氢硅制备组件中反应生成三氯氢硅，从而提供半导体材料的晶圆；甲基三甲氧基硅烷与水、酸和碱在反应釜中反应生成球形聚甲基硅氧烷的悬浮液，球形聚甲基硅氧烷的悬浮液分离得到滤饼，滤饼在氧化氛围下加热得到球形二氧化硅，从而提供半导体材料的封装填料通过本发明的甲基三氯硅烷的利用系统，直接法合成有机硅单体时的过剩产品甲基三氯硅烷被用来生产高附加值的产品三氯氢硅和球形二氧化硅，意义重大。
一种甲基硅烷利用系统

[发明专利]用于处理硅石的四卤代硅烷共混物-CN03815318.1有效
发明人： A·里维斯 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C08K9/06 文献下载
摘要：通过使硅石分别与含有重量比为1∶0.1到1∶2的二有机二卤代硅烷和四卤代硅烷的共混物或混合物接触，来制备改性硅石填料。尽管分别最优选二烷基二氯硅烷和四卤代硅烷如二甲基二氯硅烷和四氯化硅，但共混物或混合物还可包括含其它硅烷如巯丙基三乙氧基硅烷的组合物。
用于处理硅石四卤代硅烷共混物

[发明专利]氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法-CN201811207964.8在审
发明人：万烨;曾晓国;严大洲;张升学;张伟 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法，该系统包括：静态混合器，所述静态混合器具有氯硅烷残液入口、液氮入口和含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口；气液分离罐，所述气液分离罐内自上而下形成气相空间和液相空间，所述液相空间设有液体入口和含金属氯化悬浮物的溶液出口，所述液体入口与所述含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口相连，并且所述液相空间设有液位计，所述气相空间设有氮气出口；过滤器，所述过滤器具有含金属氯化悬浮物的溶液入口、金属氯化物出口、氯硅烷清液出口和滤芯，所述含金属氯化悬浮物的溶液入口与所述含金属氯化悬浮物的溶液出口相连。
氯化悬浮物金属氯硅烷液相空间氯化物氮气过滤器静态混合器残液出口气相空间溶液出口溶液入口液体入口除金属残液急冷金属氯化物气液分离罐残液入口氮气出口气液分离清液出口液氮入口液位计滤芯出口

[实用新型]氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统-CN201821685964.4有效
发明人：万烨;曾晓国;严大洲;张升学;张伟 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统，该系统包括：静态混合器，所述静态混合器具有氯硅烷残液入口、液氮入口和含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口；气液分离罐，所述气液分离罐内自上而下形成气相空间和液相空间，所述液相空间设有液体入口和含金属氯化悬浮物的溶液出口，所述液体入口与所述含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口相连，并且所述液相空间设有液位计，所述气相空间设有氮气出口；过滤器，所述过滤器具有含金属氯化悬浮物的溶液入口、金属氯化物出口、氯硅烷清液出口和滤芯，所述含金属氯化悬浮物的溶液入口与所述含金属氯化悬浮物的溶液出口相连。
氯化悬浮物金属氯硅烷液相空间氯化物氮气过滤器静态混合器残液出口气相空间溶液出口溶液入口液体入口除金属残液急冷本实用新型金属氯化物气液分离罐残液入口氮气出口气液分离清液出口液氮入口液位计滤芯出口

[发明专利]一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法-CN202211244006.4在审
发明人：徐凯;赵长森;牛强;郭婷;李鹏 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种多补多排生产多晶硅和硅烷偶联剂的方法，涉及多晶硅生产技术领域，包括步骤：将多补三氯氢硅与原料粗氯硅烷通入粗分塔中进行粗提纯后，通入精馏塔中提纯，得到高纯三氯氢硅和含杂质的三氯氢硅；高纯三氯氢硅通入还原炉生产多晶硅；含杂质的三氯氢硅通入高低沸塔中提纯，提纯后的三氯氢硅回到精馏塔提纯再用于生产多晶硅，未回到精馏塔的三氯氢硅多排出系统，生产硅烷偶联剂。本发明将高低沸塔中反复循环富集的杂质排出系统，从根本上解决多晶硅系统P杂质不易去除等问题；并将高低沸塔中未回到系统中的高杂质含量的三氯氢硅再多排出系统用于硅烷偶联剂的生产，增加了硅基产品的高附加值。
一种多补多排生产多晶硅烷偶联剂方法

[发明专利]乙硅烷的制备方法-CN201811594038.0在审
发明人：万烨;刘见华;赵雄;严大洲;赵宇;郭树虎 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种乙硅烷的制备方法。该制备方法包括：对多晶硅残液进行过滤，得到滤液；对滤液进行精馏过程，得到氯代乙硅烷；使氯代乙硅烷与还原剂进行还原反应，得到乙硅烷。多晶硅残液中包含氯代乙硅烷，以多晶硅残液为制备原料能够省去氯代乙硅烷的制备步骤，大大降低乙硅烷的制备成本。通过过滤步骤将多晶硅残液中的固体杂质(如颗粒状物质、金属聚合物、含无定形硅和金属的杂质)去除，最后将得到的滤液与还原剂进行反应，得到所需的产品乙硅烷。上述制备方法具有成本低和乙硅烷纯度高等优点。
乙硅烷制备多晶硅残液氯代还原剂过滤金属聚合物颗粒状物质固体杂质还原反应无定形硅精馏去除金属

[发明专利]一种液态超支化聚碳硅烷、制备方法及其应用-CN202210211155.4有效
发明人：甄强;卢毓鹏;陈来 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种液态超支化聚碳硅烷、制备方法及其应用。该液态超支化聚碳硅烷其为含碳碳双键的聚碳硅烷，其结构式为[SiHx(CH3)y氯甲基三氯硅烷和氯甲基(甲基)二氯硅烷、镁为原料，四氢呋喃和芳烃为混合溶剂，通过“一釜法”得到聚碳硅烷，该方法反应条件温和，安全可控，解决了传统单一溶剂体系易造成反应失败及热失控等问题，所制得的液态超支化聚碳硅烷，为含碳碳双键的聚碳硅烷，其作为先驱体有较高的陶瓷转化率，在制备高温抗氧化陶瓷领域有广阔前景。
一种液态超支化聚碳硅烷制备方法及其应用

[发明专利]一种抗老化性的高效辐射制冷涂料及其制备方法-CN202111532579.2在审
发明人：邓旭;宋佳宁 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本制冷涂料，包含具有低表面能的长链含氟硅烷偶联剂、乙醇和颜料纳米粒子。所述长链含氟硅烷偶联剂是全氟辛基三氯硅烷、全氟奎基三氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、聚二甲基硅氧烷或十六烷基三氯硅烷。所述颜料纳米粒子、乙醇溶液和长链含氟硅烷偶联剂的体积比为1‑5:5‑10:0.1‑0.3。
一种化性高效辐射制冷涂料及其制备方法