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[实用新型]液晶显示面板-CN201220315985.3有效
发明人：王艳丽;简守甫 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型提供一种液晶显示面板，利用双栅极TFT阵列基板的像素对称的结构特点，两个光刻隔垫物为一组，分别放在两对称像素区的双栅极线上的相互对称的位置处或TFT源/漏极上的相互对称的位置处，当CF贴合向上或者向下偏时
液晶显示面板

[发明专利]等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器-CN200880001272.6无效
发明人：森田竜夫;柳原学;石田秀俊;上本康裕;井上学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16
等离子体显示面板驱动装置显示器

[发明专利]一种液晶显示器及其驱动方法-CN201210251468.9在审
发明人：李成;董学 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器驱动方法，所述方法包括：先逐行驱动连接在奇数行栅极线上的像素，再逐行驱动连接在偶数行栅极线上的像素，如此循环。或者，所述方法包括：先逐行驱动连接在偶数行栅极线上的像素，再逐行驱动连接在奇数行栅极线上的像素，如此循环。相应的，本发明还公开了一种液晶显示器，能够实现双栅极像素的Z反转，在保证高画面品质的前提下有效降低了液晶显示器的功耗。
一种液晶显示器及其驱动方法

[发明专利]显示面板及制造方法-CN201910792232.8有效
发明人：奚苏萍 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括源极、栅极及漏极，栅极设置在源极和漏极之间，源极及漏极之间具有通道。在源极、通道及漏极的上方设置钝化层。在钝化层上方设置氧化铟锡层。氧化铟锡层覆盖在通道上方以和栅极一起来形成双栅极作用。
显示面板制造方法

[发明专利]一种高压TFT驱动的可寻址平板X射线源及其制备方法-CN202210631008.2在审
发明人：陈军;李晓杰;刘川;邓少芝;许宁生 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及真空微纳电子的技术领域，更具体地，涉及一种高压TFT驱动的可寻址平板X射线源及其制备方法，高压TFT包括底栅电极和顶栅电极，设于栅极绝缘层顶部的有源层包括若干个并联的沟道，相邻沟道之间形成有间隙，底栅电极与顶栅电极一起形成双栅极结构，增强对高压TFT栅控部分沟道的调控作用，能有效的改善高压TFT的阈值电压和亚阈值摆幅，并提高饱和电流；相邻沟道之间的间隙可增强散热效果，保证器件不会发生热击穿的问题，并联的沟道结构使双栅极高压TFT在实现大电流的同时，保证其耐压性能，从而满足平板X射线源对驱动单元高工作电压和大工作电流的要求，实现高电压、大电流、高分辨且可精准调控电流的可寻址平板X射线源。
一种高压 tft 驱动寻址平板射线及其制备方法

[发明专利]双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法-CN202310293568.6在审
发明人： R·巴伯斯克;F·普菲尔施;J·汉塞尔;K·瓦施内克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了双栅极功率半导体器件和控制双栅极功率半导体器件的方法。
栅极功率半导体器件控制方法

[实用新型]一种薄膜晶体管-CN201921297720.3有效
发明人：陈宇怀 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括基板、基板上设置的底栅极，所述底栅极的上方还设置有有源层，所述有源层包括与底栅极的一侧面平行设置的部分，所述有源层的与底栅极侧面相对的部分的另一侧还与设置有顶栅极。区别于现有技术，相较于平面式薄膜晶体管，可以缩短薄膜晶体管沟道制程临界尺寸(Critical Dimension，CD)，从而达到缩小整体器件占用面积，提高面板PPI；并且双栅极结构的垂直结构薄膜晶体管
一种薄膜晶体管

[发明专利]一种导通均匀性高的半导体功率器件-CN202010473658.X有效
发明人：王海军;阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及一种导通均匀性高的半导体功率器件，包括由多个IGBT元胞形成的芯片本体及芯片本体表面的栅极总线，栅极总线包括设置于芯片本体外围的环状栅极总线、位于环状栅极总线内且两端分别与环状栅极总线连接的至少一条条状栅极总线，多个条状栅极总线中至少一个条状栅极总线上设置有至少两个栅极焊盘，环状栅极总线的表面设有环状的且由金属材料制成的栅极流道，栅极总线由多晶硅材料制成，栅极总线与IGBT元胞内的多晶硅栅极连接。本发明的导通均匀性高的半导体功率器件，通过双栅极焊盘和栅极总线的设置使得各元胞内栅极导通更均匀。
一种均匀半导体功率器件

[发明专利]液晶显示器及其栅极驱动电路-CN200710198617.9无效
发明人：白承洙;李龙淳;李旼哲;金容范;全相镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示器和双栅极驱动电路，其中，信号线的数量由于共享起始脉冲和伪级的输出信号而减少。液晶显示器包括：定时控制器，响应于外部输入信号产生输出使能信号、栅极时钟和单一起始信号；电平移位器，响应于输出使能信号和栅极时钟产生栅极时钟脉冲和栅极时钟条脉冲，并响应于起始信号和栅极时钟产生单一起始脉冲；以及第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，响应于单一起始脉冲，输出栅极时钟脉冲或栅极时钟条脉冲作为提供给多条栅极线的栅极驱动信号。
液晶显示器及其栅极驱动电路

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201710287331.1有效
发明人：周宏儒;赵永亮;毕鑫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置，包括：位于基板上处于同层的第一栅极、源极和漏极，所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；覆盖在所述第一栅极上的栅极绝缘层；覆盖在所述源极、所述栅极绝缘层、所述漏极上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半导体层，从而简化了双栅极薄膜晶体管的工艺流程，进而提高产品的良率。
一种薄膜晶体管及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺-CN201110142449.8有效
发明人：戴嵩山;雷燮光;王晓彬 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺。该半导体器件含有多个栅极电极，形成在位于半导体衬底有源区中的沟槽中。第一栅极滑道形成在衬底中，并且电连接到栅极电极上，其中第一栅极滑道包围着有源区。第二栅极滑道连接到第一栅极滑道上，并位于有源区和截止区之间。截止结构包围着第一和第二栅极滑道以及有源区。
通道截止沟槽栅极氧化物 mosfet 四掩膜工艺

[发明专利]双栅极场效应晶体管-CN200910051866.4有效
发明人：肖德元;季明华;吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种双栅极场效应晶体管，包括：器件层，所述器件层具有相对的第一、第二表面；位于器件层内、相互隔离并且导电类型相异的源极以及漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区；所述沟道区沿器件层第一表面向第二表面依次包括第一口袋注入区、源连接区以及第二口袋注入区；所述第一、第二口袋注入区均与漏极电连接，所述源连接区与源极电连接；位于器件层第一表面上与第一口袋注入区位置相对应的第一栅极结构；位于器件层第二表面上与第二口袋注入区位置相对应的第二栅极结构本发明所述双栅极场效应晶体管具有高度的响应速度，灵敏的开关特性，且满足了小尺寸下器件按比例缩小后降低能耗的需求，避免了一系列二级效应的产生。
栅极场效应晶体管

[发明专利]双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法-CN202110423143.3有效
发明人：华文宇;王喜龙 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述双栅极晶体管的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有多个晶体管形成区域，每一所述晶体管形成区域具有一晶体管柱，每一所述晶体管柱在第一方向上具有相对裸露的第一侧壁和第二侧壁；分别在所述第一侧壁和所述第二侧壁上依次形成栅极氧化层和栅极；在所述晶体管柱的第一端，形成源极；在所述晶体管柱的第二端，形成漏极，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在第二方向上相对的两端，所述第二方向为所述晶圆的厚度方向
栅极晶体管及其制造方法半导体器件

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN200810083457.8有效
发明人：张郢;阎红雯;B·B·多丽斯;杨庆云;R·加甘纳桑;陈自强 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：实施例中公开了多种用于制造双栅极半导体结构的集成方案。通过使用新颖的集成方案，使多晶硅栅极MOSFET和高k电介质金属栅极MOSFET形成在相同的半导体衬底上，尽管栅极堆叠的组成不同并且导致不同的蚀刻速率。在这些集成方案中，将薄多晶硅层用于一种类型的栅电极，而将含硅层用于另一种类型的栅电极，以平衡不同的蚀刻速率并且使得能够蚀刻两种不同的栅极堆叠。
制造半导体结构方法

[发明专利]GaN HEMT的共源共栅结构-CN201480033000.X有效
发明人：萨普撒里希·斯里拉姆;特里·奥尔康;法比安·拉杜莱斯库;斯科特·谢泼德 -专利权人：克利公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：这种装置的一个实施例是双栅极晶体管，其中，薄间隔层把第二级栅极和势垒层隔开并且第二级栅极通过与源极连接接地。在一个实施例中，薄间隔层和第二级栅极被放置在间隔层的一个孔中。在另一个实施例中，由间隔层将第二级栅极和势垒层隔开。该装置能够表现出改进的线性度和降低的复杂性和成本。
gan hemt 共源共栅结构