专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光元件和发光设备-CN200580033393.5有效
  • 熊木大介;瀬尾哲史 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2005-09-27 - 2007-09-05 - H01L51/50
  • 本发明的目的在于提供一种发光元件,其在一对电极之间具有包含发光材料和透明导电薄膜的层,其中可以防止透明导电薄膜与金属的电蚀,也提供一种使用该发光元件的发光设备。根据本发明的一个特征,发光元件包括包含发光材料的第一层102,包含具有施主能级的材料的第二层103,包含透明导电薄膜的第三层104,以及位于第一电极101和第二电极106之间包含空穴传输介质的第四层105
  • 发光元件设备
  • [发明专利]一种全固态白光发光二极管的封装方法-CN201310178638.X有效
  • 吴少凡;林文雄;郑熠;王晓伟 - 中国科学院福建物质结构研究所
  • 2013-05-15 - 2017-10-24 - H01L33/48
  • 本发明公开了一种全固态白光发光二极管的封装方法。该包括如下步骤提供蓝宝石外延片,在其背面键合固态荧光材料形成晶圆片,对所述晶圆片进行减薄抛光,在半导体层上制作电极,将制备好的晶圆片进行划片切割制成芯片,在支撑基板上加工电极金属层,将芯片采用覆晶工艺焊接在支撑基板上形成发光二极管,本发明采用了无介质或者高折射率介质键合工艺将固态荧光材料和蓝宝石外延片直接键合成晶圆片后再进行后续加工,由于固态荧光材料和蓝宝石外延片之间为介质或者高折射率介质膜,因此减小了全反射损耗,此外先键合后切割的工艺简化了加工工艺
  • 一种固态白光发光二极管封装方法
  • [实用新型]一种半导体发光器件-CN201921358732.2有效
  • 戴俊;李志聪;王国宏 - 扬州中科半导体照明有限公司
  • 2019-08-21 - 2020-02-18 - H01L27/15
  • 一种半导体发光器件,属于半导体光电技术领域,在衬底上顺序设置缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层,在n型掺杂GaN层上分别设置n型电极、绝缘介质掩膜层、蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层,在蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层表面分别设置p型电极;蓝光LED发光结构层、绿光LED发光结构层和红光OLED发光结构层间隔地分布在绝缘介质掩膜层之间本实用新型改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题,提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率,降低了终端产品制作的复杂度。
  • 一种半导体发光器件
  • [发明专利]一种基于铌酸盐的高储能密度发光储能材料及其制备方法-CN201710173211.9在审
  • 郭和谦 - 郭和谦
  • 2017-03-22 - 2017-08-15 - C03C10/02
  • 本发明提供一种基于铌酸盐的高储能密度发光储能材料及其制备方法,该材料包括顶电极、沉积介质、基片和底电极,制备方法为将原料PbO、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5和SiO2经研磨加热熔融,在模具中成型为片状物,经可控结晶热处理,得到圆片储能靶材;将BeO、BeCl、Nb2O5和Sm2O3经研磨加热熔融,在模具中成型为片状物,经可控结晶热处理,得到圆片发光靶材;将储能材料发光材料分别沉积于基片的表面,再通过光刻胶工艺和磁控溅射,在基片表面镀金形成顶电极,基片底部表面镀铝,形成底电极,形成基于铌酸盐的高储能密度发光储能材料
  • 一种基于铌酸盐高储能密度发光材料及其制备方法
  • [发明专利]OLED的增透结构-CN201210320027.X有效
  • 陈红;邱勇;黄秀颀 - 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
  • 2012-08-31 - 2012-12-12 - H01L51/52
  • 本发明提供一种OLED的增透结构,是在顶发光OLED的阴极或者在底发光OLED的阳极上增加一个增透层,并使得该增透层的折射率介于其上、下两层介质的折射率之间,从而提高出光效率,改善OLED的性能。当所述增透层位于顶发光OLED的阴极上时,其可以设置在阴极材料层上方或者下方;当所述增透层位于底发光OLED的阳极上时,其可以设置在阳极材料层上方或者下方,均可达到增透效果。
  • oled结构

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