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[发明专利]一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法-CN202111669411.6在审
发明人：郑枝源;蒋中原;李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法。一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法包括以下步骤：离子束刻蚀晶圆工艺结束后，采用反应离子束在预定的离子能量、离子束流和气体存在下刻蚀离子束刻蚀腔后抽真空。本发明采用反应离子束刻蚀离子束刻蚀腔，可以减少离子束刻蚀腔室内的颗粒数量，改善离子束刻蚀腔室内环境，提高离子束刻蚀稳定性和产品良率。
一种离子束刻蚀颗粒去除方法

[发明专利]PZT图形化方法-CN201910680688.5在审
发明人：蒋中原;许开东;车东晨;谷志强;韩大建;冯英雄;刘鹏;刘建;吴志浩 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先在离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔内通过离子束(或反应离子等离子体)对晶圆上的PZT进行部分刻蚀，然后将晶圆从离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔传输至反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔，在反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔内通过反应离子等离子体(或离子束)对晶圆上的PZT进行二次刻蚀；上述过程中，晶圆始终处于真空中；重复上述过程，直至PZT刻蚀完全。本发明结合了离子束刻蚀和反应离子等离子体刻蚀，消除了单一刻蚀法带来的侧壁沉积和损伤，提高了刻蚀速率。
反应离子等离子体离子束刻蚀腔晶圆刻蚀图形化等离子体刻蚀离子束刻蚀二次刻蚀侧壁沉积损伤传输重复

[发明专利]核聚变装置及方法-CN202180030630.1在审
发明人：叶夫根尼·齐佩 -专利权人：叶夫根尼·齐佩
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：一种聚变反应器具有维持深真空的真空室。第一离子束及第二离子束在活性空间内依次沿着第一路径及第二路径定向。在每一个别离子束的每一路径内的点，每一离子束具有每一离子束内的离子的基本均匀能量及具有每一离子束内的离子的基本均匀速度矢量。所述第一离子束及所述第二离子束在所述活性空间中的反应区内实质相互正面碰撞，而所述第一离子束的离子的能量与所述第二离子束的离子的能量的比等于各自的离子质量的反比。所述第一离子束及所述第二离子束的散射离子的能量被回收，而且冷离子从所述活性空间排空。
聚变装置方法

[发明专利]一种气态靶中子源-CN201710078364.5有效
发明人：吴宜灿 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本申请公开一种气态靶中子源，包括：离子注入系统、差分真空系统和气态靶，所述离子注入系统用于产生单束或多束平行离子束流，所述单束或多束平行离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，所述差分真空系统用于将所述离子束流传输至所述气态靶；所述气态靶中包括反应气体，所述反应气体与所述离子束流发生聚变反应，产生中子，由于本申请中所述离子注入系统能够产生单束或多束平行离子束流，每束所述离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，使得所述单束离子束流包络小于差分真空系统中各个管道或法兰内径，避免束流轰击管壁造成能量损失，从而提高了到达气态靶的离子束流的流强，进而能够提高中子源的源强。
离子束流真空系统束流离子注入系统平行离子中子源包络反应气体聚变反应能量损失法兰管壁源强轰击申请传输

[发明专利]离子注入装置、离子束被照射体及离子注入方法-CN201810529973.2有效
发明人：松下浩 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。
离子注入装置离子束照射方法

[发明专利]离子注入机台的监控方法-CN202010116388.7有效
发明人：范世炜;姚雷;张凌越;国子明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入机台的监控方法，所述离子注入机台的监控方法包括，提供一反应腔，所述反应腔内具有离子源；通过所述离子源形成离子束，所述离子束具有多个离子；对多个所述离子进行检测，以得到多个所述离子的原子质量和电流；通过多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格。即通过对所述离子束的多个所述离子进行检测，得到多个所述离子的原子质量和电流，由此，根据多个所述离子的所述原子质量和所述电流确定所述离子束是否合格，进而确定所述离子注入机的稳定性，进一步的，由于确定了所述离子束是否合格，从而可以避免异常的所述离子束对产品造成的损伤。
离子注入机台监控方法

[发明专利]一种表征射频离子源离子束特性的测量方法-CN202010672938.3在审
发明人：王大森;李晓静;聂凤明;裴宁;郭海林;张旭;夏超翔 -专利权人：中国兵器科学研究院宁波分院
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束；S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值，利用MetroPro软件分析计算束斑直径；S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b，并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。本发明能够直观反应离子束形态、束径大小以及束斑形状，便于准确分析离子束特性，对后期工艺实验提供了指导依据。
一种表征射频离子源离子束特性测量方法

[发明专利]利用气体处理及脉冲化的离子束蚀刻-CN202080012108.6在审
发明人：尹石敏;万志民;黄朔罡;李惟一;高里·钱纳·卡玛蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：位于衬底上的磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠件的一或更多层通过离子束蚀刻而进行蚀刻。惰性气体的离子束产生在离子束源室中并连续地或以脉冲的方式施加至衬底。在不穿过离子束源室的情况下，反应性气体直接流入衬底所在的处理室内，其中反应性气体被脉冲化或连续地提供至处理室内。反应性气体可以包括具有羟基的含碳气体，其朝向衬底流动以限制来自离子束蚀刻的溅射原子再沉积于衬底的暴露表面上。
利用气体处理脉冲离子束蚀刻

[发明专利]一种基于离子漏斗的质子转移离子源装置-CN201110183738.2无效
发明人：陈应;程平;董俊国;高伟;黄正旭;傅忠;周振 -专利权人：上海大学;昆山禾信质谱技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子漏斗的质子转移离子源装置，包括一质子转移反应漂移区，所述质子转移反应漂移区的前端设有质子供体引入通道和载气引入通道，后端设有载气引出通道，所述质子转移反应漂移区连接有一调节质子反应后离子束的离子漏斗，所述离子漏斗的后端为一离子束引出通道。本发明通过在质子转移反应区之后设有一离子漏斗，导入的质子供体与伴随载气加入的样品分子在质子反应区反应完后，离子漏斗对离子束进行调节，使离子束在漏斗形状的极片环间电场中进行聚焦，便于离子束的传输，从而提高了质子转移离子源的离子化效率，减少了离子源对质谱分析器的污染。本发明可应用于离子传输领域。
一种基于离子漏斗质子转移离子源装置

[实用新型]一种基于离子漏斗的质子转移离子源装置-CN201120230466.2有效
发明人：陈应;程平;董俊国;高伟;黄正旭;傅忠;周振 -专利权人：上海大学;昆山禾信质谱技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于离子漏斗的质子转移离子源装置，包括一质子转移反应漂移区，所述质子转移反应漂移区的前端设有质子供体引入通道和载气引入通道，后端设有载气引出通道，所述质子转移反应漂移区连接有一调节质子反应后离子束的离子漏斗，所述离子漏斗的后端为一离子束引出通道。本实用新型通过在质子转移反应区之后设有一离子漏斗，导入的质子供体与伴随载气加入的样品分子在质子反应区反应完后，离子漏斗对离子束进行调节，使离子束在漏斗形状的极片环间电场中进行聚焦，便于离子束的传输，从而提高了质子转移离子源的离子化效率，减少了离子源对质谱分析器的污染。本实用新型可应用于离子传输领域。
一种基于离子漏斗质子转移离子源装置

[发明专利]离子源系统和离子束流系统-CN201310297942.6有效
发明人：洪俊华;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，所述等离子体弯月面在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。本发明通过特有的离子源扩展方式，能够在相匹配的束流传输系统结构下，避开了加大束流强度的瓶颈，从而可成倍地增大离子束在工件上的流强，提高注入离子束的带状分布均匀性，减少带状离子束的束流调整时间和束流强度损耗
离子源系统离子束

[实用新型]一种离子植入机及其离子束测量装置-CN201721614290.4有效
发明人：邸太平;洪纪伦;倪明明;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子植入机及其离子束测量装置，包括反应腔室；晶圆扫描装置；离子植入机离子束测量装置，所述离子植入机离子束测量装置包括设置于晶圆下方固定距离的第一测量模块，所述晶圆在水平面上的投影落在所述第一测量模块测量面内，所述第一测量模块随所述晶圆扫描的过程中经过离子束所在高度；以及离子束源。本实用新型的离子植入机及其离子束测量装置通过一测量模块，对晶圆扫描区域内的离子束进行直接测量，可大大提高检测的准确性，同时增加离子束取样频率，更好的监测机台状况，利于机台工艺稳定性。
离子束测量离子植入机晶圆第一测量离子束本实用新型机台工艺稳定性测量模块反应腔室固定距离机台状况离子束源取样频率扫描区域扫描装置直接测量测量面投影扫描监测检测

[发明专利]一种基于多级杆的质子转移离子源装置-CN201110183757.5无效
发明人：程平;陈应;董俊国;高伟;傅忠;周振 -专利权人：昆山禾信质谱技术有限公司;上海大学
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多级杆的质子转移离子源装置，包括一真空腔，所述真空腔的前端设有质子供体引入通道和供样品分子、载气引入的载气引入通道，后端设有载气引出通道和离子束引出通道，所述真空腔内设有漂移管，所述真空腔内在漂移管之后还设有多极杆本发明通过在质子转移反应区之后设有一多极杆，导入的质子供体与伴随载气加入的待测分子在质子反应区反应完后，由高压射频电源驱动多极杆对离子束进行调节，使离子束变小，便于离子束的传输；本发明装置改善了对离子束的提纯效果，减少了离子束中的中性分子，提高了质子转移离子源的离子化效率，减轻了离子源对质谱分析器的污染。本发明可应用于离子传输领域。
一种基于多级质子转移离子源装置

[实用新型]一种基于多级杆的质子转移离子源装置-CN201120230450.1有效
发明人：程平;陈应;董俊国;高伟;傅忠;周振 -专利权人：昆山禾信质谱技术有限公司;上海大学
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于多级杆的质子转移离子源装置，包括一真空腔，所述真空腔的前端设有质子供体引入通道和供样品分子、载气引入的载气引入通道，后端设有载气引出通道和离子束引出通道，所述真空腔内设有漂移管，本实用新型通过在质子转移反应区之后设有一多极杆，导入的质子供体与伴随载气加入的待测分子在质子反应区反应完后，由高压射频电源驱动多极杆对离子束进行调节，使离子束变小，便于离子束的传输；本装置改善了对离子束的提纯效果，减少了离子束中的中性分子，提高了质子转移离子源的离子化效率，减轻了离子源对质谱分析器的污染。可应用于离子传输领域。
一种基于多级质子转移离子源装置

[发明专利]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法-CN200810023121.2有效
发明人：刘全;吴建宏;杨卫鹏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便
一种全息离子束刻蚀制备光栅方法

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