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[发明专利]一种LED芯片ITO腐蚀方法-CN202210942949.8在审
发明人：鲁日彬;林武;钟伟华;李慧敏;李景浩;蔡武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种LED芯片ITO腐蚀方法，对光刻后的LED外延片进行蚀刻，得到蚀刻后的LED外延片；对所述蚀刻后的LED外延片进行去胶，得到去胶后的LED外延片；对所述去胶后的LED外延片进行退火，得到成品
一种 led 芯片 ito 腐蚀方法

[发明专利]一种用于晶圆去胶的气体分配盘-CN202310724323.4在审
发明人：宋健;甘雨祥 -专利权人：吉姆西半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种去胶装置，尤其是一种用于晶圆去胶的气体分配盘，包括气体分配盘，所述气体分配盘从一端到另一端依次设有大孔组和小孔组，所述大孔组包括若干大通孔，所述小孔组包括若干小通孔，所述大通孔的孔径大于所述小通孔的孔径本发明提供的一种用于晶圆去胶的气体分配盘通过设置直径依次减小的大孔组和小孔组来提高均匀性。
一种用于晶圆去胶气体分配

[发明专利]一种碳纤维PLA复合线材及其制备工艺-CN202010614841.7有效
发明人：华明进 -专利权人：哈尔滨坤程科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： B29C48/05 文献下载
摘要：包含如下步骤：步骤一、设置放卷机构并且将浸泡装置设置在放卷机构的右侧；步骤二、将碳纤维通过放卷机构放入浸泡装置内进行去胶；步骤三、将去胶后的碳纤维进行烘干；步骤四、将烘干去胶后的碳纤维进行破碎并且与PLA
一种碳纤维 pla 复合线材及其制备工艺

[实用新型]一种化学去胶液加工成品浓度检测装置-CN202121845631.5有效
发明人：陈盛强 -专利权人：上海广思微净化设备有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学去胶液加工成品浓度检测装置，包括罐体、支腿、搅拌组件和浓度检测组件，所述罐体顶壁设有入口，所述支腿设于罐体底壁的四角处，所述搅拌组件设于罐体上，所述浓度检测组件设于罐体侧壁且设有两组本实用新型属于去胶液成品检测技术领域，具体是指一种可提高准确性的化学去胶液加工成品浓度检测装置。
一种化学去胶液加工成品浓度检测装置

[外观设计]晶圆片去胶机-CN202230443502.7有效
发明人：李志强;廖文晗;赵义党 -专利权人：珠海恒格微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：晶圆片去胶机。2.本外观设计产品的用途：用于晶圆去胶制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
晶圆片去胶机

[实用新型]一种接地电极结构及具有该接地电极的等离子腔室-CN201920790119.1有效
发明人：张志强;丁伟;彭帆 -专利权人：上海稷以科技有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本实用新型技术方案公开了一种接地电极结构及具有该接地电极的等离子腔室，应用于射频等离子去胶，其中，在所述接地电极的表面边缘位置处朝向中心位置处依次开设尺寸逐渐递减的多个穿孔圈。通过将接地电极表面的穿孔圈尺寸设置为由边缘位置处朝向中心位置处逐渐递减，降低了边缘位置处的气体的电离强度和等离子的密度，从而减小了接地电极和功率电极的中心位置处的去胶速率，提高了去胶均匀性。
接地电极中心位置处去胶边缘位置逐渐递减穿孔表面边缘位置接地电极结构本实用新型等离子腔室射频等离子尺寸设置功率电极等离子电离均匀性减小应用

[实用新型]一种提升等离子体工艺腔室内刻蚀速率的离子筛网-CN202321029584.6有效
发明人：张志强 -专利权人：上海稷以科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型与现有技术相比的优点是：在使用去胶设备在进行去胶工艺时，在固定的工艺配方情况下能更快更稳的提高刻蚀速率，缩短工艺配方时间，提升生产效率，刻蚀更加彻底，提升去胶设备的工艺性能。
一种提升等离子体工艺室内刻蚀速率离子筛网

[发明专利]一种带输送线的去除镜片附件装置-CN201510251625.X在审
发明人：欧阳晓勇;许生炎;曾金芳;张国军;周金龙;王云 -专利权人：江苏万新光学有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B29C37/00 文献下载
摘要：一种带输送线的去除镜片附件装置，由输送线（1）、上料工位（2）、去夹工位（3）、去胶工位（4）、控制柜（5）、人机界面（6）、清理工位（7）、设备护罩（8）、收集箱（9）组成，输送线（1）上方左端设置有上料工位（2），去夹工位（3）设置在输送线（1）中间位置且设置在设备护罩（8）内部，去胶工位（4）设置在输送线（1）中部靠右位置且处于去夹工位（3）的输出端，其特征在于：所述的收集箱（9）通过导料槽（5-2）与去夹工位（3）和去胶工位（4）连接在一起，去掉的夹子和胶圈分别掉入到对应的收集箱（9）中。本发明，结构紧凑、设计合理，通过输送线连续运动，去夹工位和去胶工位相互配合，提高了作业效率，减少了人工成本。
一种输送去除镜片附件装置

[发明专利]电路板水平沉铜去胶工艺-CN202110873839.6在审
发明人：吴年升;赖俊崇 -专利权人：江门市浩远电子科技有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送，依次经过以下处理步骤：膨松、除胶、预中和、中和、清洁、微蚀、活化、还原、沉铜，最后经过风干后出板，得到电路板。本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺所得镀层具有绝佳的镀层覆盖能力，采用本发明的水平沉铜去胶可以使内层铜与孔铜具有较佳的结合力，获得优良可靠的化学铜沉积层，对于盲孔、通孔均能沉积良好的化学铜层。此外，本实施例的电路板水平沉铜去胶工艺，电路板基材沿输送带水平输送进行各个加工步骤，自动化程度高，工人工作强度低，水平输送也便于对系统进行密封，减少对周边环境的影响。
电路板水平沉铜去胶工艺

[发明专利]一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法-CN202111596776.0在审
发明人：修洋;何孝鑫;李书梦;吕毛串;张尼尼;顾凯 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜前AL制品去胶清洗的方法，包括以下步骤：步骤一，准备带有残胶液的半导体芯片制品，将制品转移至花篮中；步骤二，准备石英缸将有机溶剂导入石英缸中；步骤三，将装有残胶芯片的花篮转移至有机清洗溶剂中，进行去胶清洗；步骤四，通过工装夹具将去胶后装有芯片的花篮转移到下个槽体中进行上道残液清洗；步骤五，通过工装夹具将花篮转移至去离子水中进行循环冲洗，清洗上道残液及颗粒。本发明改善了传统贴膜保护正面金属的方式，在蒸镀前进行去胶清洗要求且要保护正面金属的方式时；增加了芯片镀膜前清洗的方式，该方法清洗的芯片满足客户要求且价格成本低廉，具有优良的综合性应用。
一种镀膜 al 制品清洗方法

[发明专利]一种全自动去胶机-CN202210051241.3在审
发明人：张飞;李建华;刘永兴;詹登星;蔡文文;曾令锐 -专利权人：东莞市安动半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明属于去胶机技术领域，具体为一种全自动去胶机，包括：机体、放置机构、机械手机构、去胶机构和冷却机构，所述机体上安装有风机过滤机组和控制电脑；所述放置机构设置于所述机体上，用于放置产品；所述机械手机构包括安装于所述机体且位于所述放置机构侧的驱动器本发明中，通过放置机构、机械手机构和去胶机构的搭配使用，只需将产品放置于放置机构，后续上下料均采用机械手机构的自动化操作，大大减少了人工作业量，提高了产品的清洗效率，且自动化操作不存在人工安全隐患，更为合理
一种全自动去胶机

[发明专利]一种钕铁硼多线煮料防氧化方法-CN202211164169.1在审
发明人：张震 -专利权人：安徽省瀚海新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23G1/19 文献下载
摘要：本发明涉及钕铁硼生产技术领域，特别涉及一种钕铁硼多线煮料防氧化方法，所述的方法包括将待去胶的钕铁硼浸没到弱碱性盐水溶液中浸泡处理，接着转移至沸水中蒸煮处理，即得钕铁硼成品；本发明通过将待去胶的钕铁硼完全浸没到弱碱性盐水溶液中进行浸泡处理，利用碱性环境来溶解、中和钕铁硼加工过程中使用的502磁材胶水，然后再转移至沸水中进行蒸煮，利用沸腾的水进一步溶解去除钕铁硼表面的残胶，达到去胶的目的；相比于现有技术直接将待去胶的钕铁硼置于碱性溶液中进行蒸煮的手段
一种钕铁硼多线煮料防氧化方法

[发明专利]一种用于干法去胶后清除残胶的方法-CN202110505739.8在审
发明人：叶联;彭泰彦;车东晨;陈兆超;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于干法去胶后清除残胶的方法，采用在晶圆与热台不接触结合接触(Pin Up结合Pin down模式)的方式，优化了工艺过程，开始时向刻蚀腔体内通入水和氧气不加上射频来起到软化胶的作用，之后向刻蚀腔体内通入水同时启动微波源，射频功率会影响胶的软化效果，最后关闭微波源，继续向刻蚀腔体内通入水、氧气和氮气，重复操作，即可完成去胶。本发明能够在大规模集成电路工业制造环境下应用，是通过改变干法去胶过程中晶圆与热台的接触在微波源射频功率作用下去胶，以及晶圆与热台不接触模式无射频功率软化胶，和制造过程中的优化方法。
一种用于干法去胶后清除方法

[发明专利]Rogers平板电容及其制备方法-CN201510968157.8有效
发明人：洪火锋;窦增昌;王秀平;赵影;何宏玉;李明 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：平板电容及其制备方法，该制备方法包括：1)将基片依次经过丙酮溶液、去油液进行清洗，然后经过酸洗液进行酸洗；2)将基片进行光刻处理；3)将光刻处理后的基片的表面进行电镀处理；4)将基片的表面上的未变性的感光胶通过去胶液进行去胶处理；5)将去胶处理后的基片通过铜刻蚀液进行刻蚀处理；6)将刻蚀处理后的基片进行清洗以制得Rogers平板电容；其中，去油液含有碳酸钠、磷酸钠和乳化剂，酸洗液含有硫酸和三氧化铬；铜刻蚀液含有三氧化铬、氯化钠、硫酸和水；去胶液为碱液；基片为Rogers覆铜板。
平板电容制备光刻处理三氧化铬铜刻蚀液去胶液去油液酸洗液刻蚀去胶硫酸清洗氯化钠丙酮溶液电镀处理覆铜板感光胶磷酸钠乳化剂碳酸钠变性碱液酸洗生产

[发明专利]半导体硅片的去胶工艺腔及去胶方法-CN201110457977.2有效
发明人：张晨骋 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅片的去胶工艺腔，工艺腔内部的一端具有承载硅片的底部平台，底部平台的周围均匀分布多个升降立柱，升降立柱顶部设置有伸缩元件，工艺腔内部的另一端固定有一护罩，护罩内具有等离子体发生装置，本发明还提供一种半导体硅片的去胶方法。本发明提供的半导体硅片的去胶工艺腔以及去胶方法，使两片硅片能够同时进行干法工艺和湿法工艺，极大地提高了工艺生产效率。
半导体硅片工艺方法