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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]第三族氮化合物萧特基二极管及其制造方法-CN200910140067.4无效
发明人：陈冠廷;李家铭 -专利权人：泰谷光电科技股份有限公司
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种第三族氮化合物萧特基二极管及其制造方法，其将第三族氮化合物萧特基二极管的至少一电极与导电基板形成奥姆接触，使第三族氮化合物萧特基二极管导电时的电流可经过基板。该基板可以大面积制作，具有导电性及散热性佳的优点，故可避免组件因过热而遭损坏的问题，且提升第三族氮化合物萧特基二极管的操作特性。另外，萧特基二极管的阳极与阴极可选择设置于基板的同一侧或相对侧，藉以缩小组件的体积及面积。
第三氮化合物萧特基二极管及其制造方法

[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构-CN200410033728.0有效
发明人：许世昌;许进恭 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种覆晶式发光二极管封装结构，包含一萧特基二极管群、一发光二极管及多个凸块，其中萧特基二极管群包含多个萧特基二极管，且这些萧特基二极管用串联、并联或串并联等方式电性联接。此些凸块配置于一萧特基二极管与发光二极管之间，使得萧特基二极管群与发光二极管反向并联，而此发光二极管以覆晶接合的方式配置于一萧特基二极管上。此覆晶式发光二极管封装结构可有效防止静电破坏，并可提高光取出效率，而且萧特基二极管的子基座为硅材质，其散热性良好，故可增加本覆晶式发光二极管封装结构的寿命。
覆晶式发光二极管封装结构

[发明专利]萧特基二极管-CN201810473287.8有效
发明人：杨承桦;林克峰;李明宗;黄世腾;王智充;李秋德;林淑雯 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种萧特基二极管，包含有一萧特基接面、一欧姆接面、一第一绝缘结构以及多个掺杂区。萧特基接面，包含一第一阱位于一基底中，以及一第一电极接触第一阱。第一绝缘结构设置于基底中且将萧特基接面及欧姆接面隔离。多个掺杂区位于第一阱中以及萧特基接面下方，其中此些掺杂区彼此分离且构成一同心圆的俯视轮廓。
萧特基二极管

[发明专利]单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件-CN201110147085.2无效
发明人：郑谦兴 -专利权人：硕颉科技股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，包括芯片、金属氧化半导体场效应晶体管、萧特基二极管以及终端结构。芯片分为晶体管区、二极管区与终端区。金属氧化半导体场效应晶体管设置于晶体管区上。萧特基二极管设置于二极管区上。终端结构设置于终端区，其中终端区分隔晶体管区与二极管区，且金属氧化半导体场效应晶体管与萧特基二极管共享终端结构。
单片金属氧化半导体场效应晶体管萧特基二极管元件

[实用新型]萧特基二极管倒晶结构-CN201920107480.X有效
发明人：沈主能 -专利权人：全宇昕科技股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种萧特基二极管倒晶结构，通过通道区的设置，使本实用新型的阳极和阴极能位于同侧，减少本实用新型的厚度，并搭配电流局限带和钝化带的设置，使电流仅在通道区流通，进而发挥萧特基二极管的功用。
本实用新型二极管通道区阴极阳极钝化同侧搭配局限流通

[发明专利]交流发光二极管模块-CN201010559234.1无效
发明人：曾俊龙;苏志宗;曾健文;陈柏荣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种交流发光二极管模块，其包括：基板；发光二极管，位于基板上，且发光二极管包括具有第一导电特性的半导体层与具有第二导电特性的半导体层；以及桥式整流器，位于基板上，电连接于发光二极管，包括多个萧特基二极管，其中萧特基二极管中的第一部分位于第一半导体层上方，萧特基二极管中的第二部分位于第二半导体层上方。
交流发光二极管模块

[发明专利]萧特基二极管及半导体装置-CN201110336833.1无效
发明人：杨明宗;李东兴 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种萧特基二极管和半导体装置。萧特基二极管包括：具有阳极区及阴极区的半导体基底；轻掺杂区，具有预定的导电型，且位于半导体基底内；金属接触窗，位于轻掺杂区上方，且对应于阴极区以作为阴极；第一金属硅化物层，位于金属接触窗下方且与其电性连接本发明所公开的萧特基二极管及半导体装置，通过第一金属硅化物层与轻掺杂区/井区直接接触，能够实现有效的减轻制作接触窗期间因过蚀刻而造成金属/半导体界面的损害的目的，增大萧特基二极管和半导体装置的可靠度及稳定性
萧特基二极管半导体装置

[发明专利]萧特基二极管的制造方法-CN200710039425.3无效
发明人：马惠平;刘宪周;张有志;孔蔚然;周雪梅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种萧特基二极管的制造方法，其于一硅基板之第一表面上形成一掩膜层，并以湿式刻蚀去除部分掩膜层以开启欲形成萧特基二极管的区域，再于上方沉积一钴金属层，进行热处理使其与硅基板反应形成一硅化金属(silicide本发明所提供的制作方法可用于大量生产具有高成品率的萧特基二极管，并确保其具有一定能障高度(barrier height)及较低漏电流。
萧特基二极管制造方法

[实用新型]多相发电机整流器-CN201120065434.1无效
发明人：魏成榖 -专利权人：车王电子（宁波）有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H02K11/00 文献下载
摘要：一种多相发电机整流器，其每一相包含有至少一正电整流元件以及至少一负电整流元件，其中，该负电整流元件具有通过同极连接方式并联的一萧特基二极管(schottky diode)以及一具有雪崩崩溃(avalanche breakdown)效应的二极管，且该萧特基二极管的正极连接该输入端口，而负极连接该输出端口的负电端，藉以利用上述设计达到低耗能及高压保护的目的。
多相发电机整流器

[发明专利]萧特基二极管结构及其制造方法-CN200410006993.X无效
发明人：吴协霖 -专利权人：吴协霖
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：本发明揭露一种萧特基整流组件(Schottkyrectifier device)及其制造方法。萧特基整流组件包含多个区域氧化层于其中以达到避免过早崩溃，及做为打线缓冲应力的目的。该萧特基整流组件至少包含一n－型漂移层形成于n+半导体基板上。一阴极金属层形成于n+半导体基板背面而与n－型漂移层相对，一对场氧化区和终止区形成于n－型漂移层中。
萧特基二极管结构及其制造方法

[发明专利]多相发电机整流器-CN201110030338.8无效
发明人：魏成榖 -专利权人：车王电子（宁波）有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多相发电机整流器，该多相发电机整流器的每一相包含有至少一正电整流元件以及至少一负电整流元件，其中，该负电整流元件具有通过同极连接方式并联的一萧特基二极管(schottky diode)以及一具有雪崩崩溃(avalanche breakdown)效应的二极管，且该萧特基二极管的正极连接该输入端口，而负极连接该输出端口的负电端，利用上述设计达到低耗能及高压保护的目的。
多相发电机整流器

[实用新型]感应式发光二极管-CN99244279.6无效
发明人：叶寅夫 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 1999-09-10 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述整流装置为萧特基二极管。本实用新型可以藉由设立内设式的萧特基二极管而简化电路配线及封装,节省组装时间并有利于降低产品成本。
感应发光二极管

[发明专利]具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管-CN02817912.9有效
发明人： P·帕里克;U·米施拉 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明揭示了具有低通态压(V_f)和可将反向电流(I_rev)维持在相对低的结构的创新的以III族为基的二极管。本发明的一实施例是由费米能级(或表面电势)不固定的氮化镓材料系统制成的萧特基障壁二极管(10)。在金属－半导体接面的障壁电压(33)随所使用的金属(16)类型而改变，而使用特定的金属会降低二极管的萧特基障壁电压(33)并使V_f落在0.1－0.3伏特的范围内。在另一实施例(40)中，一沟槽结构(45)在萧特基二极管半导体材料(44)上形成以降低反向漏电电流，其含有多个在相邻沟槽之间具有平台区域(49)的互相平行、间距相等的沟槽(46)。
具有正向电压反向电流操作氮化基底二极管

[发明专利]高电压萧特基二极管-CN201810366529.3在审
发明人：徐信佑;王振煌 -专利权人：全宇昕科技股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种高电压萧特基二极管，适用于高电压范围，其包括基板、磊晶层、多个掺杂区、多个沟槽以及金属层。多个掺杂区设置于磊晶层内，多个沟槽分别间隔设置于各掺杂区上且位于磊晶层内，各沟槽具有沟槽氧化层以及半导体层，各沟槽氧化层形成于各沟槽的底部和侧壁，各半导体层填满各沟槽；金属层设置于磊晶层上，并与磊晶层形成萧特基接面
磊晶层高电压沟槽氧化层掺杂区二极管半导体层金属层基板间隔设置正常运作侧壁接面填满配置

[发明专利]一种红外线温度侦测元件及测温的方法-CN202010764007.6在审
发明人：黄键全 -专利权人：黄键全
申请日： 2020-08-01 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：该半导体的表面至少设置一个倒立金字塔结构；一金属电极，设置在所述倒立金字塔结构的表面，一平坦的欧姆接触电极，设置在所述半导体的背面，本发明还提供了一种红外温度侦测元件测温的方法，包括如下步骤，金属电极与倒立金字塔结构的表面形成萧特基接触，金属电极中的载子受入射光子激发后形成电子电洞对或热载子，而平坦的欧姆接触电极与半导体的背面形成欧姆接触，由所述金属电极中的载子激发后形成电子电洞对或热载子而越过金属电极与半导体介面的萧特基能障，形成光电流，且依据所述光电流信号计算被测物的温度值。
一种红外线温度侦测元件测温方法

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