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[发明专利]一种分光片及其制备方法-CN202111215808.8在审
发明人：朱元强;叶沈航;陈钢;池明治 -专利权人：福建福特科光电股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种分光片，包括重叠粘合的第一双抛平片和第二双抛平片，所述的第一双抛平片在其用来与第二双抛平片粘合的粘合面镀有分光膜；所述的第一双抛平片的暴露面镀有可见光增透膜；所述的第二双抛平片的暴露面镀有可见光和红外光双波段增透膜；所述的分光膜包括从贴近第一双抛平片表面向远离第一双抛平片表面依次设置的第一ZnS层、Ag层和第二ZnS层。本发明的分光片具备可见和红外双宽光谱特性，满足T90％@400‑700nm,R90@8‑12um。本发明结构成本低、环境可靠性高，它能对稳定性较差的分光膜进行保护，有效提高分光膜的使用强度和寿命。
一种分光及其制备方法

[发明专利]一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺-CN201711308112.3有效
发明人：李穆朗;郭明;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺。步骤如下：配制粗抛液后，将环氧树脂游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将厚度偏差3µm内的砷化镓双抛片正面向上放置在环氧树脂游星轮孔洞中，执行自查程序，查看环氧树脂游星轮和砷化镓双抛片自旋状况；自查程序执行结束后，降下上抛光盘，完成第一次执行粗抛程序；第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片翻转，背面向上执行自查程序，然后第二次执行粗抛程序；重复十次操作后，从环氧树脂游星轮中取出砷化镓双抛片，放入白花篮中清洗甩干。通过本发明的实施，有效地提高了砷化镓双抛片的整体平整度。
一种降低砷化镓双抛片整体平整工艺

[发明专利]一种微型变压器隔离层的制备方法-CN202211042535.6在审
发明人：谢强;钟立志;刘燕;孙金池;屈怀泊 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型变压器隔离层的制备方法，步骤包括：选用N型100双抛圆片为衬底；双抛圆片上蒸发一层铝，在铝层表面进行光刻，形成光刻图形；将光刻后的双抛圆片放入铝腐蚀液中进行腐蚀，去除双抛圆片表面的光刻图形，得到铝层；在双抛圆片表面生产一层等离子氧化膜，进行表面光刻，去掉表面的光刻图形，得到氧化层；在双抛圆片表面蒸发一层金，进行表面光刻，再将双抛圆片放入金电镀液中进行电镀，去除表面光刻胶得到第一金电极。
一种微型变压器隔离制备方法

[实用新型]一种双抛片的转载装置-CN202222557324.8有效
发明人：徐明金;史晓华 -专利权人：南昌光澜半导体有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双抛片的转载装置，转载装置包括：搬运组件和承载组件，搬运组件包括：机械臂以及与机械臂传动连接的机械臂驱动装置，机械臂的搬运端上设有U型槽，U型槽的面积不小于待搬运的双抛片的正面/背面的有效区域的面积，且在U型槽的外侧台阶面上设有至少两个第一吸附孔，第一吸附孔用于吸附双抛片的边缘；承载组件，承载组件包括：支撑平台以及设置于支撑平台上的至少两个弧形台，全部弧形台围成的中间空缺区域的面积不小于承载的双抛片的正面/背面的有效区域的面积，在每个弧形台的支撑面上设有至少一个第二吸附孔，第二吸附孔用于吸附双抛片的边缘。本实用新型可以保证双抛片的正面和背面有效区域不被污染。
一种双抛片转载装置

[发明专利]硅通孔加工方法-CN202310356953.0在审
发明人：陈齐松;杜祥雷;傅剑宇;陈桥波;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：获取双抛片；在双抛片的表面生成硅化合物层；在第一表面制备预设图形；基于预设图形在双抛片的第一表面的硅化合物层上以第一预设深度进行刻蚀，第一预设深度为200μm~300μm；曝光；对第一表面进行保护；自第二表面在硅化合物层上进行刻蚀至双抛片刻通；对刻通后的双抛片进行去胶。在进行TSV加工的过程中，将双抛面相对的两个表面上分别生成硅化合物层，并在生成硅化合物层后，从第一表面进行部分刻蚀，在刻蚀后，在第二表面制备相同的图案，并从第二表面开始刻蚀至双抛片刻通。
硅通孔加工方法

[发明专利]一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片-CN202111277261.4有效
发明人：唐林锋;宋向荣;周铁军;马金峰;刘火阳;廖和杰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片。所述锑化镓晶片的双面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的双面抛光方法包括两步抛光：双面粗抛和双面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行双面粗抛和双面精抛，最终制备的锑化镓双抛片平整度较高，粗糙度较低。
一种锑化镓晶片双面抛光方法锑化镓双抛片

[发明专利]蓝宝石超高平坦度双抛片加工工艺及光学双抛片-CN202310198730.6在审
发明人：钱大伟;宋亚滨;翟虎;陆继波;洪飞;刘彬 -专利权人：甘肃旭晶新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本公开提供一种蓝宝石超高平坦度双抛片加工工艺及光学双抛片，包括：对待加工样品片粗磨，粗磨时施加的压力分阶段减小；将粗磨后的待加工样品片进行第一次检测；对第一次检测满足第一预设值的待加工样品片精磨，将精磨后的待加工样品片进行第二次检测；对第二次检测满足第二预设值的待加工样品片抛光。本公开克服了传统的粗磨时压力分阶段增大的技术偏见，制备的光学双抛片平坦度更高；在粗磨后对待加工样品片进行第一次检测，将精磨后的待加工样品片进行第二次检测；以保证后续加工工序的加工需求，同时利于后续加工时的参数设定生产出来的光学双抛片拥有超高平坦度，光学双抛片的表面粗糙度≤0.2nm，TTV≤1μm，0≤BOW≤15μm，warp≤20μm，光洁度60/40。
蓝宝石超高平坦度双抛片加工工艺光学双抛片

[发明专利]晶圆双轴承升降抛动机构-CN202010807771.7在审
发明人：张迎彬;李宗颖;周浩;李勇刚;李玉萍 -专利权人：河北广创电子科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片加工设备领域，具体涉及一种晶圆双轴承升降抛动机构，解决了现有技术中去应力腐蚀机的芯片腐蚀不均匀的缺陷，包括抛动电机，转轴，抛动滑动机构、连接件、片盒托架，所述抛动滑动机构为两个，对称设置在片盒托架两侧，通过连接件与片盒托架连接；所述抛动电机与转轴连接，转轴与抛动滑动机构连接，抛动平稳，受力均匀使得处理的晶片质量更好，效率更高。
晶圆双轴承升降机构

[实用新型]晶圆双轴承升降抛动机构-CN202021671271.7有效
发明人：张迎彬;李宗颖;周浩;李勇刚;李玉萍 -专利权人：河北广创电子科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体芯片加工设备领域，具体涉及一种晶圆双轴承升降抛动机构，解决了现有技术中去应力腐蚀机的芯片腐蚀不均匀的缺陷，包括抛动电机，转轴，抛动滑动机构、连接件、片盒托架，所述抛动滑动机构为两个，对称设置在片盒托架两侧，通过连接件与片盒托架连接；所述抛动电机与转轴连接，转轴与抛动滑动机构连接，抛动平稳，受力均匀使得处理的晶片质量更好，效率更高。
晶圆双轴承升降机构

[实用新型]一种蓝宝石双抛机加工超薄片系统-CN201420723053.1有效
发明人：郑松森;李建勳 -专利权人：南京京晶光电科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蓝宝石双抛机加工超薄片系统，包括：双抛机、芯片、吸蜡纸、载具，其中，所述双抛机包括：盘面组、悬吊机构、浆料集液环、内部齿轮、减速机和控制面板，所述吸蜡纸设于芯片上，所述芯片设于载具内，所述盘面组设于双抛机定位工作台上，所述悬吊机构设于双抛机的横梁上，所述浆料集液环设于悬吊机构的下方，所述内部齿轮和减速机均设于双抛机的机台内部，所述控制面板设于双抛机的侧面。本实用新型使用新制作的陶瓷盘载具，能够有效的防止芯片发生折曲滑片，或者齿角崩角而爆盘，提高了产品的质量以及产品的成品率，同时单抛制程的开放，让整个蓝宝石的生产工艺得以完善，有助于提高该产品在市场上的竞争力
一种蓝宝石双抛机加工薄片系统

[实用新型]一种新型平抛竖落教学实验装置-CN202023091824.4有效
发明人：李朝蓉;杨曦 -专利权人：李朝蓉
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G09B23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型平抛竖落教学实验装置，包括底座，底座后端顶部固定有支撑竖杆，支撑竖杆顶部固定有水平横梁，底座前端连接有平抛弹性片，水平横梁竖直贯穿开有活动通槽，平抛弹性片顶端为平抛施力端，平抛施力端配合穿过水平横梁的活动通槽；水平横梁前端具有平台，平台后端竖直贯穿开有竖落球通孔，平台上平放设有双位载球板，双位载球板中部竖向设有分隔竖板，分隔竖板将双位载球板分隔成平抛球位和竖落球位，双位载球板的竖落球位遮住平台的竖落球通孔。本实用新型可连续多次对平抛及自由落体运动之间的关系进行对比观察和演示，便于直观地进行物理实验教学，有利于帮助学生理解与学习，也提高了学生的动手能力。
一种新型平抛竖落教学实验装置

[发明专利]一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法-CN202011426084.7有效
发明人：李穆朗;李宁;张晓光 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法。按如下步骤进行：厚度分选：砷化镓减薄片分选厚度120±5µm，每10片一组，厚度差小于等于3µm；配制粗抛液，将游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将选好的砷化镓减薄片背面向上放置在游星轮孔洞中，自查游星轮和砷化镓晶片自旋状况；双面粗抛程序；双面粗抛加工砷化镓晶片厚度至90µm；清洗甩干；贴膜；对背面贴膜的砷化镓晶片进行二次单面无蜡粗抛，加工至砷化镓晶片厚度80µm，清洗甩干；脱膜。本发明的实施，可以将120微米左右的砷化镓减薄片通过双面粗抛得到四英寸80微米双抛片，在保证表面质量的前提下整体平整度低于3µm，满足了市场需求，填补了技术空白。
一种英寸 80 微米砷化镓双抛片制作方法

[实用新型]一种高效双物料入口烟片风分机-CN201922184510.X有效
发明人：陆俊平;潘文;杨明权;马晓伟;邹泉;赵云川;刘文;袁玉通;张庆卡;赵剑;杨小雨;王爽;郑茂;陈南苇;者靖雄;吉德辉;窦有宁 -专利权人：红塔烟草（集团）有限责任公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： A24B3/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效双物料入口烟片风分机，属于烟草设备技术领域。所述的高效双物料入口烟片风分机包括风分仓、循环风机、进料管、抛料风机；所述的风分仓底部设有出料口Ⅰ和进风口，进风口通过管道与循环风机连接，风分仓顶部设有出料口Ⅱ，风分仓左右两侧对称设置有进料管，进料管底部设有抛料喷嘴，抛料喷嘴通过管道与抛料风机连接。本发明通过在风分机的风分仓两侧镜像设置两个进料口，能快速向风分仓内投入物料，增加风分机风选速度，两侧物料进入风分仓后相互碰撞，物料容易散开，提高风分机出片率。
一种高效物料入口烟片风分机

[发明专利]一种双面抛光晶片的加工方法-CN202210768342.2在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请的加工方法将原先走单抛片路线良品的或不良的晶片进行双抛片工艺再生利用加工，而且由于单抛片加工过程已完成晶片其中一侧即晶片正面的研磨工序，在双抛片加工过程中，只需对晶片正面进行调整、修饰的抛光即可，
一种双面抛光晶片加工方法

[实用新型]一种风力烟片隧道风分机-CN201922185985.0有效
发明人：陆俊平;潘文;杨明权;马晓伟;邹泉;赵云川;刘文;袁玉通;张庆卡;赵剑;杨小雨;王爽;郑茂;陈南苇;者靖雄;吉德辉;窦有宁 -专利权人：红塔烟草（集团）有限责任公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： A24B3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种风力烟片隧道风分机，属于烟草机械技术领域，所述的风力烟片隧道风分机包括风分仓、落料管、抛料板、一抛喷嘴、二抛导料板、二抛喷嘴、二抛导流板和主风管道。本实用新型采用风抛方式进行物料抛料，相比现有的机械抛料，造碎低，对物料损伤小，而且抛料均匀，物料更为分散，更有利于风选。本实用新型通过两个隧道型循环风选区无缝对合，实现双次循环配合风选，保证烟梗能够彻底分离，烟梗出口的烟叶含量。而且，在两次循环风选抛送时，物料会与进入的新物料进行对撞，打散物料，使得物料更加分散，更有利于风选。
一种风力隧道分机

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