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[发明专利]铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅-CN202011205548.1有效
发明人：雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。
铸造单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法-CN202211209318.1在审
发明人：王学云;高子岩;洪家旺 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑铁电畴构型的方法，包括：原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上；采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕；转移至加热台进行升温至80℃～120℃，将原始片状单晶与基底分离；将原始片状单晶转移至坩埚中，采用多晶粉末进行包埋，并将坩埚置于箱式炉内；将温度从室温升到1450℃～1500℃，保温5min～10min，对原始片状单晶进行热处理；恢复至室温，从坩埚中获取目标片状单晶，目标片状单晶的铁电畴在压痕附近呈六重对称涡旋型分布。通过室温下的纳米压痕/划痕在六角锰氧化物片状单晶中引入应力/应变，能够精确局域控制单晶自发形成的拓扑保护铁电畴构型。
一种通过纳米压痕划痕调控拓扑铁电畴构型方法

[实用新型]低压降二极管P-N结结构-CN201920323841.4有效
发明人：王成森;潘建英;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：所述P‑N结结构包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层与N‑原始单晶层形成二极管阴极层，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，其中所述P型阳极层的下表面设置有向所述N‑原始单晶层内部延伸的凸起，所述凸起与其上侧部分的P型阳极层形成深P阱阳极区，所述深P阱阳极区的两侧为P型浅结阳极区。
原始单晶阳极层阳极区低压降二极管衬底层下表面深P阱凸起本实用新型二极管技术二极管阴极二极管阳极面积增加内凹结构内部延伸上表面浅结压降有向芯片

[发明专利]图控化程序单晶片的方法-CN200910142346.4无效
发明人：李彦绪;李水竹;林祥民 -专利权人：紘康科技股份有限公司
申请日： 2009-06-01 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于一单晶片的图控化程序方法，其中所述单晶片具有一功能说明表及多个控制暂存器；而所述方法包含下列步骤：a)提供一图控化接口，做为使用者与所述单晶片的中介，其中所述图控化接口更包含有多个对应开关图示，用以对应所述功能说明表；b)读取所述单晶片上的所述多个控制暂存器之一的所述原始功能数值，并将所述原始功能数值以多个对应开关图示显示于所述图控化接口，以令一使用者通过所述图控化接口获得所述多个控制暂存器的所述原始功能数值；以及c)点选至少一对应开关图示，以将所述原始功能数值更改为一更新功能数值，进而达到直接以图控化程序所述单晶片的目的。
图控化程序晶片方法

[发明专利]低压降二极管及其制备方法-CN201910189075.1在审
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压降二极管及其制备方法，所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面制备二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[实用新型]低压降二极管-CN201920316249.1有效
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面本实用新型二极管技术二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[发明专利]一种功率器件的衬底的制造方法和控制器-CN201711389940.4在审
发明人：王新 -专利权人：深圳市麦思浦半导体有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该方法包括：获取原始单晶片N‑；在所述原始单晶片N‑的背面上，刻蚀至少一个凹槽；在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，制造出由所述正面为N‑层和所述背面为N+层构成的功率器件的衬底。本申请在制造功率器件的衬底时，先在原始单晶片N‑的背面上刻蚀凹槽，然后再在刻蚀有所述凹槽的所述背面形成N+层，从而制造成功率器件的衬底。相对于现有技术在原始单晶片N‑的背面上先形成N+层再在N+层刻蚀凹槽，本申请可以节省在所述背面形成N+层的形成时间，降低生产成本，最终节省了衬底的生产时间和生产成本。
一种功率器件衬底制造方法控制器

[发明专利]一种单晶硅棒的制造方法-CN201910713504.0有效
发明人：周嘉浩;李强;涂准 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种单晶硅棒的制造方法，所述单晶硅棒的制造方法包括：将原生多晶硅料装入坩埚中；加热熔化所述坩埚内的原生多晶硅料，得到原始硅液；将所述原始硅液进行提纯，得到硅液；在所述硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒，其中，在所述等径操作过程中发生晶棒断线时，执行重新熔化所述晶棒断线处的固态硅以及续接拉晶的操作。本发明实施例中可以提高单晶硅棒的品质，降低所述单晶硅棒的断线率，提高所述单晶硅棒的整根率。在所述单晶硅棒用于生产多晶硅时，可以相应提高所述多晶硅的品质。
一种单晶硅制造方法

[发明专利]一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法-CN200310112908.3在审
发明人：肖清华;屠海令;周旗钢;王敬 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法。可用于消除硅单晶片表面的晶体原生颗粒缺陷，即消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷。本法以直拉法生长的硅单晶片为原始硅片，将低剂量重离子Ge⁺或Si⁺注入到原始硅片的表层中，使其非晶化，再用快速热退火或炉退火使硅片表面的非晶化层，固相外延、重新结晶
一种消除晶片器件制作原生缺陷方法

[发明专利]硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法-CN202011145590.9有效
发明人：耿文平;丑修建;杨翔宇;毕开西;何锦龙;薛刚;李雅青;郑东宛 -专利权人：中北大学
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本申请公开了硅基/铁电单晶材料低温晶圆键合及薄膜化加工方法，包括：化学机械抛光原始基板与目标基板；第一次清洗后在原始基板磁控溅射Ti/Pt/Ti电极层；在原始基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化层；化学机械抛光原始基板表面氧化层；第二次清洗后在原始基板和目标基板上进行第一次等离子体活化；第三次清洗后在原始基板和目标基板上进行第二次等离子体活化；采用甲醇浸泡原始基板与目标基板；预键合、施压并低温退火后完成键合本申请在低温条件下完成了硅基/铁电单晶直接键合，实现了高品质、大面积、低应力铁电单晶薄膜的制备，键合界面无空洞，键合强度、薄膜质量满足器件制作要求。
硅基铁电单晶材料低温晶圆键合薄膜加工方法

[发明专利]柔性基板剥离方法-CN201611151941.0有效
发明人：王选芸 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：对单晶硅片表面进行氧化，以获取第一氧化层。对单晶硅片进行第一次离子注入，以将离子注入单晶硅片中。利用第一氧化层，将注入离子的单晶硅片与玻璃基板进行低温键合，以获取键合片。对键合片进行退火处理，以使单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在玻璃基板表面；对退火处理后的键合片进行第二次离子注入，以获取原始基板。在原始基板表面完成AMOLED工艺，以获得柔性基板。
柔性剥离方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110862262.9在审
发明人：辜艺敏;张赟;倪贤锋;范谦;顾星 -专利权人：东南大学苏州研究院
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括多晶金刚石层，多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层，将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法-CN201410252850.0有效
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，该方法包括通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起本发明的方法，可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。
一种制造化学计量薄膜方法

[发明专利]GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法-CN200710165941.0无效
发明人：郑镇石;李基秀;金京俊;李柱宪;秦昌旭 -专利权人：三星康宁株式会社
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓单晶衬底的表面加工方法，包括下列步骤：将置于支架台上的氮化镓原始衬底的顶面和底面平面化；将波长在370～800nm范围内的光线照射在所述被加工成平面的氮化镓原始衬底上；测量所述氮化镓原始衬底的透射率通过所述表面加工方法抛光其两面得到的氮化镓单晶衬底在用波长在370～800nm范围内的光线测量时具有65～90％的高透射率。并且，在所述氮化镓单晶衬底两面的损伤层的厚度比(DL_a/DL_b)在0.99～1.01的范围内。
gan 衬底表面加工方法

[发明专利]一种镍基单晶高温合金γ′相的检测方法及相关装置-CN202310931566.5在审
发明人：滕超逸;周静怡;刘昌奎 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍基单晶高温合金γ′相的检测方法及相关装置，包括：设置镍基单晶高温合金样品中待检测区域的放大倍数；获取镍基单晶高温合金样品中铬元素和铝元素的原始数据；基于原始数据确定铬元素的峰值位置百分比和铝元素的峰值位置百分比；若镍基单晶高温合金样品中当前像素点满足预设识别条件，则识别为γ′相，统计镍基单晶高温合金样品满足预设识别条件的γ′相的数量，其中，预设识别条件包括：当前像素点的百分比小于铬元素的峰值位置百分比大于铝元素的峰值位置百分比；基于该数量，确定镍基单晶高温合金样品中γ′相的含量。
一种镍基单晶高温合金检测方法相关装置

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