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[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200810171074.6无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200410100047.1无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]一种交换偏置的镍基铁磁/反铁磁复合纳米纤维及其制备方法-CN201410562185.5有效
发明人：陈平;肖超 -专利权人：南京大学（苏州）高新技术研究院
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明属于磁性纳米材料领域，公开了一种交换偏置的镍基铁磁/反铁磁复合纳米纤维的制备方法，将镍盐和高聚物溶解在有机溶剂中配制成均匀透明的前驱体溶胶；将前驱体溶胶通过静电纺丝在高速旋转的筒状接收装置上纺成有序排列的前驱体纳米纤维采用本发明的路线和方法制备交换偏置的铁磁/反铁磁复合纳米材料，具有成本低、设备及工艺简单等优点。
一种交换偏置镍基铁磁反铁磁复合纳米纤维及其制备方法

[发明专利]一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器-CN202010044560.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器技术领域，具体涉及一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器，本发明的垂直反铁磁层设置于磁性随机存储器存储单元，在具有垂直反铁磁层的磁性隧道结结构中，由下至上依次设置垂直各向异性场增强层和垂直反铁磁层双层结构并堆叠在自由层的上方，所述垂直反铁磁层通过垂直各向异性增强乘实现和自由层的磁性耦合，增强自由层的热稳定性，本发明垂直反铁磁层(pAFM)通过垂直各向异性增强层(HK EL)实现和自由层(FL)的磁性耦合，从而增强了自由层(FL)的热稳定性，同时，由于垂直反铁磁层(pAFM)的引入，有利于漏磁场的调控，有利于磁性随机存储器(MRAM)器件，读/写，存储性能的提升，有利器件的缩微化。
一种磁性隧道垂直反铁磁层随机存储器

[发明专利]自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器-CN202010594037.7在审
发明人：邢国忠;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器，其自旋轨道扭矩磁随机存储单元包括：磁隧道结和选通器；选通器为二维材料基选通器；磁隧道结布置在所述选通器的上方；所述磁隧道结包括反铁磁层和自由层，所述自由层与所述反铁磁层邻接；所述选通器开启，所述存储单元导通，电流产生自旋流注入所述自由层，在所述自由层和所述反铁磁层的交换偏置效应作用下，所述自由层磁化方向翻转。本公开无外场利用交换偏置效应，通过施加磁隧道结优化偏置电压可实现室温零磁场下的SOT‑MRAM存储单元的确定性磁化翻转，达到数据写入的目的，实现双端结构的SOT‑MRAM存储单元。
自旋轨道扭矩随机存储单元阵列存储器

[发明专利]一种利用磁光克尔效应测量反铁磁磁畴分布的方法-CN201810493590.4有效
发明人：周超;许佳;贾孟文;吴义政 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明属于物理测量技术领域，具体为一种利用磁光克尔效应测量反铁磁磁畴分布的方法。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为检偏器的偏振片，使其在消光位置往顺时针与逆时针方向偏离相同角度，分别采集样品表面的两张图像；数据分析，先对采集到的两张图像进行模糊，抹去所有磁畴的信息，只保留样品表面的不均匀的光强的信息，然后分别从两张原图里扣除不均匀光强的贡献，得到两张样品形貌与磁畴信息的混合信号；然后经过相减等处理，得到样品表面的反铁磁磁畴的分布。本发明方法成本较低，并为反铁磁材料的研究提供许多可能的方向。
一种利用克尔效应测量反铁磁磁畴分布方法

[发明专利]多位磁存储元件-CN01111226.3有效
发明人： M·K·巴塔查里亚 -专利权人：惠普公司
申请日： 2001-03-09 - 公布日： 2001-10-10 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：多位磁存储单元(400)包含第一(410)和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对(430,450)介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层(420,460)从而将第一和第二数据层与反铁磁耦合层对分隔开来。在一个实施例中，介于反铁磁耦合层对之间的耦合层(440)是一种可导、包含钌(Ru)或铜(Cu)的金属材料。在一个实施例中，介于每一个第一、第二数据层和反铁磁耦合层对之间的分隔层(420,460)是不可导的，这样的单元是自旋相关隧道磁阻(TMR)单元。
多位磁存储元件

[发明专利]电流垂直平面磁致电阻传感器-CN200710101998.4无效
发明人：马修·J·凯里;杰弗里·R·奇尔德雷斯;斯蒂芬·马特;尼尔·史密斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：电流垂直平面CPP磁致电阻传感器具有反平行自由APF结构作为自由层和用于所施加的偏置或检测电流的特定方向。APF结构具有第一自由铁磁层FL1、第二自由铁磁层FL2和反平行AP耦合APC层，APC层使FL1和FL2反铁磁耦合在一起从而FL1和FL2具有基本反平行的磁化方向并在存在磁场时一起转动。选择FL1和FL2的厚度以获得用于传感器的所需净自由层磁矩/面积，优选选择FL1的厚度大于FL1材料中电子的自旋扩散长度，以最大化电子的体自旋相关散射并因而最大化传感器信号。CPP传感器特别地利用从被钉扎铁磁层到APF结构指向的传统检测电流操作，引起对电流诱导噪声的抑制。
电流垂直平面致电传感器

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器-CN201910960367.0有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构中的反铁磁层设置铁磁超晶格层、反铁磁耦合层及磁矩稀释层的三层结构，所述反铁磁耦合层实现铁磁超晶格层和磁矩稀释层的反铁磁耦合，调节所述铁磁超晶格层
磁性隧道结构及其随机存储器

[发明专利]以反铁磁耦合的铁磁膜作为记录层的磁性记录介质-CN00129096.7无效
发明人：马修·J·凯里;埃里克·E·富勒顿;布鲁斯·A·格尼;哈尔·J·罗森;曼弗雷德·E·沙贝斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2000-09-29 - 公布日： 2001-04-18 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：用于数据存储的磁性记录介质利用一种至少有两层通过一个非铁磁隔离膜反铁磁耦合到一起的铁磁膜的磁性记录层。两层反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向。在磁性记录硬盘的应用中,磁性记录介质包括两个铁磁膜,每个膜是溅射沉积的CoPtCrB合金粒状膜,由一定厚度的Ru隔离膜隔开以增大两个CoPtCrB膜之间的反铁磁交换耦合。其中一个铁磁膜比另一个厚,厚度的选择使得在施加零磁场处的净磁矩很小但不为零。
反铁磁耦合铁磁膜作为记录磁性介质

[发明专利]铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器-CN202011575436.5有效
发明人：闵泰;周雨晴;周雪;李桃;郭志新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；以及形成在所述自由磁层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
调控人工反铁磁自由自旋转移随机存储器

[发明专利]一种合成并改变PrFeO3-CN202211011869.7在审
发明人：卢照;杨庆凯;姚青荣;成立春;龙乾新;周怀营 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成并改变PrFeO3稀土铁氧体磁性能的方法，先将原料硝酸镨和硝酸铁作为Pr、Fe的离子源，按照PrFeO3反铁磁性的PrFeO3稀土铁氧体材料；最后在1300℃退火，得到PrFeO3稀土铁氧体磁性材料。低温短时间下退火制备的样品处于反铁磁状态，本发明通过调高温度延长时间使其晶粒和磁畴变大，从而改变PrFeO3样品由反铁磁向铁磁的变化。
一种合成改变 prfeo base sub

[发明专利]一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻（AMR）传感器-CN201510198324.5在审
发明人：李大来;黄正伟;李斌;蒋乐跃 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种反铁磁钉扎各向异性磁电阻(AMR)传感器，其结构包括：位于底层的衬底层；位于衬底层上方的缓冲层；位于顶层的覆盖层；位于所述缓冲层和覆盖层之间的中间层，所述中间层包括铁磁层和反铁磁层。铁磁层受到外界大磁场干扰之后，磁矩随机取向。本发明利用反铁磁层和铁磁层之间的交换偏置作用，使得铁磁层受到大磁场干扰之后，磁矩一致取向，从而实现重置磁矩方向(SET)功能。本发明涉及的反铁磁钉扎AMR传感器结构简单，成本较低。
一种反铁磁钉扎各向异性磁电 amr 传感器

[发明专利]磁阻传感器屏蔽-CN201410356739.6有效
发明人： K·麦克內尔;A·高根;M·奥姆斯顿;V·B·萨波日尼科夫 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G11B5/11 文献下载
摘要：本文所公开的实施例通过在合成反铁磁结构(SAF)屏蔽内，提供被降低各向异性的区域，允许被磁阻传感器检测到的信号得以改善。SAF屏蔽包含被耦合间隔层所隔离的第一与第二铁磁材料层。第一与第二铁磁材料层之间的距离在邻近传感器堆栈的区域大于远离传感器堆栈的区域。
磁阻传感器屏蔽

[发明专利]一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法-CN202310454144.3在审
发明人：梁逸雷;张浩 -专利权人：新微比特纳米科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法。在本发明中，首次提出将反铁磁材料同时应用于光感与阻变存储功能层中。该忆阻件由光感输入端与阻变输出端组成，通过反铁磁的逆自旋与自旋霍尔效应实现光感输入与阻变存储。
一种基于反铁磁赫兹调控忆阻器及其制备方法