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- [发明专利]窄谱带蓝光Cu-Ga-S/ZnS纳米晶的制备方法-CN202310858144.X在审
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唐爱伟;牛文韬
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北京交通大学
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2023-07-13
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2023-10-17
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C09K11/62
- 本发明提供一种窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶的制备方法,属于量子点合成技术领域,基于热注射法制备窄谱带蓝光Cu‑Ga‑S/ZnS纳米晶,制备使用的药品为IB族、IIIA族金属盐及VIA族单质、化合物;光致发光光谱半峰全宽小于本发明Cu‑Ga‑S纳米晶使用ZnS壳层包覆后,在量子点表面形成梯度分布的富锌合金结构,在470‑480nm处出现明显的窄谱带光致发光峰,半峰全宽为36‑46nm,实现了窄谱带发光特性,具有构筑电致发光器件的前景;具有优异的结晶性、分散性及发光特性,做为发光层进行电致发光二极管的构筑,能够获得高色纯度的无镉QLED器件;合成方式简便,材料廉价易得,原材料无毒无害,反应时间较短,便于产业化大批量生产。
- 窄谱带蓝光cugazns纳米制备方法
- [实用新型]一种PCI_E支架结构-CN201721048699.4有效
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迟秀
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郑州云海信息技术有限公司
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2017-08-21
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2018-04-06
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G06F1/18
- 本实用新型的目的在于提供一种PCI_E支架结构,用于解决在节约安装空间的前提下,实现对半高扩展卡和全高扩展卡的安装。它包括半高支架和全高支架;半高支架与全高支架均采用L型结构;所述半高支架和全高支架通过连接件连接,半高支架和全高支架上设有用于和机箱连接的固定连接螺孔。本实用新型内的有益效果本实用新型实施例中结构设计合理,在满足扩展卡安装需要的基础上,充分考虑对半高扩展卡和全高扩展卡的安装要求,合理节约安装空间;本装置具有良好的结构强度和散热性;另外,装置安装方便灵活
- 一种pci_e支架结构
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