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[发明专利]阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法-CN201410458985.2有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且同时覆盖底栅介质层和部分双层石墨烯有源区，阶梯顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极和两电极之间的石墨烯上，顶栅电极只部分覆盖在阶梯顶栅介质层的上方本发明通过引入阶梯顶栅介质层，有效减小关态时源区和栅控沟道之间的隧穿窗口，从而获得较小的关态电流，改善了器件的开关比。
阶梯介质双层石墨场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]防填料泄露的填料支撑结构-CN201720381663.1有效
发明人：张晓林;张凯;杨雷 -专利权人：山西阳煤化工机械（集团）有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止填料泄露的填料支撑结构，主要由填料栅板，支撑圈，筋板，六角头螺栓，螺母，柔性石墨编织填料，双层丝网，双层钢板网、丝网压圈及壳体组成。本结构通过六角头螺栓、螺母将支撑圈、栅板、双层丝网、双层钢板网、丝网压圈连接成整体，从而将双层丝网、双层钢板网压紧，保证二者的平整，防止填料从填料栅板上方泄露。由于填料栅板与壳体之间存在间隙，现用柔性石墨编织填料将填料栅板与壳体之间的间隙进行填塞。采用上述支撑结构，可以有效的防止填料泄露，并节省材料。
填料泄露支撑结构

[发明专利]一种散热防水结构、电控盒以及空调器-CN201911305981.X在审
发明人：田振;陈伟;刘武祥;林盖 -专利权人：宁波奥克斯电气股份有限公司;奥克斯空调股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： F24F1/24 文献下载
摘要：所述散热防水结构包括双层隔板(1)、底板(6)，双层隔板(1)包括错位设置的第一格栅孔(2)和第二格栅孔(3)，第一格栅孔(2)设置在双层隔板(1)的出风侧隔板，第二格栅孔(3)设置在双层隔板(1)的进风侧隔板错位设置双层格栅孔，实现散热的同时，起到防水效果。
一种散热防水结构电控盒以及空调器

[实用新型]一种散热防水结构、电控盒以及空调器-CN201922272945.X有效
发明人：田振;陈伟;刘武祥;林盖 -专利权人：宁波奥克斯电气股份有限公司;奥克斯空调股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： F24F1/24 文献下载
摘要：所述散热防水结构包括双层隔板(1)、底板(6)，双层隔板(1)包括错位设置的第一格栅孔(2)和第二格栅孔(3)，第一格栅孔(2)设置在双层隔板(1)的出风侧隔板，第二格栅孔(3)设置在双层隔板(1)的进风侧隔板错位设置双层格栅孔，实现散热的同时，起到防水效果。
一种散热防水结构电控盒以及空调器

[发明专利]一种升降式风冷双层往复辊道窑-CN201811012202.2有效
发明人：张柳松 -专利权人：张柳松
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F27B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种升降式风冷双层往复辊道窑，包括双层往复辊道窑和升降式风栅，双层往复辊道窑包括窑炉本体、双层辊杠、加热炉丝、保温棉和支架，通过电机旋转带动双层辊杠同时磙动来实现往复烧制产品；正对双层辊杠设置有升降式风栅，通过升降式风栅升降实现升降式风栅与双层辊杠水平对接，并将烧制后产品平移至升降式风栅进行风冷降温。
一种升降风冷双层往复辊道窑

[发明专利]沟槽栅型HEMT器件-CN202211118455.4在审
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅型HEMT器件。所述沟槽栅型HEMT器件包括：双层栅介质层，设置在HEMT器件的栅极的第一侧、第二侧与凹槽内壁之间，单层栅介质层，设置在所述栅极的底部与凹槽内壁之间；所述单层栅介质层包括第一介质层，所述双层栅介质层包括：位于所述栅极的第一侧与凹槽内壁之间的第一介质层和第二介质层，位于所述栅极的第二侧与凹槽内壁之间的第三介质层和第一介质层，位于所述栅极第一侧的双层栅介质层的厚度＞位于所述栅极第二侧的双层栅介质层的厚度＞位于所述栅极底部的单层栅介质层的厚度。本发明实施例提供的沟槽栅型HEMT器件能够提升栅控能力，进而减少器件阈值电压的降低，使得器件具有较高的漏极饱和电流。
沟槽 hemt 器件

[发明专利]沟槽型双层栅MOS及工艺方法-CN201410853978.2在审
发明人：陈晨 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS，其栅极沟槽内包含有第一多晶硅及第二多晶硅，形成双层栅，所述第一多晶硅位于沟槽下部，与沟槽之间间隔有介质层，第一多晶硅上方具有热氧化介质层及高密度等离子氧化膜；第二多晶硅位于高密度等离子氧化膜上方的沟槽内，与沟槽之间间隔有栅氧化层；所述第二多晶硅与栅氧化层之间还间隔有接触孔接膜层。本发明还公开了所述沟槽型双层栅MOS的工艺方法，通过本发明工艺制备的沟槽型双层栅MOS，解决了源端与漏端之间漏电的问题，提高了器件的击穿电压。
沟槽双层 mos 工艺方法

[发明专利]一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410458211.X有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对于n型器件，金属源电极的功函数较大，与其接触的石墨烯呈p型掺杂，金属漏电极的功函数较小，与其接触的石墨烯呈n型掺杂；p型器件的电极与n型器件相反；顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极与两电极之间的石墨烯上，顶栅电极位于顶栅介质层的上方，且与金属源电极和金属漏电极都交叠。该器件制备工艺简单，与传统的双层石墨烯场效应晶体管相比，此隧穿场效应晶体管的金属源电极和漏电极分别完成。
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]石墨烯网栅与双层金属网栅透明电磁屏蔽器件-CN201510449179.3有效
发明人：谭久彬;陆振刚;王赫岩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：具有双向吸波作用的石墨烯网栅/双层金属网栅透明电磁屏蔽器件属于光学透明件电磁屏蔽技术领域，该电磁屏蔽器件利用石墨烯网栅薄膜具有不同的网孔单元开孔面积比时表现出的不同透光和微波屏蔽特性，将石墨烯网栅薄膜的低反射和部分吸收微波特性与高透光双层金属网栅的强电磁反射特性有机结合，将多层石墨烯网栅薄膜置于双层金属网栅两侧构成多层层叠结构：用双层金属网栅作为透明反射层，用N层被透明介质分隔的石墨烯网栅薄膜作为透明吸收层；该结构可同时使器件两侧的射频辐射多次穿过吸收层被强吸收，实现双向的强屏蔽和低反射特性
石墨烯网栅双层金属网透明电磁屏蔽器件

[发明专利]一种T型栅HEMT器件及其制作方法-CN201110340571.6无效
发明人：魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种T型栅的HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。T型栅靠近源极的一侧在物理距离上更靠近沟道电子，增强了T型栅对沟道电子的控制能力，并且削弱了T型靠近漏极一侧的栅脚电场，使得器件的击穿电压升高。
一种型栅 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法-CN201310233771.0有效
发明人：张盛东;肖祥;迟世鹏;冷传利;邵阳 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅介质层和栅电极；在整个衬底上淀积一层含H覆盖层，然后对其进行热处理，使H扩散进入未被栅电极和栅介质所覆盖的沟道区外的金属氧化物中，形成重掺杂的低电阻率源漏区；制备接触孔和接触电极。本发明采用自对准双层沟道顶栅结构，能够降低源漏电阻，降低环境光对器件的影响，降低关态电流，提高器件的开态电流和迁移率。
一种对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种用于板栅分切的双层分切刀装置-CN202111184920.X有效
发明人：杜建民;吴云龙;吴建立;邱卫斌;黄炜;邓昀峰 -专利权人：浙江天能动力能源有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于板栅分切的双层分切刀装置，涉及蓄电池生产制造技术领域。本发明包括双层安装座、用于将浇铸完成的板栅进行输送的传送带和用于将浇铸完成的板栅进行分切的分切机构：传送带上依次的排列有浇铸完成的板栅；双层安装座底部固定安装有电机；电机的输出轴固定有转动盘；转动盘外表面周侧配合有传动杆；传动杆上传动连接有分切机构；分切机构包括有分切刀具、滑道导柱和分切台；双层安装座内侧部固定有双层分切台；双层分切台上固定有滑道导柱；滑道导柱滑道配合有分切刀具。本发明通过双层安装座的作用，将传送带和分切机构进行上下双层设计，具有极大的提高空间利用率和减少相对占地面积的优点。
一种用于板栅分切双层分切刀装置

[实用新型]一种具有双层换气栅的电气控制柜-CN201821881708.2有效
发明人：邱正兵;马鑫 -专利权人：四川森宝电气有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双层换气栅的电气控制柜，包括控制柜外壳，控制柜外壳内部靠近下方的位置开设有换气口，固定转轴上均固定连连接有换气网栅，控制柜外壳外部两侧的中间位置均固定连接有外支架，外支架的表面固定连接有清洁外刷该具有双层换气栅的电气控制柜，达到了实现换气栅的双层结构，同时双层换气栅可分开工作，便于换气栅的清洁和电气控制柜的持续工作，可对散热产生的风在再次利用，同时提高换气删自我清洁能力，降低劳动力的目的。
换气电气控制柜控制柜本实用新型喷管外壳外部出气外支架清洁外刷表面固定固定转轴均匀设置双层结构外壳内部再次利用自我清洁固定连换气口换气网可分开散热喷孔平行通气

[实用新型]双层锯栅塑料斗式滤饼锯破导落装置及相应防腐压滤机组-CN202122838465.2有效
发明人：苏志新;陈峰奎;周志玲;梁颖 -专利权人：景津装备股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B01D25/30 文献下载
摘要：本实用新型双层锯栅塑料斗式滤饼锯破导落装置及相应防腐压滤机组，创新方案的要点是：将现有的单层锯栅钢斗式滤饼锯破导落装置，改进为双层锯栅塑料斗式滤饼锯破导落装置，包括滤饼导落斗、双层锯饼栅、导落斗座，可将压滤机卸掉的腐蚀性滤饼两次破碎后导落到滤饼输送机上；双层锯饼栅的锯饼板分层交叉设置，滤饼掉落到锯饼栅上依靠重力自动破碎，下层锯饼栅将硬滤饼二次破碎，使破碎的滤饼顺利通过导落斗出料口；采用20mmPP塑料板热熔塑焊接而成。防腐压滤机组，使用该滤饼锯破导落装置，解决了碳钢锯破导落装置不适应腐蚀性滤饼，不锈钢锯破导落装置材料成本高，单层锯条栅对硬滤饼破碎效果较差、斗口卡塞的技术问题；满足了用户降本增效的需要。
双层塑料滤饼锯破导落装置相应防腐压滤机组

[发明专利]形成顶栅晶体管的方法-CN201280036030.7在审
发明人： A·弗莱斯纳 -专利权人：剑桥显示技术有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种在衬底上形成顶栅晶体管的方法包括：形成源电极和漏电极；在源电极和漏电极上形成有机叠层，有机叠层包括有机半导体层和有机半导体层上的有机电介质层；形成包括第一材料的第一层和不同的第二材料的第二层的栅双层电极；在栅双层电极上选择性地沉积掩模材料的区域；执行第一等离子体蚀刻步骤以通过使用掩模材料作为掩模去除部分第一栅层；以及执行第二等离子体蚀刻步骤以通过使用第一栅层作为掩模去除部分第二栅层和部分有机叠层，由此对栅双层电极和有机叠层进行图案化
形成晶体管方法

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