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- [实用新型]一种半导体发光器件-CN201921358732.2有效
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戴俊;李志聪;王国宏
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扬州中科半导体照明有限公司
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2019-08-21
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2020-02-18
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H01L27/15
- 一种半导体发光器件,属于半导体光电技术领域,在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层,在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层,在蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极;蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间本实用新型改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题,提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率,降低了终端产品制作的复杂度。
- 一种半导体发光器件
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