“各向异性腐蚀”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果447825个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]各向异性导电膜及其组合物和包括该导电膜的装置-CN201110301310.3有效
发明人：高连助;鱼东善;曹长铉;朴镇晟;裵相植;金镇圭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种各向异性导电膜、用于所述各向异性导电膜的各向异性导电膜组合物和包括所述各向异性导电膜的装置。在所述各向异性导电膜中，粘结剂部分包括具有大于0且小于或等于100ppm的离子含量的丁腈橡胶树脂(NBR)和/或聚氨酯树脂，从而所述各向异性导电膜具有大于0且小于或等于100ppm的离子含量，因此在与电路连接时不引起腐蚀
各向异性导电及其组合包括装置

[发明专利]模拟金属表面氢化点腐蚀形貌演化的方法及装置-CN202111546154.7有效
发明人：刘瑜;黄厚兵;宋海峰;盛杰;武帅;杨超;王越超;韩国民;孙博;施小明 -专利权人：北京应用物理与计算数学研究所;北京理工大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟金属表面氢化点腐蚀形貌演化的方法及装置，采用各向异性的弹性常数建立了耦合各向异性弹性能的氢化点腐蚀相场模型，并利用插值函数的方法构造等效弹性常数来表征体系的非均匀性，适用于各向异性的金属材料，可模拟金属材料因弹性各向异性生长导致的形貌差异，更好地展示了氢化点腐蚀的生长形貌特征；在点腐蚀相场模型中，采用有限元方法求解非周期边界条件的力学平衡方程，可以避免傅里叶变换求解周期性弹性场引起非周期性物理参数周期化的问题
模拟金属表面氢化腐蚀形貌演化方法装置

[发明专利]一种用于硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法-CN200610039511.X无效
发明人：周再发;黄庆安;李伟华 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术，该方法采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格结构，根据一个表面元胞与其一级相邻元胞的连接状态及这些一级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，这些一级相邻元胞与二级相邻元胞的连接状态及这些二级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，来确定该表面元胞所在晶面；本发明可以有效地引入硅各向异性腐蚀过程中出现的高密勒指数晶面，具有精度高的优点。这对于有效地实现硅各向异性腐蚀过程精确模拟具有实用意义。
一种用于各向异性腐蚀过程模拟自动机方法

[发明专利]多层膜的干湿结合蚀刻方法-CN200310113893.2无效
发明人：高晓光;李建平;何秀丽 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及多层膜的蚀刻方法，特别是各向异性磁电阻效应(AMR)传感器制造中所使用的多层膜的蚀刻方法。一种多层膜的干湿结合蚀刻方法，包括：干法刻蚀各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜的保护层；湿法腐蚀各向异性磁电阻效应薄膜的坡莫合金层；干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的过渡层。各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜为钽(Ta)/坡莫合金(NiFe)/钽(Ta)组成的多层膜。本发明与传统的方法相比，缩短了刻蚀的时间，提高了刻蚀工艺的效率，电阻条边缘整齐，图形质量高。
多层干湿结合蚀刻方法

[发明专利]硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法-CN200610037762.4无效
发明人：周再发;黄庆安;李伟华 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-01-13 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术，该方法满足以下两个条件：a、采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格结构，通过在衬底表层引入更多硅的各向异性腐蚀过程中常出现的晶面，并且由衬底表层元胞腐蚀过程中出现的晶面影响硅衬底内部元胞的腐蚀过程，b、衬底表层元胞的腐蚀过程中表层元胞边界条件的确定只与表层元胞有关，在相同的条件下，在边界条件的确定和高密勒指数晶面的确定过程中，所需考虑得元胞的元胞数目减少，具有较高的精度以及较快的模拟速度；本发明具有运算速度快这对于有效地实现硅各向异性腐蚀过程快速精确模拟具有实用意义。
各向异性腐蚀过程模拟自动机方法

[发明专利]各向异性导电胶和显示装置-CN202211315855.4在审
发明人：张建英;袁海江 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09J9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种各向异性导电胶和显示装置，显示技术领域，所述各向异性导电胶包括胶体、多个导电粒子和多个膨胀材料颗粒，所述胶体由树脂材料构成，所述导电粒子填充在所述胶体内，所述导电粒子在所述各向异性导电胶的厚度方向导通，在所述各向异性导电胶的片状方向不导通；所述膨胀材料颗粒填充在所述胶体内，在所述各向异性导电胶固化时膨胀，且所述膨胀材料颗粒的导电率低于所述导电粒子的导电率。通过上述设计，各向异性导电胶在固化时，膨胀材料颗粒受固化过程中的高温环境或是压力条件的影响，体积从而发生膨胀，将绑定气泡排除干净，避免绑定气泡引起驱动电路或是基板绑定绑定金属层的腐蚀，影响显示装置可靠性
各向异性导电显示装置

[发明专利]用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法-CN200610148119.9无效
发明人：许科峰;杨恒;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
湿法腐蚀工艺制作截面直角三角形纳米加工方法

[发明专利]光学各向异性层叠体、偏振片及图像显示装置-CN201780044314.3有效
发明人：大里和弘;相松将 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种光学各向异性层叠体，具有第一光学各向异性层和第二光学各向异性层，第二光学各向异性层的折射率、第一光学各向异性层的面内延迟、第二光学各向异性层的厚度方向的延迟、光学各向异性层叠体的面内延迟、光学各向异性层叠体的NZ系数以及光学各向异性层叠体的厚度方向的延迟Rth分别满足规定的关系。
光学各向异性层叠偏振图像显示装置

[发明专利]层叠膜、圆偏振片及显示装置-CN202211561669.9在审
发明人：村松彩子;石山淳;吉政庆介;横田知瞭;桑原浩树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供包含多个光学各向异性层的层叠膜、圆偏振片及显示装置，其透明性优异，点缺陷少，适用于显示装置，使显示装置显示黑色时反射光少。层叠膜依次具有第1光学各向异性层、第2光学各向异性层、第3光学各向异性层及第4光学各向异性层，第1光学各向异性层、第2光学各向异性层、第3光学各向异性层及第4光学各向异性层均为将取向的液晶化合物固定而成的层，仅在第1光学各向异性层与第2光学各向异性层之间、第2光学各向异性层与第3光学各向异性层之间和第3光学各向异性层与第4光学各向异性层之间中的任一个上具有选自由粘接剂层和粘合剂层构成的组中的密合层，层叠膜在波长
层叠偏振显示装置

[发明专利]一种制备压延各向异性磁粉和磁体的方法-CN200610113210.7有效
发明人：杨应昌 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-09-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：利用本工艺所制备的磁粉，不仅具有在外磁场作用下取向的磁晶各向异性，而且具有压延各向异性和应力各向异性。根据这三种各向异性本发明提供了制备高性能各向异性压延柔性橡胶磁体的方法，所制备的柔性磁体不仅具有优良的磁性，而且磁体表面平整、细腻、粘结性好，拉伸强度、延伸率、硬度诸力学性能适宜柔性好，并且有优良的耐温、耐湿、耐油和耐腐蚀等特性。
一种制备压延各向异性磁体方法

[发明专利]基于岩石物理模型的各向异性流体因子构建方法-CN202010008864.3在审
发明人：李红梅;宗兆云;韩宏伟;冯德永;江洁;魏文;王红 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司胜利油田分公司物探研究院
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于岩石物理模型的各向异性流体因子构建方法，该基于岩石物理模型的各向异性流体因子构建方法包括：步骤1，基于线性滑动理论，构造干燥各向异性介质刚度矩阵；步骤2，根据广义Gassmann公式，构建流体饱和各向异性介质刚度矩阵；步骤3，推导饱和流体各向异性介质中的纵横波速度，并构建各向异性流体因子；步骤4，将各向异性流体因子改写为储层弹性参数以及各向异性参数的函数；步骤5，计算储层各向异性流体因子该基于岩石物理模型的各向异性流体因子构建方法利用各向异性地震反演得到的参数代入各向异性流体因子模型进行计算，从而可以更加精细的提高储层中流体识别的精度。
基于岩石物理模型各向异性流体因子构建方法

[发明专利]层叠体、偏振片及图像显示装置-CN202180066286.1在审
发明人：渥美匡广;柴田直也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种具有光吸收各向异性层及光学各向异性层且耐湿热性优异的层叠体、以及使用层叠体的偏振片及图像显示装置。本发明的层叠体具有光吸收各向异性层及光学各向异性层，所述层叠体中，光吸收各向异性层包含有机二色性物质，光学各向异性层由液晶层构成，光吸收各向异性层的吸收轴与光学各向异性层的慢轴的轴向不同，光吸收各向异性层与光学各向异性层直接层叠
层叠偏振图像显示装置

[发明专利]利用无电极电化学腐蚀自停止制作的纳米梁结构与方法-CN200810033916.1无效
发明人：吴燕红;陆荣;杨恒;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
利用电极电化学腐蚀停止制作纳米结构方法

[发明专利]在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法-CN200510112436.0无效
发明人：杨恒;许科峰;李铁;焦继伟;李昕欣;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-12-30 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
绝缘体硅片纳米宽度谐振结构及其制作方法

[发明专利]一种利用旅行时变化量进行各向异性参数提取的方法-CN201310370295.7有效
发明人：周巍;郭全仕;王鹏燕 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油物探技术研究院
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G01V1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种各向异性参数对P波旅行时影响因素分析，属于地质勘探领域。本发明方法包括以下步骤(1)分析本地区地质资料；(2)确定各向异性成因及类型；(3)确定敏感的各向异性参数(4)反演得到各向异性参数；(5)各向异性偏移处理。本发明在进行各向异性参数反演时，首先了解本地区各向异性的成因、分析各向异性的类型、选择敏感的参数进行反演，得到的各向异性成像精度明显好于各向同性成像。
一种利用旅行变化进行各向异性参数提取方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条