专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种冲击射流连续混合反应-CN202210314206.6在审
  • 刘亚萍;任恒东 - 上海化键化工科技有限公司
  • 2022-03-28 - 2022-08-16 - B01J19/26
  • 本发明公开一种冲击射流连续混合反应器,反应器包括两个端板,所述端板之间设有由反应腔体和冷/热交换腔体构成的冲击射流混合区和连续反应混合区,反应腔体和冷/热交换腔体由冲压成型的导流板分隔构成,导流板上设有混合通道本发明反应器,多腔体组合混合反应区,腔体间通过一体成型的导流板隔断,导流槽上设有混合通道,对物料进行混合,导料槽以一定夹角连接,对物料进行充分混合,为导流板组合构成多腔体组合混合反应区,导流板上设有均料槽与导流槽
  • 一种冲击射流连续混合反应器
  • [发明专利]一种立式氢化物气相外延生长系统-CN201010549729.6有效
  • 修向前;张荣;华雪梅;谢自力;韩平;施毅;顾书林;胡立群;郑有炓 - 南京大学
  • 2010-11-18 - 2012-05-23 - C30B25/02
  • 一种立式氢化物气相外延生长系统,包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统,石墨支托设置在反应腔体的生长区内,反应腔体为立式结构,多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方,尾气出口位于反应腔体下部,其中反应腔体为轴向套管结构,由腔体管和气体导管套接组成,气体导管位于腔体管的入口部份,气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构,多路分隔气路轴向均匀分布,用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处,气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置本发明可以有效的防止预反应反应尾气造成的沉积、堵塞,提高HVPE系统的持续生长时间,获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
  • 一种立式氢化物外延生长系统
  • [实用新型]一种用于热解的微波炉装置-CN201520779600.2有效
  • 余昭胜;方诗雯;廖艳芬;马晓茜;胡善超;林有胜;林延 - 华南理工大学
  • 2015-10-09 - 2016-03-02 - H05B6/80
  • 本实用新型公开了一种用于热解的微波炉装置,包括微波的炉体和设置在炉体之外的反应腔体反应腔体顶部设有一封闭端盖,反应腔体的周壁分布有四个侧面进气口,反应腔体的底部设有四个底部进气口,反应腔体的周壁设有电热装置;反应腔体通过活动连杆支架与炉体连接。根据待热解物料的需要,选取侧面进气口或者底部进气口个数,打开停止键和启动键,对机体完成上述操作之后,再设置温度上下限,功率大小,并根据需要设定反应时间,设定之后,打开电热键用于保温反应腔体,待热电偶实测温度达到
  • 一种用于微波炉装置
  • [发明专利]一种快速连续进行碳纳米管表面功能化的方法及装置-CN201910457759.5有效
  • 耿磊;李岩;刘滨;吕振华;鞠坤 - 山东斯恩特纳米材料有限公司
  • 2019-05-29 - 2021-08-24 - B01J19/00
  • 本发明涉及碳纳米管表面处理改性的技术领域,具体为一种通过采用厚壁反应器进行快速连续进行碳纳米管表面功能化的装置及方法,即为一种快速连续进行碳纳米管表面功能化的装置及方法。本发明采用多个微单元进行快速改性反应,物料混合均匀,反应时间极短,碳管表面接枝均匀性好,可实现连续批量制备。将反应配体经过反应配体预热器预热后由配体单向阀同时与碳纳米管粉体引入高温反应腔体内,此时快速通过往复式柱塞对反应腔体进行密闭压缩,使反应腔体内的碳纳米管与配体进行高温高压瞬间反应;在该往复式柱塞在反应腔体内往复运动,实现对反应腔体进行密闭压缩,使反应腔体内的碳纳米管与配体进行高温高压瞬间反应
  • 一种快速连续进行纳米表面功能方法装置
  • [发明专利]一种MOCVD设备反应腔体-CN201710203985.1在审
  • 李致文;张勇 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
  • 2017-03-30 - 2017-07-07 - C23C16/18
  • 本发明公开了一种MOCVD设备反应腔体,包括腔体壁,其形成反应腔;腔体盖,其设置在反应腔的顶端开口处;载片盘,其设置在反应腔的底部;喷淋头,其设置在反应腔的顶部,喷淋头上设置有供不同气体进入反应腔的多种进气区域,每种进气区域上设置有喷淋口,喷淋口的出气端口与反应腔连通,喷淋口与所述载片盘垂直;多种进气管道,分别与对应的进气区域连通,进气管道的出气口穿过腔体盖与所述喷淋口的进气端口连通,进气管道的进气口位于所述腔体盖外该MOCVD设备反应腔体使不同的气体经各自的进气管道进入,再通过与各自对应的进气区域上的喷淋口进入反应腔,使得反应腔内的气体分布均匀,进而使得进气时反应腔内的气场分布均匀。
  • 一种mocvd设备反应
  • [发明专利]一种双层反应腔体结构-CN202011281050.3在审
  • 林佳继;庞爱锁;刘群;张武 - 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
  • 2020-11-16 - 2021-02-19 - H01J37/32
  • 本发明涉及半导体和太阳能光伏电池技术领域,具体涉及一种双层反应腔体结构,旨在解决现有技术中反应腔使用寿命受限形成的问题,其技术要点在于:包括内层腔体及外层腔体,所述内层腔体与所述外层腔体同轴设置,并且长度相等,所述内层腔体位于所述外层腔体内侧,所述外层腔体长度方向两端分别设置有炉口法兰及炉尾法兰,用于固定所述内层腔体及外层腔体。通过内外两层腔体的设置,使得外层腔体用于抽真空承受压力,所述内层腔体用于承接薄膜生长,不承受真空压力,使用过程中,外层腔体无镀膜层的影响,内层腔体不承受真空压力,可以有效地提升双层反应腔体的使用寿命。
  • 一种双层反应结构
  • [发明专利]反应腔体以及干法刻蚀机台-CN201610479534.6有效
  • 程志浩 - 昆山国显光电有限公司
  • 2016-06-27 - 2020-02-18 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种反应腔体,包括:顶板、隔离板、多个顶起部件以及驱动装置,所述顶板的一面上设置有多个孔洞,所述多个顶起部件分别设置于多个所述孔洞内,所述隔离板位于所述顶板的一面,驱动装置连接所述顶起部件。在本发明的反应腔体中,当需要将所述隔离板从所述顶板上取下时,所述驱动装置控制所述顶起部件顶起,所述顶起部件的一端从所述顶板的一面顶出所述孔洞,所述顶起部件顶起所述隔离板,从而将所述隔离板从所述顶板上顶起
  • 反应以及刻蚀机台
  • [实用新型]一种反应腔体定位夹具-CN202122955364.3有效
  • 方明喜;肖学才 - 爱利彼半导体设备(中国)有限公司
  • 2021-11-29 - 2022-04-19 - H01L21/687
  • 本实用新型提供一种反应腔体定位夹具,包括操作台和夹持机构,所述操作台的下方固定安装有固定脚,所述固定脚的数量为四,所述夹持机构设置于操作台上方靠近四角的位置,所述操作台的上方设置有定位机构,所述定位机构的上方设置有反应腔体本实用新型,通过设置夹持机构,当需要夹持反应腔体时,由于夹持环可以拆卸,选择适配的夹持环套设在反应腔体的外壁,然后将插接块插接在连接杆的内部,通过转动轴在转动底盘内的转动,完成对反应腔体的夹持,目前大多数设备都是采用机械手进行夹持
  • 一种反应定位夹具
  • [发明专利]镀膜设备和应用-CN202080001813.6在审
  • 宗坚 - 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
  • 2020-06-09 - 2022-02-18 - C23C16/455
  • 本发明提供了一镀膜设备和应用,以供在待镀膜工件的表面镀膜,所述镀膜设备包括一电极装置和一反应腔体,其中所述反应腔体具有一反应腔、连通所述反应腔的至少一进料口和至少一抽气口,其中所述进料口位于所述反应腔体的靠近中间位置,其中所述抽气口位于所述反应腔体的侧面位置,其中所述电极装置在所述反应腔内放电,以供在该待镀膜工件的表面镀膜。
  • 镀膜设备应用

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