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[发明专利]用于自对准栅极边缘（SAGE）架构的双鳍端帽-CN201680088876.3有效
发明人： W.M.哈费茨;R.W.奥拉克-瓦;C-H.詹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了用于自对准栅极边缘架构的双鳍端帽以及制造用于自对准栅极边缘架构的双鳍端帽的方法。在示例中，半导体结构包括具有被布置在衬底上方并且突出穿过沟槽隔离层的最上表面的第一多个半导体鳍的I/O器件。具有被布置在衬底上方并且突出穿过沟槽隔离层的最上表面的第二多个半导体鳍的逻辑器件。栅极边缘隔离结构被布置在I/O器件和逻辑器件之间。最接近于栅极边缘隔离结构的第一多个半导体鳍的半导体鳍比最接近于栅极边缘隔离结构的第二多个半导体鳍的半导体鳍与栅极边缘隔离结构间隔更远。
用于对准栅极边缘 sage 架构双鳍端帽

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610527753.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底以及凸出于衬底的鳍部；在衬底上形成隔离结构，露出于隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；在鳍部第一区域侧壁形成保护层；对鳍部第二区域进行退火处理，在鳍部第二区域侧壁上形成氧化层；去除保护层；形成横跨鳍部第一区域且覆盖鳍部第一区域部分顶部和侧壁表面的伪栅结构；在鳍部之间的衬底上形成介质层；去除伪栅结构。本发明在鳍部第一区域侧壁形成保护层后，对鳍部第二区域进行退火处理，使鳍部第二区域的宽度尺寸减小；后续去除伪栅结构的工艺还对隔离结构造成损耗，暴露出部分鳍部第二区域，从而可以避免器件沟道区变宽。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711105051.0有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一区和第二区，第一区有第一鳍部，第一鳍部上有第一掩膜层，第二区有第二初始鳍部；在第一鳍部侧壁形成第一掺杂层，第一掺杂层内有第一掺杂离子；形成初始隔离层，初始隔离层露出第一掩膜层顶部；形成初始隔离层后，去除部分第二初始鳍部，形成第二鳍部；外延工艺在第二鳍部上形成第三鳍部，第三鳍部中有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子导电类型相反；在第三鳍部上形成第四鳍部；去除部分初始隔离层，形成隔离层，隔离层顶部低于第四鳍部顶部，且高于或齐平第三鳍部顶部；形成隔离层后，去除第一鳍部侧壁第一掺杂层；之后，退火处理。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM-CN201810589784.4有效
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，所述方法包括：形成基底，基底包括衬底以及位于衬底上多个鳍部，衬底包括用于形成第一上拉晶体管的第一PMOS区以及用于形成第二上拉晶体管的第二PMOS区，位于第一PMOS区衬底上的鳍部为第一鳍部，位于第二PMOS区衬底上的鳍部为第二鳍部，位于第一PMOS区和第二PMOS区交界处衬底上的鳍部为第三鳍部；形成横跨第一鳍部的第一栅极结构以及横跨第二鳍部的第二栅极结构；在第一栅极结构两侧的第一鳍部内形成第一掺杂外延层，在第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂外延层。本发明通过在第一鳍部与第二鳍部之间形成第三鳍部，避免了第一掺杂外延层和第二掺杂外延层发生桥接的问题。
一种半导体结构及其形成方法以及 sram

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010033406.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区和PMOS区；在所述衬底上形成分立排布的第一鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面与所述第一鳍部的顶部表面齐平；分别刻蚀去除所述NMOS区和所述PMOS区上的部分所述第一鳍部，在所述NMOS区和所述PMOS区上形成第二鳍部；所述第一鳍部和所述第二鳍部采用非相同材料。本发明利用第一鳍部和第二鳍部采用非相同材料，这样在去除NMOS区和PMOS区上不需要的第一鳍部或第二鳍部时，不会损伤到保留的第一鳍部或第二鳍部的表面质量，使得鳍部的去除不受到工艺窗口的限制，减少了对不需要去除的鳍部表面的损伤
半导体器件及其形成方法

[外观设计]双鳍天线-CN201630091041.6有效
发明人： R.昆兰;D.奥希 -专利权人：陶格拉斯集团控股公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：双鳍天线。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作六合一的双鳍天线，可用于支持GPS、全球导航卫星系统、北斗卫星系统、Wi‑Fi、4G和AM/FM调频的波段。3．本外观设计产品的设计要点：各视图的图案、形状或者其结合，包括位于顶部的双鳍形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
天线

[发明专利]双鳍天线-CN201080018121.9无效
发明人： J-P·库佩;Z·沙拉比;J·赫梅吕;C·佩尔松 -专利权人：电信教育集团-布列塔尼电信学院
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01Q21/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带天线，包括：地平面(PM)；至少一个组件，该组件包括：垂直于所述地平面(PM)布置的介电材料层(P)，所述层具有给定的厚度；布置在所述层(P)的一面上的第一金属元件(11)；布置在所述层(p)的相对于所述第一金属元件所布置的面的一面上的第二金属元件(12)，使得所述金属元件不面向彼此；与所述两个金属元件中的一个相结合的电源线，该电源线从金属元件的最靠近天线的中心对称轴(Δ)的边缘延伸朝向地平面(PM)。
天线

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410588197.5有效
发明人：张海洋;郑喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间具有第一倾斜角；在半导体衬底表面形成隔离层，高于隔离层的部分鳍部作为第一部分鳍部，被隔离层覆盖的部分鳍部作为第二部分鳍部；对第一部分鳍部的侧壁进行刻蚀，使第一部分鳍部的侧壁与半导体衬底表面之间的具有第二倾斜角，第二倾斜角小于第一倾斜角；在第一部分鳍部侧壁表面形成含碳半导体层；在含碳半导体层表面形成石墨烯层；在隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一部分鳍部侧壁上的石墨烯层及部分鳍部顶部。所述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法-CN201110154040.8有效
发明人： J·X·安;汪海宏;B·于 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在金属氧化物半导体场效应晶体管中形成栅极的方法，包括鳍部结构(310)、形成于邻接该鳍部结构(310)的第一侧边的第一栅极(410)、形成于邻接该鳍部结构(310)相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极(420)、以及形成于该鳍部结构(310)上端的上端栅极(610)。一种栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管(800)，包括多个鳍部(1110)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中一个鳍部的第一侧壁栅极结构(1010)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中另一个鳍部的第二侧壁栅极结构(1020)、形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部上的上端栅极结构(1230)、以及形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部(1110)下的底部栅极结构(1240)。
金属氧化物半导体场效应晶体管形成栅极方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610646944.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部具有第一宽度，第二鳍部具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在半导体衬底上形成覆盖第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁的第一隔离膜；在所述第一隔离膜中形成凹槽，所述凹槽暴露出第二鳍部的侧壁，所述凹槽侧壁与相邻所述第一鳍部侧壁之间的距离大于所述凹槽侧壁与相邻所述第二鳍部侧壁之间的距离；采用流体化学气相沉积工艺在所述凹槽中形成第二隔离膜，所述流体化学气相沉积工艺包括含氧退火，所述含氧退火适于氧化第二鳍部的侧壁，被氧化的所述第二鳍部的侧壁对应区域形成副产层。所述方法能够提高第二鳍部和第一鳍部的宽度一致性。
半导体器件形成方法

[发明专利]三栅极与栅极环绕的金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法-CN200480002698.5无效
发明人： J·X·安;汪海宏;B·于 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-01-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种三栅极(tri－gate)金属氧化物半导体场效应晶体管(200)，包括鳍部结构(310)、形成于邻接该鳍部结构(310)的第一侧边的第一栅极(410)、形成于邻接该鳍部结构(310)相对于该第一侧边的第二侧边的第二栅极(420)、以及形成于该鳍部结构(310)上端的上端栅极(610)。一种栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管(800)，包括多个鳍部(1110)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中一个鳍部的第一侧壁栅极结构(1010)、形成于邻接该多个鳍部(1110)其中另一个鳍部的第二侧壁栅极结构(1020)、形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部上的上端栅极结构(1230)、以及形成于该多个鳍部(1110)其中一个或多个鳍部(1110)下的底部栅极结构(1240)。
栅极环绕金属氧化物半导体场效应晶体管器件及其制造方法

[发明专利]形成鳍部及鳍式场效应晶体管的方法-CN201210053862.1有效
发明人：王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成鳍部及鳍式场效应晶体管的方法，形成鳍部的方法包括：提供具有第一鳍部的基底；利用外延生长法在第一鳍部平行其延伸方向的两侧面交叠形成第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层均至少为一层，所述第二半导体层的材料和所述第一鳍部的材料相同；去除所述第一半导体层，所述第二半导体层作为第二鳍部，所述鳍部包括所述第一鳍部和第二鳍部。本技术方案可以增加鳍部的密度。
形成场效应晶体管方法

[发明专利]基于鳍与翼鳍矢量控制的船舶减横摇系统双环控制方法-CN201710050097.0有效
发明人：刘胜;张兰勇;彭秀艳;李冰;战慧强;刘洪丹;宋颖慧 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： B63B39/06 文献下载
摘要：本发明提供的是一种基于鳍与翼鳍矢量控制的船舶减横摇系统双环控制方法。包括外环的减横摇控制系统和内环的电驱动伺服系统，通过横摇检测装置检测横摇角与给定的横摇角度作差送入外外环的减横摇控制系统的外环模糊控制器，计算给出减横摇控制所需扶正控制力矩及鳍角、翼鳍角指令信号，并作为内环的电驱动伺服系统的给定输入，分别与检测到的鳍角与翼鳍角作差，分别送入鳍内环模糊控制器和翼鳍内环模糊控制器，用以实现鳍与翼鳍伺服系统执行器的精确控制，驱动鳍与翼鳍运动产生所需的横摇扶正控制力矩。本发明采用双环模糊遗传控制策略，分别针对鳍/翼鳍内环电伺服系统和减横摇外环控制系统实施模糊遗传控制，进一步提高减摇效果，降低系统能耗。
基于矢量控制船舶减横摇系统方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710429642.7在审
发明人：胡华勇;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的器件区和隔离区，所述衬底上形成有分立的鳍部，其中，相邻所述鳍部的间距相等；在鳍部侧壁上形成氧化硅层；刻蚀去除所述隔离区的部分厚度鳍部和所述鳍部侧壁上的部分氧化硅层；以剩余氧化硅层为掩膜，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述隔离区的剩余鳍部，形成伪鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述器件区鳍部的顶部，且覆盖所述伪鳍部的顶部。本发明可以增大去除隔离区鳍部的刻蚀工艺窗口，且采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述隔离区的剩余鳍部，从而可以减小对相邻第一区域鳍部的等离子体损伤。
鳍部隔离区衬底氧化硅层刻蚀半导体结构隔离结构湿法刻蚀器件区侧壁去除等离子体损伤第一区域间距相等刻蚀工艺分立减小掩膜覆盖

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910555984.2在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；所述鳍部包括切割区鳍部和非切割区鳍部；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；去除所述伪栅结构未覆盖的所述切割区鳍部；本发明的形成方法能够保证去除切割区鳍部的准确性，从而使得形成的半导体器件的质量得到提高；这是由于在衬底上形成伪栅结构之后，伪栅结构对覆盖的非切割区鳍部起到保护的作用，从而使得非切割区鳍部不会被除掉，保证不会出现非切割区鳍部被去除或者切割区鳍部没有完全被去除的现象，确保了形成鳍部图形的准确性，使得形成的半导体器件的性能和稳定性得到提高。
半导体器件及其形成方法