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[实用新型]一种多路隔离的数据采集装置-CN200720121934.6有效
发明人：王其志;林志杰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：包括用于对采集的数据进行处理的处理器、用于将采集的原始电信号转换为处理器可读信号的信号转换器、多路选择开关以及用于为各部分提供电源的供电电源，信号转换器包括至少两路采集信号转换电路，每路采集信号转换电路包括采集信号输入端、转换单元和单向导通器件，采集信号输入端耦合到转换单元的输入端，转换单元的输出端耦合到多路选择开关的一输入端，转换单元的接地端通过单向导通器件连接到共用输入地。由于单向导通器件的单向导通性能抑制反向电流，避免了各转换单元共地时因通道之间存在电势差而形成电流回路，从而达到各信号通路之间的耐高压隔离效果。
一种隔离数据采集装置

[发明专利]用于五自由度磁悬浮轴承的电力电子控制器及控制方法-CN202211565284.X在审
发明人：刘自程;周鸣曲;蒋栋;丁建夫;胡烽;李闻一 -专利权人：华中科技大学;湖北舜一技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：包括：八个可控开关和八个单向导通器件，根据单向导通器件及可控开关与电源的连接方式，将八个桥臂分为四个正向桥臂和四个反向桥臂，两个正向桥臂和两个反向桥臂作为一组桥臂，每组桥臂中，两个正向桥臂和两个反向桥臂与五个绕组对应连接，通过将每组桥臂的第五绕组连接在前四个绕组中的每两个绕组之间，通过改变各可控开关的导通时间控制各绕组的电流，仅用8个桥臂控制10个绕组。
用于自由度磁悬浮轴承电力电子控制器控制方法

[发明专利]一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法-CN201210144459.X有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-04-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽结构肖特基半导体装置，其具有电荷补偿结构，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，提高器件的正向导通或反向阻断特性；本发明还提供了一种具有沟槽结构肖特基半导体装置的制备方法
一种具有沟槽结构肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法-CN201210144440.5有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-04-30 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置，当半导体装置接一定的反向偏压时，第一导电半导体材料与第二导电半导体材料可以形成电荷补偿，可以提高器件的反向击穿电压，或者改善器件的正向导通特性；本发明还提供了一种具有电荷补偿肖特基半导体装置的制造方法
一种具有电荷补偿肖特基半导体装置及其制造方法

[实用新型]易于插入控制的穿刺器-CN201820949219.X有效
发明人：杨润学;俞飞;陆培冲 -专利权人：常州洛克曼医疗器械有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种易于插入控制的穿刺器，包括套管组件和穿插于套管组件的穿刺组件，穿刺组件的穿刺针伸出套管组件的套管外，所述的套管外壁上设有正向螺纹，正向螺纹后至少设有一道反向螺纹，正向螺纹后端与反向螺纹前端之间设有正向导环，反向螺纹后端具有反向挡环，所述的正向导环和反向挡环均为圆台状，其中正向导环的圆锥侧面朝向穿刺方向，反向挡环的圆锥侧面背向穿刺方向。本实用新型将穿刺器套管表面螺纹采用正反向设计，正向螺纹段有利于穿刺顺畅插入，反向螺纹段则可使插入阻力变大，防止了医生使用过程中穿刺深度不易控制而插入过深伤及内部组织。
穿刺反向螺纹套管组件正向螺纹挡环本实用新型插入控制穿刺组件穿刺器圆锥穿刺器套管反向螺纹段正向螺纹段侧面表面螺纹内部组织套管外壁穿刺针圆台状正反向套管穿插伸出医生

[发明专利]一种低压防跳单向导通控制电路-CN201810669069.1在审
发明人：徐伟丽;孟雪玲;王静宁 -专利权人：河南森源电气股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H02H3/00 文献下载
摘要：本发明涉及继电器控制领域，具体涉及一种低压防跳单向导通控制电路。本发明经过故障分析发现，由于在分闸合闸过程中，会产生反向电流；同时由于继电器的粘连造成的时间差会使得防跳回路无法发挥作用。因此，本发明通过在合闸回路中设置单向导通器件，使得在防跳回路接通前，合闸回路中不会产生逆向电流，避免断路器频繁切合。本发明具有实用性、可靠性以及稳定性，结构简单，容易安装。
单向导通控制防跳回路合闸回路防跳电路继电器单向导通器件继电器控制合闸反向电流故障分析逆向电流时间差断路器粘连分闸接通切合发现

[发明专利]一种GaN HEMT功率器件I-V模型的建立方法-CN202210138180.4在审
发明人：刘艳;黄昌洋;程知群;王涛;陈思敏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN HEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaN HEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型
一种 gan hemt 功率器件模型建立方法

[发明专利]一种交流信号的单向导通电路-CN202110785095.2在审
发明人：刘源源;杨欢欢;宋玲玲;曹云珊;严鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体涉及一种交流信号的单向导通电路。本发明包括运算放大器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，第一电阻的一端和运算放大器的同相输入端连接，并作为单向导通电路的第一端口，第一电阻的另一端和运算放大器的输出端连接；第二电阻的一端连接运算放大器的输出端，第二电阻的另一端连接运算放大器的反向输入端；第二电阻与运算放大器反向输入端的连接点接第三电阻的一端，第三电阻的另一端为单向导通电路的第二端口；从单向导通电路的第一端口到第二端口，实现交流信号的单向导通
一种交流信号向导通电

[发明专利]带反向导叶的旁通再循环离心压气机-CN201510926611.3在审
发明人：李书奇;李欣;杨磊;门日秀;庄丽;侯琳琳;马磊;邢卫东;张继忠;张俊跃 -专利权人：中国北方发动机研究所（天津）
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： F04D17/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种带反向导叶的旁通再循环离心压气机，包括压气机蜗壳、扩压器背盘、压气机叶轮、旁通再循环外壁、反向导叶和旁通再循环导叶套筒，所述压气机蜗壳的右侧与扩压器背盘相连，压气机蜗壳的左侧中心安装压气机叶轮；所述反向导叶包括一个圆环体和其外侧面上设置的若干叶片；所述反向导叶固定安装在旁通再循环套筒的内侧；所述旁通再循环套筒、旁通再循环外壁和压气机蜗壳的左侧端部依次连接在一起。本发明具有以下优势：通过对其再循环导流槽内添加回流反向导叶，达到对导流槽顺压梯度流动的控制，实现压气机特性的调节，使堵塞流量提高10％以上，近堵塞附近压比提高15％以上，可获得功率强化和高原特性增压发动机所需压气机性能
向导旁通再循环离心压气

[实用新型]一种高可靠性传动锁体结构-CN202121043828.7有效
发明人：蒋海;王天天;班宝林;岳攀博;黄锦涛 -专利权人：辛柏机械技术（太仓）有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： E05B63/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高可靠性传动锁体结构，包括锁筒，所述锁筒开设有套腔，所述套腔内设有锁座，所述锁筒两侧开设有与所述套腔相通的反向导孔，所述锁座两侧开设有对应于所述反向导孔内侧且与反向导孔在同一轴线上的第一沉孔，所述反向导孔内设有限位块，所述限位块内端设有自反向导孔伸于所述第一沉孔中的第一沉柱，保证锁芯旋转时能够高效的启动锁杆自锁体上伸缩动作，同时在锁筒与锁座之间通过沉槽和沉孔的方式设有限位块和沉柱，通过弹性张紧使限位块向外弹出的方式
一种可靠性传动结构

[实用新型]一种塑胶生产用原料多级筛分装置-CN202222646985.8有效
发明人：杨竹林 -专利权人：苏州飘志华复合材料科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B29B13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种塑胶生产用原料多级筛分装置，包括加工箱、筛分架和分类接收壳，所述加工箱上安装有反向导流板，且加工箱的两侧开设有侧槽，所述反向导流板倾斜固定在加工箱的中部，所述筛分架设置在反向导流板的上端在需要使用的时候可以将待筛分的原料导入到筛分网板上，通过筛分网板进行分类筛分，同时为了让筛分更加有效率，可以启动振动电机来带动筛分架活动，这样虽然可以增加筛分效率，从筛分网板最下端滑落的原料可以掉落到反向导流板上，然后沿着反向导流板可以在回流抽屉中收集起来。
一种塑胶生产原料多级筛分装置

[发明专利]IGBT芯片的控制方法-CN201510231512.3有效
发明人：邓华鲜 -专利权人：邓华鲜
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT芯片的控制方法，包括：当IGBT处于正向导通时，控制开关Ｑ处于关闭状态，PN结J₂处于反向偏置状态，J₁处于正偏状态，由于隔离罩的作用，电场对电极N₂⁺无影响；当IGBT处于反向导通时，控制开关Ｑ处于开启状态，PN结J₁处于反偏状态，PN结J₂处于正偏状态本发明在不影响性能参数的同时基本解决了拖尾（snapback），并有效的将二极管集成在IGBT内部，真正实现了IGBT既有低的导通压降又有良好的开关速度，大大提高了器件的可靠性。
igbt 芯片控制方法

[发明专利]一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法-CN202210973962.X在审
发明人：秦潇峰;石亮;胡玮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备，具体包括提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一外延层，在第一外延层制作得到反向导电区域
一种具有向导特性 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管和对应制造方法-CN200880116904.3有效
发明人： M·拉希摩;J·沃贝基;A·科普塔 -专利权人： ABB技术有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：用于制造反向导通绝缘栅双极晶体管的方法包括下列步骤：在具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一导电类型的晶圆上，第二导电类型的第二层和至少一个第一导电类型的第三层(其被第二层环绕)在第一侧上形成。
向导绝缘双极晶体管对应制造方法

[发明专利]一种产生延时可调共轴多脉冲的FLTD脉冲源-CN202210692826.3在审
发明人：孙凤举;王志国;魏浩;姜晓峰;邱爱慈;降宏瑜 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01F19/08 文献下载
摘要：该产生延时可调共轴多脉冲的FLTD脉冲源包括M个串联的FLTD模块，每个FLTD模块的各放电支路包括气体开关、上脉冲电容器、下脉冲电容器、两个高压硅堆和两个均压装置；本发明采用单向导通反向隔离的放电支路代替常规快放电支路，通过分别依序延时触发FLTD每级单向导通反向隔离支路，解决了支路之间干扰与电气隔离难题。
一种产生延时可调共轴多脉冲 fltd