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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111470775.1在审
发明人：陈建;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底、牺牲鳍部和若干器件鳍部，衬底包括隔离区和若干器件区，若干器件鳍部位于器件区，牺牲鳍部位于隔离区；在衬底上形成初始隔离层，初始隔离层覆盖器件鳍部、牺牲鳍部的侧壁；去除牺牲鳍部，在初始隔离层内形成隔离开口；在隔离开口内形成介电鳍部；形成栅极结构，栅极结构横跨位于器件区上的若干器件鳍部，栅极结构露出介电鳍部的顶部表面。通过去除牺牲鳍部形成隔离开口，使得位于介电鳍部两侧的栅极结构之间的间隔较小。当位于所述介电鳍部两侧的栅极结构之间的间隔较小时，对应的所述栅极结构的体积增大，进而使得后续在所述栅极结构上形成导电结构的设计窗口增大。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202110709349.2在审
发明人：颜丙杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：制备半导体结构的方法包括：刻蚀半导体衬底以形成多个分立的初始鳍部，所述初始鳍部包括分立的第一初始鳍部和第二初始鳍部；形成隔离结构，以覆盖半导体衬底并暴露出初始鳍部中第一初始鳍部的顶面，且隔离结构的上表面高出第一初始鳍部的顶面预定高度；以及在第一初始鳍部的顶面形成外延层。根据该制备方法，通过在部分初始鳍部上形成外延层可使具有不同鳍部高度的鳍式场效应晶体管集成在一个芯片上，并有利于根据实际需要调整该芯片的电路性能。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110524550.3在审
发明人：朱海洋;郑春生;伍斌;雷镇全;吴声清;戴若凌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干第一初始鳍部结构；去除部分第一初始鳍部结构，形成若干分立的第一鳍部结构，若干所述第一鳍部结构沿所述第一初始鳍部结构的延伸方向排列；对所述第一鳍部结构进行氧化处理；对所述第一鳍部结构进行清洁处理；对所述第一鳍部结构进行氧化处理和清洁处理之后，在所述第一鳍部结构侧壁表面和顶部表面形成隔离结构。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711205964.X有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有鳍部；在所述基底表面形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；去除部分所述鳍部以及沿鳍部宽度方向两侧的部分隔离结构，形成沿鳍部宽度方向贯穿鳍部的源漏开口结构，沿鳍部宽度向上，所述源漏开口结构的尺寸大于鳍部的宽度；在所述源漏开口结构内形成源漏掺杂区。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310277123.5在审
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管包括：基底；位于所述基底上的第一鳍部，所述第一鳍部具有第一掺杂；位于所述第一鳍部上的第二鳍部，所述第二鳍部没有掺杂；或者，所述第二鳍部具有第二掺杂，所述第二掺杂与所述第一掺杂类型相同，且第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度；横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部的栅极。本发明提供的鳍式场效应晶体管能够有效调节驱动电流和减小漏电流，且能有效扩散所述鳍式场效应晶体管中产生的热量。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711241953.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和凸出于衬底的鳍部，鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；在鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；在第一衬垫层表面、鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在衬底上形成覆盖第二衬垫层的隔离膜，隔离膜顶部高于鳍部顶部或与鳍部顶部齐平；去除高于鳍部第一部分顶部的第二衬垫层及隔离膜，剩余隔离膜形成隔离层；在隔离层露出的鳍部顶部及侧壁表面形成栅氧化层。本发明中，第一衬垫层及第二衬垫层能够有效减弱隔离层对鳍部侧壁施加的应力大小，从而避免鳍部发生弯曲，并且形成隔离层的工艺窗口大，有助于提高隔离层的形成质量。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]形成不同高度的多个鳍部的方法-CN201210379986.9在审
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种形成不同高度的多个鳍部的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层、和具有高度相同的第一初始鳍部和第二初始鳍部；形成第一保护层，所述第一保护层暴露出第二区域的绝缘层表面；以所述第一保护层为掩膜，刻蚀第二区域中部分厚度的绝缘层，使得第二初始鳍部比第一初始鳍部高出指定高度；随后，去除第一保护层，形成覆盖第一初始鳍部和第二初始鳍部的第二保护层；以第二保护层为掩膜，刻蚀所述绝缘层，并向暴露出的第一初始鳍部和第二初始鳍部内注入氧离子，然后退火，形成隔离层、第一鳍部以及第二鳍部，所述第二鳍部比第一鳍部高出所述指定高度。在同一晶圆上形成的鳍部的高度可以不同，以满足不同需要。
形成不同高度多个鳍部方法

[发明专利]存储器和存储器的制备方法-CN202010784622.3在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器和存储器的制备方法，存储器包括位于基底上的第一鳍部及第二鳍部；覆盖第一鳍部顶部以及被隔离结构暴露出的侧壁表面的介质层；位于介质层表面的功函数层，且在平行于所述第一鳍部及所述第二鳍部排列方向上，相邻第一鳍部相对的侧壁上的功函数层具有第一厚度，第一鳍部朝向第二鳍部的侧壁上的功函数层具有第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。本发明通过增加两个第一鳍部相对的侧壁上的功函数层的厚度，使第一鳍部相对的区域内的阈值电压大于第一鳍部朝向第二鳍部的区域内的阈值电压，使得两个第一鳍部之间沟道区的可扩散电子数目更少，从而降低相邻第一鳍部间的信号干扰
存储器制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910189265.3有效
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有若干第一类鳍部组和位于第一类鳍部组之间的第二类鳍部，第一类鳍部组包括第一类鳍部，第一类鳍部和第二类鳍部的排列方向垂直于第一类鳍部和第二类鳍部的延伸方向；刻蚀去除第二类鳍部，以形成位于第一类鳍部组之间的第一槽；刻蚀去除第二类鳍部后，在第一槽的侧壁形成保护层，且所述保护层覆盖第一类鳍部在第一类鳍部宽度方向上的侧壁；以所述保护层为掩膜刻蚀第一槽底部的半导体衬底
半导体器件及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201510658346.5在审
发明人：赵海 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括提供衬底，衬底表面形成有鳍部，鳍部包括第一部分鳍部以及位于第一部分鳍部顶部表面的第二部分鳍部；在衬底表面形成牺牲层，牺牲层还覆盖第一部分鳍部侧壁表面；形成覆盖牺牲层表面、以及第二部分鳍部表面的侧墙膜；回刻蚀侧墙膜，在所述第二部分鳍部侧壁表面形成侧墙；刻蚀去除牺牲层，暴露出第一部分鳍部侧壁表面；在衬底表面和第一部分鳍部侧壁表面形成导电层，导电层内含有防穿通离子；在所述导电层表面形成介质层本发明改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。
场效应形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910527547.X在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底；图形化所述基底，形成衬底和凸出于所述衬底的分立的鳍部和伪鳍部，所述鳍部位于器件区内，所述伪鳍部位于隔离区；去除隔离区的伪鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；减薄隔离区的隔离层，以隔离区剩余部分的隔离层作为目标隔离层，目标隔离层表面低于所述分立的鳍部之间的隔离层表面。由于目标隔离层表面低于所述分立的鳍部之间的隔离层表面，相应的降低了目标隔离层的体积，从而减小了目标隔离层对鳍部产生的应力，使鳍部两侧的应力达到平衡，避免器件区鳍部在应力不平衡时发生弯曲或倾斜的问题，提升了半导体结构的电学性能
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201711446281.3在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成第一凹槽；去除第一凹槽侧壁的部分第二鳍部层以形成第二修正鳍部层，并且在相邻第一鳍部层之间形成鳍部凹槽；在鳍部凹槽内形成隔离层，隔离层内具有第一离子；进行退火处理，使隔离层中的第一离子扩散入第一鳍部层；在第一凹槽内形成源漏掺杂层，源漏掺杂层具有第二离子；形成介质层；去除伪栅极结构和第二修正鳍部层，形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。
鳍部半导体器件伪栅极结构鳍部结构隔离层掺杂层栅开口衬底去除源漏半导体离子半导体衬底表面修正凹槽侧壁法线方向离子扩散退火处理栅极结构介质层两层

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201711459153.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有鳍部，鳍部具有在半导体衬底表面沿法线方向上层叠的若干层第一鳍部层，相邻两层第一鳍部层中还具有第二鳍部层；形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅极层；之后在伪栅极层侧壁形成第一侧墙；在第一侧墙两侧的鳍部内形成源漏凹槽；去除部分第二鳍部层，在相邻两层第一鳍部层之间形成第一鳍部凹槽；在第一鳍部凹槽内形成隔离层；之后去除第一侧墙，在源漏凹槽内形成源漏掺杂层；之后在半导体衬底上形成介质层；之后去除伪栅极层和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在介质层内及相邻的第一鳍部层之间形成栅开口；在栅开口内形成栅极结构。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911241309.9有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有鳍部结构，鳍部结构包括若干层重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；在衬底上形成横跨鳍部结构的伪栅极结构；在伪栅极结构两侧的鳍部结构内形成凹槽；去除凹槽侧壁的部分第一鳍部层，形成第一修正鳍部层、第一鳍部凹槽和第二鳍部凹槽；形成位于第一鳍部凹槽内的第一阻挡层、以及位于第二鳍部凹槽内的第二阻挡层，第一阻挡层的厚度大于第二阻挡层的厚度；在凹槽内形成源漏掺杂层
半导体结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201910099831.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明还公开一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区和第二区的半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部；在鳍部的侧壁形成第一保护层；刻蚀第二区鳍部侧壁的第一保护层，使第二区鳍部侧壁余下的第一保护层的厚度尺寸小于第一区鳍部侧壁第一保护层的厚度尺寸；在相邻鳍部之间形成介质层，并暴露鳍部的部分侧壁或鳍部侧壁的部分第一保护层；和刻蚀暴露的鳍部的部分侧壁或除去暴露的第一保护层，直至暴露第二区鳍部部分侧壁，第一区鳍部顶部的宽度尺寸为l1，第二区鳍部顶部的宽度尺寸为l2，l1＞l2。鳍部顶部宽度尺寸的不相等能够有效及时散热，提高器件的性能。
场效应晶体管及其形成方法

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