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[发明专利]一种抗冲击超级结器件及其制备方法-CN202310195393.5在审
发明人： 秦潇峰;石亮;胡玮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗冲击超级结器件及其制备方法，涉及提高超级结器件抗冲击能力布局技术领域，超级结器件包括衬底、第一外延层、第二外延层、耐压层、栅极氧化层、栅极、层间介质、金属通孔、电路链接层、钝化层，其中至少一层耐压层包括第二极性柱状区域、第一极性柱状区域；第二极性柱状区域包括若干第二极性柱，第一极性柱状区域包括若干第一极性柱，相互垂直的第二极性柱交替排列；其制备方法包括如下步骤：A、外延层的制备；B、耐压层的制备；C、正面VDMOS结构的制备；D、电路链接层和钝化层的制备；其中耐压层可以重复多次按照掩膜版上图形进行制作，最终得到有非常好抗冲击能力的超级结器件。
一种冲击超级器件及其制备方法

[发明专利]SiC MOSFET保护结构的制作方法和装置-CN202310238870.1在审
发明人： 秦潇峰;李园;陈鹏 -专利权人：合肥森思功率半导体有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种SiC MOSFET保护结构的制作方法和装置，属于半导体技术领域。该方法主要包括：利用掩膜版，刻蚀沟槽掩膜、沟槽掩膜下的阱结构层和阱结构层下的基底，形成沟槽；通过回填材料回填沟槽，得到回填结构，其中回填结构的上表面与沟槽掩膜的上表面平齐；去除沟槽掩膜，并在回填结构的左右两侧淀积形成侧墙；以及，在阱结构层上未淀积回填结构和侧墙的部分掺入第一预定浓度的杂质离子形成保护结构，其中，保护结构的深度大于阱结构层的厚度。本申请通过自对准工艺，使SiC MOSFET的元胞结构实现均匀一致的相对尺寸，改善及保证了器件参数一致性。
sic mosfet 保护结构制作方法装置

[发明专利]一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法-CN202010211838.0有效
发明人：胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法，包括衬底，衬底上设置有体区，体区上设置有第二导电层，第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层呈U形，第二绝缘介质层的内侧设置有第三绝缘介质层，第三绝缘介质层呈U形，第三绝缘介质层的内侧设置有第四绝缘介质层，第二绝缘介质层内部的第三绝缘介质层上方设置有第一导电层，第二绝缘介质层穿过体区并位于衬底内，第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的沟槽内部第一导电层底部与沟槽底部之间还填充又第三绝缘介质层，且第三绝缘介质层的纵向厚度可根据设计调整。沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。
一种深沟绝缘栅极器件及其制备方法

[发明专利]基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构-CN202010493508.5有效
发明人：田绍据;严明会;秦潇峰;胡强;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，包括三相DBC结构，所述三相DBC结构的外部固定有框架，所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片，三相DBC结构的背面直接焊接在散热器上，三相DBC结构中的各芯片之间相互连接，三相DBC结构直流端子处连接有叠层母排。本申请的三相DBC直接焊接到散热器上，这种工艺比传统工艺少了一层基板，极大的降低了热阻，提高了功率密度；同时这种工艺便于自动化实现，提高了生产效率。
基于一种 dbc 布局集成 igbt 封装结构

[发明专利]一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法-CN202210973107.9在审
发明人： 秦潇峰;石亮;胡玮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备；B、正面终端结构的制备；C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备；所述高密度沟槽包括若干元胞活性沟槽、元胞伪沟槽、划片道沟槽；D、电路链接层和钝化层的制备；E、晶圆背面的制备。本发明有利于缓解在大尺寸晶圆上生产IGBT器件的翘曲问题，并且缓冲层的深度以及浓度易于调节，可以充分满足应用的需求，并提高IGBT芯片的产出率。
一种缓冲层高密度沟槽 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法-CN202210973962.X在审
发明人： 秦潇峰;石亮;胡玮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反向导通特性的IGBT器件及其制备方法，涉及半导体器件制造领域，包括如下步骤：A、外延层的制备，具体包括提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一外延层，在第一外延层制作得到反向导电区域，在第一外延层上形成第二外延层；B、正面终端结构的制备；C、正面高密度沟槽MOSFET结构的制备；D、电路链接层和钝化层的制备；E、晶圆背面的制备。本发明不需要背面光刻工艺，节约成本，背面工艺降低了碎片风险。本发明正面结构可以实现非常高的沟槽密度，降低了晶圆翘曲的程度，实现了在大晶圆尺寸上进行高密度沟槽IGBT的生产。
一种具有向导特性 igbt 器件及其制备方法

[实用新型]一种提高耐压的IGBT版图结构-CN202120593051.5有效
发明人： 秦潇峰;李平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种提高耐压的IGBT版图结构，包括呈叉指状的第一沟槽结构，其第一沟槽为控制电流与栅极pad连接的有效沟槽，第二沟槽不与栅极直接连接的闭合结构，其第二沟槽位于闭合的浮空区内部，所指的闭合的浮空区通过版图的两端沟槽与第一沟槽连接形成。第二沟槽的引入将阻断状态下，浮空P型基区的电场进行了分担减弱，进而在同等最大电场峰值情况下，本申请结构可以承受更高的电压，同时不影响浮空区对载流子增强的效果。
一种提高耐压 igbt 版图结构

[实用新型]一种IGBT模块用的DBC结构-CN202020989365.2有效
发明人： 秦潇峰;严明会;胡强;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是一种IGBT模块用的DBC结构，其包括陶瓷绝缘基板，所述陶瓷绝缘基板的正面设置有上桥IGBT芯片、上桥二极管芯片、下桥IGBT芯片、下桥二极管芯片、NTC温度传感器和多个表面铜箔；所述上桥IGBT芯片以及上桥二极管芯片通过表面铜箔连接，上桥二极管芯片及上桥IGBT芯片连接与下桥IGBT芯片及下桥二极管芯片，下桥IGBT芯片与下桥二极管芯片通过表面铜箔引出。本申请的布局方式，实现了多芯片并联，有平衡各芯片之间电流的优势，上桥IGBT集电极与二极管阴极的通过两条平行铜箔，可以减少这部分的寄生电感。
一种 igbt 模块 dbc 结构

[实用新型]基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构-CN202020989391.5有效
发明人：田绍据;严明会;秦潇峰;胡强;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，包括三相DBC结构，所述三相DBC结构的外部固定有框架，所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片，三相DBC结构的背面直接焊接在散热器上，三相DBC结构中的各芯片之间相互连接，三相DBC结构直流端子处连接有叠层母排。本申请的三相DBC直接焊接到散热器上，这种工艺比传统工艺少了一层基板，极大的降低了热阻，提高了功率密度；同时这种工艺便于自动化实现，提高了生产效率。
基于一种 dbc 布局集成 igbt 封装结构

[实用新型]一种提高开启可控性的IGBT器件结构-CN202020383033.X有效
发明人：马克强;金涛;秦潇峰;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种能有效解决传统IGBT开启可控性较差的提高开启可控性的IGBT器件结构，包括N‑型基区，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，栅电极位于多晶栅上表面并连接多晶栅；N‑型基区的左上部和右上部设置有P型重掺杂区，N‑型基区内部表层设置有N型重掺杂区，其位于P型深掺杂区的部分被刻蚀工艺分离。本申请所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相连接，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。
一种提高开启可控性 igbt 器件结构

[实用新型]一种提高IGBT开启可控性的元胞结构-CN202020383035.9有效
发明人：金涛;马克强;秦潇峰;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种提高IGBT开启可控性的元胞结构，包括N‑型基区，和场氧化层，场氧化层位于N‑型基区上方，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，并延伸至场氧化层上方，中间介质层一部分位于多晶层延伸部分的上方，其余部分位于N‑基区上层，中间介质层位于P型重掺杂区和N型重掺杂区的部分被刻蚀工艺分割开。本申请结构所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相接触，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。
一种提高 igbt 开启可控性结构

[实用新型]一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构-CN202020383144.0有效
发明人： 秦潇峰;马克强;金涛;蒋兴莉;王思亮 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，包括芯片版图底版，芯片版图底版的上表面开设有横向周期排布的多组第一栅极沟槽，每组第一栅极沟槽为两个，两个第一栅极沟槽之间开设有横向排布的两个N+注入窗口，两个N+注入窗口之间设有一个横向排布的第一发射极接触孔，相邻的两组第一栅极沟槽之间的空白区域为浮空区，浮空区内设有纵向周期排布的多组第二栅极沟槽，每组第二栅极沟槽为两个，两个第二栅极沟槽之间开设有第二发射极接触孔。本实用新型在不增加工艺成本的前提下，可以有效提高开启过程中，栅极对di/dt的可控性，通过调节a与b的比例，可以得到不同程度的di/dt的控制性。
一种区间隔开 igbt 版图结构

[发明专利]一种沟槽型器件及其制备方法-CN202010211835.7在审
发明人：胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种沟槽型器件及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有体区，所述体区上设置有第二导电层，所述第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有栅极介质层，栅极介质层下方设置有第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层、栅极介质层和第二绝缘介质层连通，所述栅极介质层位于体区中，所述第二绝缘介质层位于衬底中，在栅极介质层和第二绝缘介质层中设置有第一导电层，所述第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的结构中，沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。将此种结构应用于IGBT设计中，可以增强载流子注入效应，能够降低IGBT的导通损耗。
一种沟槽器件及其制备方法

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