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[发明专利]一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法-CN202310175057.4在审
发明人：刘珩;张萌;冷江华;关天鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/00 文献下载
摘要：本申请提供一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法，包括：提供的衬底包括半浮栅器件区域和逻辑器件区域，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，在衬底上形成一保护层；去除位于半浮栅器件区域的保护层；在半浮栅器件区域的衬底中形成多个凹槽；在半浮栅器件区域的衬底和凹槽的内壁上形成栅极介质层；刻蚀栅极介质层以露出部分衬底，形成接触窗口；在半浮栅器件区域形成半浮栅结构，其通过接触窗口与衬底直接接触；去除保护层；在衬底上形成多个牺牲栅极结构，位于半浮栅器件区域的牺牲栅极结构覆盖半浮栅结构的两侧侧壁和部分顶部；刻蚀露出的半浮栅结构的中间部分，直至露出凹槽之间的衬底。形成半浮栅结构的过程不会改变逻辑器件区域的形貌。
一种兼容半浮栅器件逻辑制备方法

[实用新型]隧道磁电阻效应磁性编码器-CN201020518723.8有效
发明人：王建国;薛松生 -专利权人：王建国;薛松生
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01D5/243 文献下载
摘要：另一种包括一个磁鼓，磁鼓边缘上有磁栅，一个磁性敏感元件，以及一个信号放大整形模块、一个计数模块、一个计算处理模块、一个显示模块，磁性敏感元件采用TMR半桥芯片，TMR半桥芯片位于磁鼓的边缘，并与磁栅之间间隔1-5mm的距离；信号放大整形模块、计数模块、计算处理模块位于一个PCB电路板上，PCB电路板位于磁鼓和TMR半桥芯片的外部。
隧道磁电效应磁性编码器

[发明专利]高效率高功率密度GaN全桥逆变器模块-CN201910740386.2在审
发明人：陈珍海;占林松;许媛;闫大为;鲍婕;宁仁霞;孙剑;黄伟 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体为一种高效率高功率密度GaN全桥逆变器模块，包括控制器、第一GaN半桥电路(1)、第一电感(L1)、第一电容(C1)、第二GaN半桥电路(2)、第二电感(L2)、第二电容本发明通过采用LGA封装的GaN HEMT器件实现全桥逆变器的高频化，进一步为提高功率等级采用多管并联结构，为提高可靠性采用双面布局结构对栅驱动电路、HEMT器件、电源母线和散热布局进行优化设计，从而实现逆变器模块的高频化和小型化
全桥逆变器高效率电感半桥电路电容高功率高频化电力电子技术领域并网逆变系统逆变器模块电源母线多管并联反馈电路功率集成检测电路驱动电路散热布局输出电容双面布局优化设计控制器对栅新能源应用

[发明专利]一种环形布局的模块化并联半桥集成组件-CN201911348159.1有效
发明人：赵海军;谢广峰 -专利权人：北京帕斯特电力集成技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形布局的模块化并联半桥集成组件，该组件由若干个子模组并联组成，以提升组件的电流容量，各个子模组环形布局并联连接，实现各个子模组的电流平衡。半桥集成组件包括若干个子模组、若干个散热器、驱动板、正极直流汇集母排、负极直流汇集母排、交流汇集母排。本发明由于各个绝缘栅双极型晶体管IGBT器件与电容紧密结合，换流回路寄生电感较小，导致器件电压过冲较小、开关速度较快，实现各个子模组电流均衡。
一种环形布局模块化并联集成组件

[发明专利]一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路-CN202110562680.6有效
发明人：王卓;刘媛媛;张永瑜;叶自凯;明鑫;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。
一种适用于 gan 半桥栅驱动系统死区时间控制电路

[发明专利]一种高速直流步进电机驱动模块-CN201910740163.6在审
发明人：郭晶 -专利权人：中科光谱(北京)科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H02P8/18 文献下载
摘要：本发明属于电气控制技术领域，具体为一种高速直流步进电机驱动模块，包括控制器、第一GaN半桥电路(1)、第一电感(L1)、第一电容(C1)、第二GaN半桥电路(2)、第二电感(L2)、第二电容(C2)、输出电容本发明通过采用LGA封装的GaN HEMT器件实现全桥逆变器的高频化，为提高可靠性采用双面布局结构对栅驱动电路、HEMT器件、电源母线和散热布局进行优化设计，保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现功率模块的高频化和小型化
电感直流步进电机半桥电路驱动模块电容高频化直流电机控制系统电气控制技术全桥逆变器安全区域电源母线反馈电路功率集成功率模块检测电路驱动电路散热布局输出电容双面布局优化设计控制器高效率对栅应用保证

[发明专利]一种SOI基p-GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法-CN202010574731.2有效
发明人：郑理;游晋豪;程新红;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI基p‑GaN增强型GaN功率开关器件的制备方法，包括：栅介质生长；栅金属生长；刻蚀以制作栅电极；生长第一层钝化层；源漏区欧姆接触；离子注入；生长第二层钝化层；打开源漏窗口；第一深槽刻蚀该方法中p‑GaN带来的器件可控性、稳定性优势和SOI带来的器件单片隔离优势有助于实现GaN单片集成半桥电路，大大减少了寄生电感和die的面积，推动了功率开关器件的集成化和小型化。
一种 soi gan 增强功率开关器件制备方法

[发明专利]一种新型驱动拓扑及其驱动方法与串扰抑制方法-CN202110196868.3在审
发明人：郭希铮;游小杰;李艳;郝瑞祥;王琛琛;王剑;周明磊;部旭聪;余宝伟 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型驱动拓扑及其驱动方法与串扰抑制方法，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络本发明根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
一种新型驱动拓扑及其方法抑制

[实用新型]一种推挽控制方波信号输出电路-CN201921285398.2有效
发明人：马建如 -专利权人：常州信息职业技术学院
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H03K3/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种推挽控制方波信号输出电路，包括依次连接的滤波电路、双升降压推挽控制PFC电路、半桥逆变电路和负载RL，通过推挽控制二个开关管的导通与截止，且使二个开关管均工作在零电压切换状态，电路工作于断续电流工作方式，最终在负载上输出的电流Iout为一方波信号，输出电压Vout也为一方波信号，通过取样电路得到输出电压的变化信号，将此信号作为开关管Q1、Q2栅源之间电压的控制信号，通过调整开关管Q1、Q2栅源之间电压的控制信号的变化来稳定输出方波信号的幅度，本实用新型只需两个开关器件通过推挽控制即可实现PFC提升及半桥逆变，电路简单，减少了开关器件数量，降低了电路成本，减小了电路体积，提高了工作效率。
一种控制方波信号输出电路

[实用新型]一种新型驱动拓扑-CN202120389209.7有效
发明人：郭希铮;游小杰;李艳;郝瑞祥;王琛琛;王剑;周明磊;部旭聪;余宝伟 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型驱动拓扑，适用于半桥电路的碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管，包括原边逻辑处理单元、两个隔离单元、两个副边逻辑处理单元、两个多电平驱动电路、两个驱动电阻网络、两个关断漏极电流检测反馈电路本实用新型根据检测电路反馈信息确定下一次多电平脉冲信号，可以检测反馈自适应以优化关断特性，通过副边逻辑控制单元做减法运算有效消除检测电路固有检测电路硬件延迟的影响，从而抑制半桥电路开关管的关断瞬态振荡与电压过冲在主动管动作时，通过调整被动管的栅源极电平来抑制串扰的影响，从而防止寄生开通与栅源极负压过冲，从而提高器件的使用可靠性和寿命。
一种新型驱动拓扑

[实用新型]一种具有半桥变换初级保护功能的充电器-CN202020057878.X有效
发明人：王华春 -专利权人：东莞市亿源创力科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本实用新型属于供电电路技术领域，尤其涉及一种具有半桥变换初级保护功能的充电器，包括市电转换电路和半桥变换器，所述半桥变换器包括半桥功率电路、半桥主控电路和半桥保护电路，所述半桥功率电路与所述市电转换电路连接，所述半桥主控电路与所述半桥功率电路连接，所述半桥保护电路的两端分别连接所述半桥主控电路和所述半桥功率电路。本实用新型通过使所述半桥保护电路分别连接所述半桥主控电路和所述半桥功率电路，从而使所述半桥保护电路检测所述半桥功率电路的电压信息并发送至所述半桥主控电路，进而使所述半桥主控电路根据所述电压信息降低输出至所述半桥功率电路的电压，以保护所述半桥功率电路的各元器件，防止半桥变换器损坏。
一种具有变换初级保护功能充电器

[发明专利]一种蓄电池充放电控制系统及方法-CN201410466134.2有效
发明人：赵成飞;曹学礼;杨朋朋;刘燕迪 -专利权人：奇瑞新能源汽车技术有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02M7/797 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓄电池充放电控制系统及方法，该包括整流器和负载，负载两端并联有电容C，整流器串联电感L和电阻Rs，所述整流器与负载之间加入AC‑DC变换器，AC‑DC变换器为半桥由绝缘栅双极型晶体管V与二极管VD并联组成的全桥电路，全桥电路每两相电路包括由绝缘栅双极型晶体管V、二极管VD、二极管VD和电感Ls形成的两个升压斩波电路。该系统的直流侧电压通过绝缘栅双极型晶体管V占空比控制。
一种蓄电池放电控制系统方法

[发明专利]带关闭功能的镇流器IC-CN97120488.8有效
发明人： T·M·豪克 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 1997-10-21 - 公布日： 1998-05-06 - 主分类号： H05B41/29 文献下载
摘要：MOS栅驱动(MGD)集成电路驱动一对MOS栅控功率半导体器件,例如用在半桥电路中用于驱动谐振电源电路中的负载或驱动镇流器电路中的气体放电灯。栅驱动电路包括当灯故障或被取走时通过禁止两个驱动器输出来保护驱动电路中的元件不被损坏的保护电路。当灯被重新放回时,栅驱动电路不经过灯的电源开关而重新启动灯驱动器电路。
关闭功能镇流器 ic

[发明专利]一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法-CN201811539674.3在审
发明人：张卫;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法。本发明中，低隧穿漏电半浮栅晶体管的控制栅及其栅介质层采用高K/金属栅结构，能够进一步减小半浮栅器件栅极的漏电流，提高晶体管的开关速度，并降低功耗。该低隧穿漏电半浮栅晶体管有望在未来集成电路半浮栅器件的制造中得到应用，并且可以有效降低半浮栅器件的漏极电压，从而提高半浮栅器件的速度、降低功耗。此外，本发明的半浮栅晶体管制备方法工艺步骤更加简化，能够进一步降低生产成本。
浮栅晶体管漏电浮栅器件隧穿降低功耗制备集成电路器件制造制备方法工艺金属栅结构漏极电压栅介质层控制栅漏电流晶体管减小集成电路应用制造

[发明专利]半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列-CN201410128888.7有效
发明人：刘伟;刘磊;王鹏飞 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于动态随机存储器技术领域，具体涉及一种半浮栅存储器单元及半浮栅存储器阵列。本发明的半浮栅存储器单元包括：一个源区、一个漏区、一个U形沟道区、一个设有缺口的浮栅、在所述缺口内设有控制栅、在所述浮栅与漏区之间设有隧穿晶体管。本发明还揭示了由多个本发明的半浮栅存储器单元组成半浮栅存储器阵列。在半浮栅存储器阵列中，对选中的其中一个半浮栅存储器单元写入数据时，施加在字线和位线上的电压对其它半浮栅存储器单元的存储状态影响较小，提高了半导体存储器芯片的存储性能。
半浮栅存储器单元阵列