专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]氮气动力反应-CN201120093217.3有效
  • 王国柱;郭增民;郭志强;熊超;张帆;张超 - 西安长庆科技工程有限责任公司
  • 2011-04-01 - 2011-12-14 - C02F1/52
  • 本实用新型涉及油田采出水处理领域,是氮气动力反应器,其特征是:它包括反应腔体、氮气管线和隔板;反应腔体内部中间固定连接有隔板,隔板将反应腔体分为前腔体和后腔体,并使前腔体和后腔体上端相通、下端隔开;前腔体前端面中间有采出水进水口,后腔体后端面中间有采出水出水口,隔板高于采出水进水口和采出水出水口;前腔体前端左侧面有氮气进气口,前腔体上端面右侧有氮气放气口,氮气进气口和氮气放气口通过氮气管线连通。该氮气动力反应器无需电力损耗,利用气体搅拌,并采用推流式反应在实际应用中起到了良好的效果。
  • 氮气动力反应器
  • [实用新型]改善薄氧化层均一性的炉管装置-CN03270634.0无效
  • 陈步芳;吕超波;庄熙升;陈怡仁;陈进财;塚田和德 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2003-08-12 - 2004-12-15 - C30B31/06
  • 一种改善薄氧化层均一性的炉管装置,包括:反应腔体,提供氧化反应的空间,以形成薄氧化层于半导体硅晶圆上;第一导管,连接该反应腔体,以提供水气或反应气体进入该反应腔体;第一氮气导管,连接该第一导管以供应一吹净用氮气(purge N2)进入该反应腔体;旁通导管,连接该第一氮气导管与该排放导管,以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体的旁绕(bypass)路径;第二导管,连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点,以提供水气或反应气体进入该反应腔体;第二氮气导管,连接该第二导管以提供一吹净用氮气(purgeN2),并可配合该旁通导管作用而产生一回拉(pullback)效应,以去除上述管线内的残留物;以及一排放导管,连接该反应腔体侧底,以排出该反应腔体内的气体。
  • 改善氧化均一炉管装置
  • [发明专利]改善通孔刻蚀残留的方法-CN202010884276.6有效
  • 黄达斐;吴晓彤 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-28 - 2023-02-03 - H01J37/32
  • 本发明提供了一种改善通孔刻蚀残留的方法,在金属硬质掩模一体化刻蚀之后,包括:对刻蚀腔体的侧壁进行轰击,以使所述刻蚀腔体内的金属副产物及非金属副产物游离;向所述刻蚀腔体内通入第一反应气体,所述第一反应气体与所述金属副产物反应后生成第一反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上;对所述刻蚀腔体的侧壁再次进行轰击,以使所述刻蚀腔体内的所述非金属副产物游离;向所述刻蚀腔体内通入第二反应气体,所述第二反应气体与所述非金属副产物反应后生成第二反应物附着在所述刻蚀腔体的侧壁上;对所述第一反应物及所述第二反应物的表面进行处理,以修复所述刻蚀腔体的内环境。
  • 改善刻蚀残留方法
  • [发明专利]一种微反应结构及微通道反应-CN202110524424.8在审
  • 胡林强;周家焱;刘斌;夏雨;郭鹏 - 爱斯特(成都)生物制药股份有限公司
  • 2021-05-13 - 2022-03-25 - B01J19/00
  • 本发明属于化学反应装置技术领域,尤其涉及一种微反应结构及微通道反应器,所述微反应结构包括微反应通道,所述微反应通道的前端连通两个进料口,所述微反应通道的末端连通出料口,所述微反应通道的两个所述进料口与所述出料口之间连通至少一个变径腔体,所述变径腔体的两端分别为进口端和出口端,所述变径腔体两端连通微通道,所述变径腔体内设有导流件。本发明中的微反应结构采用椭圆形腔体结构,在变径腔体内设置导流件,将流体分离成两部分,流体沿变径腔体的侧壁和导流件流动,到变径腔体的出口端重新混合,使得物料混合均匀,进而增强混合效果,从而大大提高了反应效率
  • 一种反应结构通道反应器
  • [发明专利]镀膜装置-CN200910304772.3无效
  • 裴绍凯 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2009-07-24 - 2011-02-02 - C23C14/56
  • 该镀膜装置包括一个主腔体及一个反应装置。待镀膜基板与反应装置相对设置并收容于主腔体内。反应装置包括一个承载板、一个反应部、一个准直管及一个盖体。承载板用于承载一个靶材。承载板与盖体分别设置在反应部的相对两端以封闭反应部。准直管位于反应部内且将反应部分成一个第一腔体及一个第二腔体。靶材位于第一腔体内。盖体上开设多个与第二腔体相连通的通孔。该镀膜装置通过在主腔体内设置反应装置并在反应装置的第一腔体及第二腔体内分别生成PVD及CVD镀膜的膜料,无需将待镀膜基板移出主腔体,操作简单,而且由于准直管的设置使PVD镀膜时的靶原子较均匀,从而使镀膜效果较好
  • 镀膜装置
  • [实用新型]一种可切换双腔体反应-CN201420858571.4有效
  • 顾晓冬 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2014-12-25 - 2015-04-08 - H01J37/32
  • 本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域,提供了一种可切换双腔体反应腔,包括双腔体反应腔,反应腔内设有控制单元以及可移动的隔板,控制单元用于控制隔板的移动,以使隔板将反应腔分割成第一反应腔以及第二反应腔;反应腔的一端连接气体输送系统以及气体控制阀;反应腔的另一端连接真空抽气系统以及真空控制阀。本实用新型通过在双腔体反应腔中设置可移动的隔板,使反应腔分成两个单腔体,两个单腔体的一端分别连接气体输送系统从而分别对单腔体输送气体,两个单腔体的另一端分别连接真空抽气系统从而分别使单腔体排空气体,本实用新型可灵活切换单腔体和双腔体
  • 一种切换双腔体反应
  • [实用新型]一种带有衬套的真空等离子反应腔体结构-CN202222482777.9有效
  • 彭帆;漆宏俊 - 上海稷以科技有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-01-03 - H01J37/32
  • 本实用新型公开了一种带有衬套的真空等离子反应腔体结构,包括反应腔体反应腔体上侧设有等离子源,反应腔体下部设有载片平台,等离子源与载片平台之间的区域为等离子体有效反应区域,等离子体有效反应区域及载片平台外围设有一衬套,衬套与反应腔体内部存有间隔空间,衬套下部侧壁向内倾斜或向内凹陷,衬套下部侧壁设有通孔。本实用新型通过设计真空腔体腔体衬套,提高了等离子体有效反应区域占腔体容积的比例,进而提升了同等条件下的工艺速率;改善了等离子体在腔体内的流向,以至于能够更加均匀的分布在等离子体有效区域中;由于加入了腔体衬套,隔绝了等离子体对腔体内壁的轰击,大大延长了腔体内壁的维护周期,降低了晶圆制造中的成本。
  • 一种带有衬套真空等离子反应结构
  • [实用新型]一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体-CN202020281180.6有效
  • 不公告发明人 - 江苏迈纳德微纳技术有限公司
  • 2020-03-09 - 2020-10-23 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及原子层沉积反应设备技术领域,且公开了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,包括腔体底座和腔体盖,所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层,所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板,所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧,所述腔体底座的内侧壁安装有中央加热盘,腔体底座的底部安装有与中央加热盘相连通的法兰焊接头。该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过电容耦合,激发反应气体活化,使反应气体具有更好的反应活性,从而提高原子层沉积过程中的反应效率,降低沉积温度,提高薄膜的沉积质量有效的增加了设备水平压力稳定性,外腔体筒的内侧台阶式设计,有效的降低放电离子撞击设备腔体内侧壁。
  • 一种电容耦合等离子体原子沉积反应

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