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[发明专利]半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置-CN200910161384.4无效
发明人：尼子博久;梅津畅彦 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。
半导体薄膜形成方法检查装置

[发明专利]一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法-CN202210088228.5有效
发明人：刘海生;刘兴强;段鑫沛;林均;于致铭;罗鹏飞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
一种突变 nn 型结型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置-CN201010106376.2无效
发明人：梅津畅彦;稻垣敬夫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体薄膜的方法和半导体薄膜检测装置，该方法包括步骤：在基板上形成非晶态半导体薄膜；通过将激光照射至非晶态半导体薄膜，在非晶态薄膜上选择性地进行热处理，并且使对应于照射区的非晶态半导体结晶，从而为每个元件区域局部地形成晶态半导体薄膜；以及检测晶态半导体薄膜的结晶度。该检测步骤包括步骤：通过将光照射至晶态半导体薄膜和非晶态半导体薄膜，获得基于结晶区和未结晶区之间的光相位差的光学阶差，以及晶态半导体薄膜的选分和晶态半导体薄膜的结晶度的控制二者或其中之一进行评价。
形成半导体薄膜方法检测装置

[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法-CN201580038837.8有效
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
有机半导体薄膜形成方法以及使用有机半导体器件及其制造

[发明专利]一种半导体-金属-半导体叠层结构及其制备方法-CN201310188487.6在审
发明人：吴东平;张世理;许鹏;周祥标 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。
一种半导体金属结构及其制备方法

[发明专利]光学半导体器件-CN201010135255.0有效
发明人：尾内敏彦;井辻健明;笠井信太郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学半导体器件，其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10)，其中，当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时，所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面，其间夹着所述半导体薄膜。
光学半导体器件

[发明专利]光学半导体器件-CN200580025643.0无效
发明人：尾内敏彦;井辻健明;笠井信太郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学半导体器件，其包括具有光电导性的半导体薄膜(4)和用于在大致垂直于所述半导体薄膜(4)的表面的方向向所述半导体薄膜(4)内部施加电场的电极对(5)和(10)，其中，当光作用于所述半导体薄膜(4)的被施加了电场的区域时，所述半导体薄膜(4)产生电磁波。所述电极被设置在所述半导体薄膜(4)的前表面和背面，其间夹着所述半导体薄膜。
光学半导体器件

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN201010143609.6有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN201110405285.3有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B41J2/45 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置-CN200310118175.4有效
发明人：荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 -专利权人：冲数据株式会社
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括接合到衬底的两个半导体薄膜，和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常，该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比，本发明装置更小并且降低了材料成本。
具有半导体薄膜组合装置

[发明专利]一种半导体薄膜的测量系统-CN201210129807.6有效
发明人：郝金刚 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体薄膜的测量系统，用于较准确的测量出半导体薄膜的特性参数。使用本发明实施例提供的半导体薄膜的测量系统，通过在半导体薄膜的上方和下方分别构成电容板，由上下电容板之间的电容等可以确定出半导体薄膜的电容，进而根据其他可测量参数确定出相对介电常数等。而且，可以在半导体薄膜的不同区域分别设置上电容板，通过确定出的若干个半导体薄膜的电容，可以判断出半导体薄膜的均匀性是否良好。
一种半导体薄膜测量系统

[发明专利]形成半导体薄膜的方法及半导体薄膜检查装置-CN200910143362.5无效
发明人：梅津畅彦;月原浩一;尼子博久;松延刚;白井克弥 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。
形成半导体薄膜方法检查装置

[发明专利]半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法-CN202210156426.0在审
发明人：林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄膜接触且第一半导体薄膜的末端分别与第一记忆体薄膜的末端对准。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第二导体结构、沿垂直方向延伸的第三导体结构以及沿垂直方向延伸的第四导体结构。第二导体结构及第四导体结构耦合第一半导体薄膜的末端，且第三导体结构耦合第一半导体薄膜的一部分，其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。
半导体装置记忆体制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置及它们的制造方法-CN200710087841.0无效
发明人：宇都宫纯夫;石黑英人 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
半导体元件装置它们制造方法

[发明专利]一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法-CN202010485681.0在审
发明人：黄辉;渠波;尚瑞晨;赵丹娜;王梦圆;李志瑞;蔡伟成 -专利权人：黄辉;渠波;尚瑞晨
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜；所述半导体薄膜表面设置有电极；所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源，所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜，可以提高灵敏度，从而避免了高温加热，功耗更低、更为稳定，其可以检测氧气和甲烷，而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差
一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法

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