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[发明专利]引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法-CN201710357723.0有效
发明人：张跃;司浩楠;康卓;廖庆亮;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及光伏材料领域，提供了一种引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法，在制备过程中引入非溶质基溴化物添加剂；添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中；混合卤素钙钛矿材料结构式为ABX钙钛矿制备工艺中引入新型非溶质基溴化物添加剂。非溶质基溴化物的引入不仅将Br元素掺杂到钙钛矿薄膜，而且未改变原钙钛矿溶液中溶质阳离子的化学计量比，为制备混合钙钛矿薄膜提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿薄膜的稳定性，具有良好的应用前景。
引入溶质溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿方法

[发明专利]一种全氟羧酸铯盐制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜及发光器件的方法-CN202211241626.2有效
发明人：佟宇;祁衡;王昊;张友谦;王昆;王洪强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种全氟羧酸铯盐制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜及发光器件的方法，即通过合成一种全氟羧酸铯盐‑五氟丙酸铯（CsPFPA）添加到钙钛矿前驱体中，并采用反溶剂处理，原位制备蓝光钙钛矿薄膜，获得致密连续且高发光效率的钙钛矿薄膜；并基于此构筑蓝光钙钛矿发光器件，拓展其在光电、半导体材料领域的应用。本发明获得了3维限域的量子限域极小晶粒蓝光发射钙钛矿，可以实现从天蓝（495 nm）到纯蓝色（473 nm）的光谱连续调控，为制备光谱可调蓝光钙钛矿薄膜提供了新思路。本发明所得蓝光钙钛矿薄膜光致发光量子产率高，在495 nm天蓝色实现了67%的光致发光量子产率（PLQY），有望成为下一代高效率蓝光发光的候选材料。
一种羧酸制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜发光器件方法

[发明专利]金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法-CN202010515510.8在审
发明人：骆群;伊凡;张连萍;马昌期 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜、太阳能电池及制备方法。所述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜包括钙钛矿材料，以及与所述钙钛矿材料复合的基于化学修饰的金属氧化物材料，所述基于化学修饰的金属氧化物材料是金属氧化物纳米颗粒经由硅烷偶联剂、具有酰氯基团的化合物两步化学修饰而获得所述钙钛矿太阳能电池包括沿设定方向依次设置的底电极、空穴传输层、金属氧化物掺杂钙钛矿层、富勒烯电子传输层及顶电极，所述金属氧化物掺杂钙钛矿层包括前述金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜。本发明提供的金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜，热稳定性更高，能够提供稳定性更高的钙钛矿太阳能电池。
金属氧化物掺杂型钙钛矿薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]一种新型全无机接触的钙钛矿太阳能电池-CN201810582271.0在审
发明人：徐敬超;张文君;石磊 -专利权人：杭州众能光电科技有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型全无机接触的钙钛矿太阳能电池，该钙钛矿太阳能电池包括透明导电基板、空穴抽取层、钙钛矿吸光层、n‑型钙钛矿半导体氧化物和金属电极。本发明采用气相沉积法制备n‑型钙钛矿半导体氧化物作为钙钛矿太阳能电池中的电子抽取层，既能使其与有机‑无机杂化的钙钛矿吸光层实现更好的晶格匹配，改善界面光生电子的抽取和传输，又能有效地阻挡水分与钙钛矿的接触，提高了器件的寿命，使钙钛矿电池产业化更进一步。
钙钛矿太阳能电池半导体氧化物抽取吸光层透明导电基板空穴光生电子金属电极晶格匹配气相沉积无机杂化产业化有效地电池阻挡传输

[发明专利]一种钙钛矿墨水、钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池-CN202310994356.0在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;易海芒;请求不公布姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种钙钛矿墨水、钙钛矿电池的制备方法及钙钛矿电池，钙钛矿墨水包括碘化铅、碘化铯、碘甲脒和复合型离子溶液；其中，复合型离子溶液包括乙酸甲铵和离子化合物。本申请通过将钙钛矿墨水作为制备钙钛矿电池的前驱体溶液，钙钛矿墨水中的乙酸甲铵作为清洁溶剂，不仅能减轻对操作人员身体所造成的损害，减少制备过程中所造成的污染；而且，将乙酸甲铵与离子化合物混合得到复合型离子溶液，可显著提高铯阳离子的溶解度，制备钙钛矿电池的前驱体溶液中的铯阳离子的浓度能达到20%以上。铯阳离子浓度的增加可提高钙钛矿电池的稳定性，进一步提高钙钛矿电池的效率。
一种钙钛矿墨水电池制备方法

[发明专利]一种太阳电池中钙钛矿活性层的制备方法-CN202211188723.X在审
发明人：张晓丹;靳璐;任宁宇;王鹏阳;李仁杰;陈兵兵;李玉成;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳电池中钙钛矿活性层的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明通过在一次反溶剂制备钙钛矿薄膜的过程中引入二次反溶剂，并向二次反溶剂中引入具有钝化钙钛矿效果的钝化材料MAI(甲胺碘)，可以预补偿后退火过程有机盐挥发带来的I空位缺陷，然后采用传统表面钝化方法进行钝化处理该方法不仅可以实现钙钛矿活性层的表面钝化效果，还能改善结晶动力学，提升结晶质量。
一种太阳电池中钙钛矿活性制备方法

[发明专利]利于高钛型高炉渣中钛富集的添加剂以及方法-CN201810361424.9在审
发明人：蒲年文;荆七一;李中江;冯少强 -专利权人：四川省川威集团有限公司;四川星明能源环保科技有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及冶金技术领域，具体而言，涉及一种利于高钛型高炉渣中钛富集的添加剂以及方法。利于高钛型高炉渣中钛富集的添加剂由促进钙钛矿析出的含钙析出剂和促进钙钛矿富集的铝化合物促进剂按照质量比为0.5‑3:1的比例制成。该添加剂成本低廉，能有效增加钙钛矿的粒径，有效促进高钛型高炉渣中钛组分富集到钙钛矿相，并有利于钙钛矿的析出。
钙钛矿高炉渣富集高钛添加剂析出冶金技术领域添加剂成本钙钛矿相铝化合物有效促进组分富集促进剂析出剂质量比粒径

[发明专利]一种制备卤化铅钙钛矿薄膜的方法及其应用-CN201810879077.9在审
发明人：姜辛;王立鹏;邱建航;王高翔;李长记;邰凯平;刘鲁生 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于薄膜材料的制备领域，具体涉及一种制备卤化铅钙钛矿薄膜的方法及其应用。该方法的主要步骤为：将钙钛矿前驱溶液滴加在高速旋转的基板上，一定时间后，滴加反极性溶剂冲洗基板表面，待膜干燥后进行退火处理，即可制备高质量钙钛矿薄膜。本发明制备的卤化铅钙钛矿薄膜纯度高、表面平整、结晶性高、并具有优异的光电转换性能。与传统旋涂法相比，这种工艺制备的卤化铅钙钛矿薄膜表面平整、结晶性高，可节约80％的前驱溶液，大幅度降低卤化铅钙钛矿薄膜的制备成本，在钙钛矿太阳能电池、发光二极管、光电探测器、气敏元件和激光器中得到广泛应用
卤化制备铅钙钛矿薄膜前驱溶液钙钛矿结晶性滴加应用光电转换性能发光二极管钙钛矿薄膜光电探测器太阳能电池薄膜表面薄膜材料表面平整工艺制备基板表面气敏元件溶剂冲洗退火处理激光器反极性膜干燥旋涂法基板平整节约

[发明专利]一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件-CN202210948439.1在审
发明人：李卫东;刘庆伏;伏林;赵东明;赵政晶 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种外电场辅助制备钙钛矿薄膜的方法和光电器件，方法包括以下步骤：将钙钛矿活性层的前驱体溶液采用液相成膜法在透明电极‑电荷传输层基底上形成液态膜；将所述液态膜直接退火；或进行反溶剂法成膜后退火；或真空闪蒸成膜后退火，得到钙钛矿薄膜；在退火过程中外加电场诱导结晶，所述外加电场的电压3V；所述外加电场的方向垂直于薄膜平面。本发明通过外加电池辅助钙钛矿结晶，提高了钙钛矿材料的晶粒尺寸，结晶度提高；相较于未加外电场，退火温度可适当降低。本发明提供的方法制备的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿电池的光电转换效果得到优化，器件稳定性增强。
一种外电辅助制备钙钛矿薄膜方法光电器件

[发明专利]一种大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法及X射线探测器-CN202210129896.8在审
发明人：陈召来;李宁 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积钙钛矿微晶薄膜的制备方法及X射线探测器。所述方法为：1)首先采用刮涂法将多晶钙钛矿前驱体溶液涂覆在空穴传输材料修饰的导电基底上，退火处理得到纳米厚度的大面积钙钛矿多晶薄膜；2)结合反温度结晶法，将步骤1)得到的钙钛矿多晶薄膜作为生长模板引入到钙钛矿饱和生长溶液中诱导大面积微晶薄膜的生长能够克服传统体块钙钛矿单晶纵向厚度过大、横向尺寸受限，以及多晶钙钛矿薄膜晶粒尺寸小、缺陷密度大等问题，显著提升了器件对X射线探测的灵敏度。
一种大面积钙钛矿微晶薄膜制备方法射线探测器

[发明专利]一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202310009528.4在审
发明人：潘江涌;毛磊;汪丽茜;王柄淇;黄昱凌;林从远;赵学亮 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能
一种离子钝化非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种钝化晶粒边界缺陷的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211418017.X在审
发明人：段诚意;张晓飞;戴俊 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化晶粒边界缺陷的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述电池依次由导电基底层、空穴传输层、聚氧化乙烯钝化的钙钛矿吸光层、电子传输层、缓冲层和银电极组成；制备方法包括：(1)选取ITO作为导电基底，在基底上制备空穴传输层；(2)旋涂钙钛矿前驱体溶液，旋涂过程中采用聚氧化乙烯的氯苯溶液作为反溶剂处理钙钛矿湿膜，然后再退火处理，形成聚氧化乙烯钝化的钙钛矿吸光层；(3)依次制备电子传输层、缓冲层，最后蒸镀银电极；该电池通过PEO处理钙钛矿湿膜，减少了钙钛矿薄膜晶粒边界缺陷的形成，提高了电荷传输效率，抑制了非辐射复合，使得器件的开路电压、短路电流和填充因子均有提升，电池的稳定性进一步提高。
一种钝化晶粒边界缺陷钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法以及该薄膜在光电器件中的应用-CN201810302137.0有效
发明人：乔娟;王瑞;马福生 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种稳定的钙钛矿薄膜及其制备方法以及其在光电器件中的应用。该钙钛矿薄膜通过在一步法旋涂制备过程中滴加含有共轭π体系有机小分子的反溶剂，退火后形成有机小分子与钙钛矿的混合层，共轭π体系的有机小分子与钙钛矿中的阳离子通过超分子阳离子‑π相互作用，可以使得钙钛矿薄膜缺陷大大降低此外，本发明还提供了利用所述的钙钛矿薄膜的制备方法来制备相应的光电器件，比如钙钛矿电池、发光二极管、光电探测器等等。相较于无添加共轭π有机小分子的标准器件而言，所得到的光电器件的性能与稳定性均有提高。
一种钙钛矿薄膜及其制备方法以及光电器件中的应用

[发明专利]一种利用化学交联剂进行钙钛矿薄膜应力调控的方法与钙钛矿太阳能电池-CN202110487458.4有效
发明人：李刚;张恒恺 -专利权人：香港理工大学深圳研究院
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用化学交联剂进行钙钛矿薄膜应力调控的方法与钙钛矿太阳能电池。方法包括步骤：提供钙钛矿溶液；将所述钙钛矿溶液涂覆于基板上，接着加入含有化学交联剂的反溶剂；进行退火处理，得到钙钛矿薄膜。该方法可以使高质量的钙钛矿膜同时显示多种功能，包括应变调节，斥湿，降低陷阱密度，抑制陷阱辅助非辐射复合以及增大晶粒尺寸，从而使VOC和PCE显著提高，经CSRCCSRC的方法为PSCs的稳定性和效率提供了协同增效的作用，有广阔的钙钛矿电池工业应用前景，并为未来的PSCs研究及应用提供坚实基础。
一种利用化学交联剂进行钙钛矿薄膜应力调控方法太阳能电池

[发明专利]反钙钛矿固态电解质材料及其制备方法、固态电解质片、全固态电池-CN202110273583.5有效
发明人：邓志;倪地兴;李帅;赵予生 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本申请提供一种反钙钛矿固态电解质材料及其制备方法、固态电解质片、全固态电池，属于全固态锂离子电池技术领域。该反钙钛矿固态电解质材料的制备方法，包括：将立方相的反钙钛矿材料Li3AB置于反应器中，在温度为200‑350℃的条件下保温10min及以上得到熔融产物，然后将熔融产物进行快速冷却在较低的温度下进行热处理，且与快速冷却的方式进行配合，可以得到具有层状相和立方相结构的两相反钙钛矿固态电解质材料，可以使电解质的离子电导率更高。
反钙钛矿固态电解质材料及其制备方法电池