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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于三维点云模型的单晶硅棒外形尺寸测量方法-CN201710088274.4有效
发明人：田庆国 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G06T7/62 文献下载
摘要：一种基于三维点云模型的单晶硅棒外形尺寸测量方法：垂直于单晶硅棒三维点云模型的轴线方向进行分层，共计N层；分别计算每一层横截面轮廓点云的几何中心点；对N个几何中心点进行直线拟合，得到单晶硅棒的几何中心轴线；计算单晶硅棒点云模型中任一点到拟合几何中心轴线的距离；所得单晶硅棒三维点云模型中最大y坐标和最小y坐标的差值即为该单晶硅棒的高度值。本发明可以有效避免由于单晶硅棒表面形状复杂多变以及工人通过游标卡尺等工具手工测量产生的误差。该专利算法简便易行，复杂度低，准确性高，数据易于保存和传输，可实现自动化测量，可有效提高单晶硅棒外形尺寸的测量效率和精度，为单晶硅片生产提供高效的质量保证。
基于三维模型单晶硅外形尺寸测量方法

[发明专利]电解加工用微细单晶硅工具电极及其制备方法-CN201610909851.7有效
发明人：李勇;刘国栋;周凯;佟浩 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B23H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电解加工用微细单晶硅工具电极，其包括电极夹持部和电极加工部，该电极加工部设置于所述电极夹持部，该电极夹持部和电极加工部的材料是高浓度掺杂的单晶硅，且电极夹持部和电极加工部的表面设置有侧壁绝缘层另外，本发明还涉及一种电解加工用微细单晶硅工具电极的制备方法。
电极加工电极夹持部单晶硅工具电解加工微细电极制备微细电解加工单晶硅侧壁绝缘层高浓度掺杂表面设置

[实用新型]单晶硅棒料开方检验设备组合-CN200920042955.8无效
发明人：施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅晶片的制造设备的组合结构，具体是一种用来对单晶硅棒料进行检验的单晶硅棒料开方检验设备组合。该单晶硅棒料开方检验设备组合包括有尺寸测量及划线工具、红外测试仪和少子测试机，所述测量及划线工具、红外测试仪和少子测试机三个部分依次排布，三个部分之间通过自动传送带连接。
单晶硅开方检验设备组合

[实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器-CN201520352531.7有效
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器，包括：衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；单晶硅墙，凸出设置于衬底单晶硅层表面，所述单晶硅墙的侧表面覆盖有介质层；第一外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面；第二外延单晶硅层，位于所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面；图像传感器的部分器件，位于所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中。本实用新型有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器

[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法-CN201510280051.9在审
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；刻蚀所述衬底单晶硅层以形成若干凸起的单晶硅墙，所述单晶硅墙的顶表面和侧表面覆盖有介质层；选择性外延所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面以形成第一外延单晶硅层，去除覆盖单晶硅墙顶表面的介质层以暴露出单晶硅墙顶表面，选择性外延所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面以形成第二外延单晶硅层；在所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器制作方法

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN201910159650.3有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。
单晶硅制备方法应用

[发明专利]超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒-CN202011433010.6在审
发明人：夏秋良;刘坤 -专利权人：新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒，涉及单晶硅加工技术领域，本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，包括以下步骤：加热单晶硅原料的底部，待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料；随着单晶硅原料被拉升，减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法，可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面，且可降低产生断线的几率。
超大尺寸半导体单晶硅生长方法

[发明专利]单晶硅状态检测装置-CN201310154778.3无效
发明人：李佳 -专利权人：苏州工业园区高登威科技有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种单晶硅状态检测装置，包括用来检测单晶硅表面是否具有缝隙的第一检测器以及用来检测单晶硅缝隙位置的第二检测器。与现有技术相比，本发明所述单晶硅状态检测装置能够识别出单晶硅是否为拼接单晶硅，并反馈出用来拼接的单晶硅数量以及相应单晶硅的长度。
单晶硅状态检测装置

[实用新型]一种单晶硅棒拉制装置-CN202222092534.4有效
发明人：邓浩;文永飞;马少林;周锐;李侨;丁彪 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制装置。单晶硅棒拉制装置包括：主炉体；坩埚，坩埚设置于所述主炉体内，用于容纳硅料；加热器，加热器设置于主炉体内，用于将坩埚内的硅料加热成硅液，以从硅液中生长单晶硅棒；以及传热组件，传热组件设置于所述单晶硅棒拉制装置内，传热组件在单晶硅棒通过时至少部分与单晶硅棒接触，以传导单晶硅棒的热量。本申请实施例中，传热组件可以至少部分与单晶硅棒接触，以将单晶硅棒的热量通过接触式传导的方式快速传导至传热组件，以提高单晶硅棒的纵向温度梯度，提高单晶硅棒的晶体生长速度，从而，增大单晶硅棒的拉制效率并降低单晶硅棒的生产成本
一种单晶硅拉制装置

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN202080010693.6有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。以及一种太阳能电池组件，其采用该制备方法制得的条状直角单晶硅片。
单晶硅制备方法应用

[实用新型]单晶硅取锭运锭车-CN200820031913.X有效
发明人：吴伟忠;毛和璜;程宜红 -专利权人：常州有则科技有限公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型是提供一种在单晶硅拉制炉前安全便捷承接从单晶硅拉制炉的高位取出单晶硅硅锭，放置6－7小时后，待单晶硅硅锭冷却后，运送到下一道工序进行再加工的单晶硅取锭运锭车。单晶硅取锭运锭车由车身、车把和车轮组成。单晶硅取锭运锭车运锭时，长撑脚着地时，车身和左、右车梁与地面成15°－20°；单晶硅取锭运锭车取锭时，短撑脚着地时，车身和车斗均与地面垂直。该设备结构设计合理，抗震性能好、使用方便，安全省力，美观大方，是太阳能硅片生产流程中的优选承载运输工具。
单晶硅取锭运锭车

[发明专利]单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器-CN200510092880.0无效
发明人：涂相征;李韫言 -专利权人：李韫言
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构主要包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层；处于单晶硅衬底边缘表面的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；由外延单晶硅框架所围绕，处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形成，多孔硅上外延生长，以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅结构，器件性能可以得到很大改进，制造成本也能大幅度降低。
单片单晶硅微机加工电容压力传感器

[发明专利]单晶硅基板的制造方法-CN202210975661.0在审
发明人：伊贺勇人;田畑晋;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B23K26/08 文献下载
摘要：本发明提供单晶硅基板的制造方法，生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。
单晶硅制造方法

[发明专利]绝缘体上的硅衬底的制造方法-CN96123922.0无效
发明人：阿闭忠司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-12-12 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：常规SOI衬底制造方法使用湿法刻蚀除去多孔单晶硅区，难于高真空中控制SOI衬底的浓度，会降低产生率。这里的方法包括在有至少具有多孔单晶硅区的单晶硅衬底上的多孔单晶硅区表面上形成无孔单晶硅区；借助于绝缘区将支撑衬底键合到所述无孔单晶硅区的表面上；以及除去所述多孔单晶硅区，其中除去多孔单晶硅区的步骤包括进行干法刻蚀的步骤，在此步骤中，多孔单晶硅区的刻蚀速率大于无孔单晶硅区的刻蚀速率。
绝缘体衬底制造方法

[发明专利]一种单晶硅棒称重装置-CN202010394949.X在审
发明人：郭志锋 -专利权人：郭志锋
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒称重装置，其结构包括机体、称台、单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒、双向液压缸、移动式称重体、单晶硅棒第二提升机构、伸缩架，移动式称重体通过伸缩架与机体连接，移动式称重体顶部连接有称台，与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过单晶硅棒第一提升机构、单晶硅棒第二提升机构能够对单晶硅棒进行夹紧提升，后下降轻放于称台，防止单晶硅棒与称台的刚性碰撞，对单晶硅棒起到很好的保护作用，无须人工将单晶硅棒搬运到称台上进行称重，能够有效解决人工搬运单晶硅棒放置造成单晶硅棒磕碰受损的问题。
一种单晶硅称重装置

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