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- [发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路-CN202110292262.X有效
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张少昆;范涛;温旭辉
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中国科学院电工研究所
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2021-03-18
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2022-06-21
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H02M1/08
- 本发明公开了一种SiC MOSFET的驱动电路,驱动电路包括:控制模块、上桥臂电路及下桥臂电路,控制模块发出上桥臂SiC MOSFET及下桥臂SiC MOSFET的控制信号;上桥臂电路及下桥臂电路均包括:推挽电路,用于根据控制信号生成正向驱动电压或负向驱动电压;串扰抑制电路,用于基于正向驱动电压,将SiC MOSFET的栅‑源电压从零电压上升至正向驱动电压,驱动SiC MOSFET导通;或基于负向驱动电压,在正向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压下降至负向驱动电压,驱动SiC MOSFET关断,从而避免了正向串扰电压尖峰误导通SiC MOSFET,并在正向串扰发生之后、负向串扰发生之前,将SiC MOSFET的栅‑源电压从负向驱动电压钳位至零电压,从而避免了负向串扰电压尖峰击穿SiC MOSFET。
- 一种sicmosfet驱动电路
- [发明专利]一种抑制桥臂串扰的逆变器及方法-CN202010679306.X在审
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刘云
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威马智慧出行科技(上海)有限公司
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2020-07-15
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2022-02-08
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H02M7/5387
- 本发明涉及一种抑制桥臂串扰的逆变器及方法,以及一种计算机可读存储介质。该逆变器包括:桥式逆变电路,包括上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET,每相桥臂的上桥臂MOSFET和下桥臂MOSFET择一导通;钳位开关管,设于各桥臂MOSFET的栅极和源极之间,适于导通以消除对应桥臂MOSFET的栅源电压;以及处理器,通信连接各桥臂MOSFET及各钳位开关管,并配置为:监测各桥臂MOSFET的开关状态;以及响应于任一桥臂MOSFET的导通,开通该相桥臂的另一桥臂MOSFET对应的钳位开关管以保持另一桥臂本发明能够消除MOSFET的栅极密勒效应,以克服由桥臂串扰引发的桥臂误动作的问题。
- 一种抑制桥臂串扰逆变器方法
- [发明专利]防串扰SiC MOSFET驱动电路-CN202210910736.7在审
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陈广辉;赵文卓;刘敏通
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珠海格力电器股份有限公司
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2022-07-29
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2022-11-08
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H02M1/088
- 一种防串扰SiC MOSFET驱动电路,包括:相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路,上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路;上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET,并且上桥臂防串扰电路中包括:连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路;下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET,下桥臂防串扰电路中包括:连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。本发明的方案有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰,在保证串扰被抑制的前提下,能够有效保护功率器件的安全性。
- 防串扰sicmosfet驱动电路
- [发明专利]一种整流桥复用防输出串扰电路-CN202210997839.1在审
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郭建平;陈宇棠;罗宇萱
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中山大学
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2022-08-19
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2022-12-13
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H02M1/44
- 本发明申请公开了一种整流桥复用防输出串扰电路,在整流桥复用电路的基础上设置防输出串扰电路,通过自适应体偏置模块在第二输出支路的晶体管的体二极管导通时抑制第一PMOS管的体二极管导通,从而解决了第二输出支路的晶体管的体二极管导通时第一PMOS管的体二极管导通漏电引起的输出串扰问题,使得输出电压稳压;通过充放电模块在交流电流源的第二端输出低电平时存储电压,在交流电流源的第二端输出高电平时通过放电使第一驱动的输入电压高于交流电流源的第二端输出的电压,使得第二输出支路的晶体管的体二极管导通时第一PMOS管不出现误开启现象,从而解决了第一PMOS管误开启的漏电问题引起的输出串扰,进一步使得输出电压稳压。
- 一种整流桥复用防输出电路
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