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[发明专利]可编程存储器及其写入和读取方法-CN201110042004.2有效
发明人：纪世昌;刘祥生;孙国瑞;张彦闵 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明提供一种可编程存储器及其写入和读取方法，该可编程存储器包含多个单次可编程存储器单元、一搜寻单元、一写入单元及一读取单元。所述多个单次可编程存储器单元对应多个地址。该搜寻单元用以在一写入动作中自所述多个单次可编程存储器单元中，搜寻最接近的可写入可编程存储器单元，或在一读取动作中自所述多个单次可编程存储器单元中，搜寻最后一组已程序化存储器单元。该写入单元用于自该最接近的可写入可编程存储器单元，紧接地写入一输入数据的位元长度以及该输入数据。该读取单元用于自该最后一组已程序化的存储器单元中依序读取数据。本发明提供的包含多个单次可编程存储器单元的可编程存储器具有合理应用存储空间的优点。
可编程存储器及其写入读取方法

[发明专利]单次可编程存储器的数据编程电路及方法-CN201010593619.X无效
发明人：陈永纬 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明是一种单次可编程存储器的数据编程电路及方法。所述数据编程电路包括一单次可编程存储器以及一控制单元。所述控制单元将一只读存储器码的多个区段储存至所述单次可编程存储器的一闲置空间内，以及对应于所述多个区段中具有相同内容的区段，所述控制单元将一特定地址储存至所述单次可编程存储器内。
可编程存储器数据编程电路方法

[发明专利]电压调整装置-CN200710003875.7无效
发明人：杨鸿铭;黄国展;卜令楷 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：数据读写电路包括单次可编程存储器模块与控制接口单元。单次可编程存储器模块包括数个单次可编程存储器。控制接口单元依据控制讯号输出共同电压设定数据，并选择性地储存共同电压设定数据于单次可编程存储器模块中的尚未写入的单次可编程存储器。输出电路包括参考电压产生器与数字模拟转换器(DAC)。数字模拟转换器依据参考电压对共同电压设定数据进行数字模拟转换，以输出输出电压。
电压调整装置

[发明专利]单次可编程存储器的数据编程电路及方法-CN201010602829.0有效
发明人：陈永纬 -专利权人：慧荣科技股份有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明公开一种单次可编程存储器的数据编程电路及方法。数据编程电路包括单次可编程存储器及控制单元。单次可编程存储器用以储存对应于第一版本的只读存储器码的第一版本编码数据。控制单元用以将第二版本的只读存储器码储存至单次可编程存储器。控制单元根据第一版本编码数据及第二版本的只读存储器码产生匹配表，并从匹配表中找出具有相同的数据内容的第一版本编码数据的第一数据片段及第二版本的只读存储器码的第二数据片段。控制单元将第二数据片段编码为特定地址并储存至单次可编程存储器，其中特定地址是指向单次可编程存储器中第一版本编码数据的第一数据片段。
可编程存储器数据编程电路方法

[发明专利]一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法-CN201310466671.2有效
发明人：朱潇挺;蒋振雷 -专利权人：无锡纳讯微电子有限公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法，包括上位机、接口电路、总线控制器以及单次可编程存储器，上位机通过接口电路与总线控制器连接，总线控制器同时与单次可编程存储器连接，上位机通过一根数据线与接口电路连接，并通过本发明的控制方法完成对接口电路输入的数据的解析以及产生控制存储器的完整的控制信号。
一种用于控制可编程存储器控制电路及其方法

[发明专利]单次可编程存储器电容结构及其制作方法-CN202111313571.7在审
发明人：李国兴;苏柏文;吴建良;薛胜元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种单次可编程存储器电容结构及其制作方法，其中该单次可编程存储器电容结构包括半导体基底、下电极、电容绝缘层及金属电极堆叠结构。所公开的单次可编程存储器电容结构的制作方法，借由绝缘牺牲层的设置，可避免先形成的下电极被后续蚀刻等制作工艺影响而损坏，使得单次可编程存储器电容结构具有较佳的电气特性。
可编程存储器电容结构及其制作方法

[发明专利]存储器器件及其操作方法-CN202110679043.7在审
发明人：李伯浩;李嘉富;史毅骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种存储器器件，包括多个磁阻随机存取存储器单元，该等磁阻随机存取存储器单元包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。第一一次性可编程选择晶体管连接至第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。该第一一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。本发明的实施例还公开了一种操作存储器器件的方法。
存储器器件及其操作方法

[发明专利]一次可编程存储单元、存储器及其操作方法-CN201010264413.2无效
发明人：周鹏;孙清清;吴东平;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其操作方法。该OTP单元包括上电极和下电极，以及置于所述上电极和下电极之间的、作为存储介质层的氧化石墨烯层。该OTP单元的编程操作方法，是在所述上电极和下电极之间偏置编程电信号，使氧化石墨烯层实现在一定加热条件下转变导电的低阻态。该OTP存储器包括一次可编程存储单元阵列，所述一次可编程存储单元阵列包括按行和列排列的多个以上所述的可编程存储单元。本发明的一次可编程存储单元可以用作一次可编程存储器的存储介质层，实现基于氧化石墨烯层的一次可编程存储器。
一次可编程存储单元存储器及其操作方法

[发明专利]空间辐射环境下可编程SOC器件单粒子翻转检测系统及方法-CN201610933259.0有效
发明人：王少军;马宁;厉明坤;刘大同;彭宇;彭喜元 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种空间辐射环境下可编程SOC器件单粒子翻转检测系统及方法，为了解决现有单粒子翻转检测技术中片外控制器测量方式存在系统复杂度较高、总体体积较大、开发难度大等问题，而提供一种基于片内自检测的空间辐射环境下面向可编程SOC芯片单粒子翻转检测系统及检测方法。空间辐射环境下可编程SOC器件单粒子翻转检测系统，包括处理系统、可编程逻辑、Flash存储器以及DDR存储器，处理系统具有Flash存储器接口、DDR存储器接口以及配置回读接口，分别用于与Flash存储器、DDR存储器以及可编程逻辑连接；处理系统用于实现对可编程逻辑的配置回读功能和回读结果的对比验证功能。本发明适用于空间飞行器。
空间辐射环境可编程 soc 器件粒子翻转检测系统方法

[发明专利]一种一次性可编程存储器及其操作方法-CN202010264644.7在审
发明人：晏颖;金建明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种一次性可编程存储器及其操作方法。上述一次性可编程存储器包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，电熔丝结构的一端与反熔丝晶体管的栅端电连接构成一次性可编程存储器的第一端口，电熔丝结构的另一端与反熔丝晶体管的源端电连接并连接至字选择晶体管的漏端，字选择晶体管的栅端和源端分别构成一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。本发明还提供了上述一次性可编程存储器的操作方法。根据本发明提供的一次性可编程存储器及其操作方法，能够使得一次性可编程存储器具备一次可修正的能力，从而能够在保持一次性可编程存储器可靠性与安全性的情况下，扩大一次性可编程存储器的使用灵活性。
一种一次性可编程存储器及其操作方法

[发明专利]一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法-CN202010196359.6有效
发明人：孙杰杰;于跃;赵桂林;杨霄垒;曹靓 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，属于CMOS集成电路技术领域。通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；再次对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行动态老炼，诱导有潜在缺陷的芯片发生早期失效；进行全片读取校验，剔除发生错误的芯片。
一种一次可编程存储器芯片进行筛选方法

[发明专利]一种电源开关电路和一次性可编程存储器-CN202210112331.9在审
发明人：林典鹏;蔡江铮;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电源开关电路和一次性可编程存储器，涉及电路领域，能够缓解因一次性可编程存储器中的CORE管长时间承受较高的IO电压，影响器件的稳定性，导致误编程的问题。具体方案为：电源开关电路用于在一次性可编程存储器编程时为一次性可编程存储器中的存储单元阵列提供编程电压，电源开关电路包括第一输入接口，第一输入接口用于接收编程控制信号，编程控制信号用于控制一次性可编程存储器是否处于编程模式；其中，在一次性可编程存储器处于编程模式且写入时，电源开关电路的输出端的电平与编程控制信号的电平一致。
一种电源开关电路一次性可编程存储器

[实用新型]一种基于现场可编程逻辑的可配置片上系统-CN200920222711.8有效
发明人：王强;朱建彰;薛庆华;刘成利;王海力;李长青 -专利权人：雅格罗技(北京)科技有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型披露一种基于现场可编程逻辑的可配置片上系统，其包括现场可编程逻辑，微控制器和一次性可编程存储器，其中现场可编程逻辑用于实现用户可定义的逻辑，微控制器用于控制一次性可编程存储器，一次性可编程存储器用于存储所述用户可定义的逻辑；所述现场可编程逻辑、微控制器和一次性可编程存储器两两之间双向连接形成数据通路，用于传输数据，所述每一路数据通路均可控制联通或者断开。
一种基于现场可编程逻辑配置系统

[发明专利]一次可编程只读存储器测试方法及一次可编程只读存储器-CN201010289185.4无效
发明人：孙博文;王艳东;刘云龙;李洛宇;李晓辉;胡镭;张灯 -专利权人：深圳市国微电子股份有限公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明适用于集成电路设计领域，提供了一种一次可编程只读存储器测试方法及一次可编程只读存储器，所述方法包括下述步骤：在所述一次可编程只读存储器所划分的每个存储模块中加入至少一个测试单元，以及用于测试的灵敏放大器和编程控制模块；将所述测试单元的字线和位线、地址输入引脚、数据输入/输出引脚、控制信号引脚、地址译码以及控制逻辑与所述一次可编程只读存储器存储单元的字线和位线、地址输入引脚、数据输入/输出引脚、控制信号引脚、地址译码以及控制逻辑复用；控制所述一次可编程只读存储器进入测试模式，比较所述测试单元的写入数据和读出数据，测试所述一次可编程只读存储器的功能。本发明能实现存储器功能和性能的完整测试，又不影响正常的存储单元。
一次可编程只读存储器测试方法

[发明专利]三状态一次可编程存储器元件-CN200710149390.9有效
发明人：胡永中;张育诚;戴嵩山 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种进行编程，试验和调整操作的方法。该方法包括应用编程电路编程一次可编程存储器以探测和读出一次可编程存储器的三个不同状态之一的步骤，用一次可编程存储器的三个状态之一实行调整操作，由此实现对一次可编程存储器元件更高的利用。选择一次可编程的两个导电电路并将其编程为两个不同的操作特性因此而能实现存储和读出一次可编程存储器的三个不同的状态之一。该两个导电电路可以包括两个不同的晶体管，用于编程为具有不同的电流传导特性的线性电阻和非线性电阻。所述编程处理包括施加高电压和不同的编程电流，因此而产生该两个晶体管的不同的工作特性。
状态一次可编程存储器元件

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