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[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201310743202.0有效
发明人：黄河;李海艇;金兴成;汪新学;赵洪波;陈福成;向阳辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，可以通过深绝缘沟槽以及介电盖帽层对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能本发明的半导体器件，具有深绝缘沟槽以及介电盖帽层，可以对位于埋入式绝缘层下方的第一半导体衬底与位于埋入式绝缘层上方的第二半导体衬底上的晶体管以及互连线进行有效隔离，最大程度地降低基板耦合作用，提高半导体器件的性能
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201811504759.8有效
发明人：中柴康隆;绵贯真一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。在具有在第一半导体层上方堆叠第二半导体层且插入有电介质层的配置的SIS型光波导部分中，第一半导体层在没有堆叠第二半导体层的第一引出部分处电耦合到第一电极。此外，第二半导体层在不与第一半导体层重叠的第二引出部分处电耦合到第二电极。结果，当通过干法刻蚀形成用于形成第二电极的接触孔时，第一半导体层和第二半导体层之间的电介质层不会被损坏或破坏，并且因此可以防止第一半导体层和第二半导体层之间的短路故障。
半导体器件

[发明专利]自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件-CN02146846.X无效
发明人：陈振宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2002-10-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明一种自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件，该器件包括：一蝶形管壳；一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面；一带有半导体激光器、光纤和背光探测器及微波微带电路的硅热沉固定在半导体致冷器上；管壳引脚固定在蝶形管壳两侧该器件能够达到快速简便的进行半导体激光器与光纤的耦合工作，耦合速度快，生产效率高，生产成本低，并且温度稳定性也较好。
自适应耦合半导体激光器蝶形封装器件

[实用新型]半导体激光器、半导体激光模块以及激光设备-CN201921835531.7有效
发明人：勾志勇;肖岩;周德来 -专利权人：深圳市柠檬光子科技有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体激光器、半导体激光模块以及激光设备，其中，半导体激光器是一种水平腔面发射激光器HCSEL；所述HCSEL发光一个方向准直光束、一个方向非准直光束，或者，HCSEL出光是两个方向都是准直光束；所述HCSEL包括光栅，通过光栅实现激光锁模且耦合输出激光，耦合垂直输出光线。由所述半导体激光器作为激光芯片构成半导体激光模块可直接输出均匀化线光束，无需耦合到光纤，工艺工序简单，成本低廉，生产效率高，效果良好，具有非常高的性价比。
半导体激光器半导体激光模块以及激光设备

[实用新型]半导体激光耦合线-CN97217868.6无效
发明人：岑志勇;岑烈芳 -专利权人：岑志勇;岑烈芳
申请日： 1997-05-18 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种弱激光血管内照射和激光外照射的半导体激光耦合线。它包括半导体激光器、平凸玻璃透镜、光纤针插孔、光纤针耦合线金属接头、屏蔽电线与电源接插体,半导体激光器埋藏在光纤针耦合线金属接头内,半导体激光器前面叠加两块平凸玻璃透镜,平凸玻璃透镜前面为光纤针插孔;半导体激光器的电极脚焊接屏蔽电线
半导体激光耦合

[发明专利]一种半导体激光器阵列的光纤耦合器及制作方法-CN200510025829.8无效
发明人：吴亚明;郝寅雷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用离子交换工艺在玻璃基片上制作的半导体激光器阵列的光纤耦合器件，特征在于横截面上沿平行于玻璃基片平面的方向形成周期性的若干个高折射率区域；以一个高折射率区域为中心的一个周期构成一个耦合单元，在每个耦合单元内部折射率分布具有相同的分布特征：耦合单元内沿垂直于玻璃基片方向的折射率差值较大，而沿平行于玻璃基片方向的折射率差值较小。耦合器与半导体激光器耦合时，每一个半导体激光器阵列的发光中心与一个耦合器横截面上的高折射率区域中心对准。这种耦合器用于光学系统中可以同时实现半导体激光的快、慢轴准直，因此与半导体激光器有较高的耦合效率。本耦合器件可以降低制作成本和装调难度，提高系统性能。
一种半导体激光器阵列光纤耦合器制作方法

[发明专利]用于耦合器线性度改进和重新配置的可调节活性硅-CN201780026946.7有效
发明人： N.斯里拉特塔纳;D.S.怀特菲尔德 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：电磁耦合器组件包括手柄晶片，该手柄晶片具有设置在其第一表面上的氧化物层。有源半导体层设置在氧化物层上并包含用于接收电源电压的电压端子。电介质材料层设置在有源半导体层上。主传输线设置在电介质材料层上。耦合传输线设置在有源半导体层上，并且是电感性地耦合到主传输线和电容性地耦合到主传输线中的一个。主传输线和耦合传输线之一的至少一部分直接设置在有源半导体层的至少一部分上方。
用于耦合器线性改进重新配置调节活性

[发明专利]半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法-CN202210156426.0在审
发明人：林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄膜接触且第一半导体薄膜的末端分别与第一记忆体薄膜的末端对准。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第二导体结构、沿垂直方向延伸的第三导体结构以及沿垂直方向延伸的第四导体结构。第二导体结构及第四导体结构耦合第一半导体薄膜的末端，且第三导体结构耦合第一半导体薄膜的一部分，其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。
半导体装置记忆体制造方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003353.5在审
发明人：朱宏斌;刘威;王言虹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及在第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。垂直晶体管包括在第一方向上延伸的半导体主体，以及与半导体主体的所有侧面接触的栅极结构。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]光耦合器件及其形成方法-CN201410077106.1有效
发明人：陈福成;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：一种光耦合器件及其形成方法，所述光耦合器件包括第一半导体衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于第一半导体衬底内且贯穿第一半导体衬底的第一表面的第一凹槽，第一凹槽的侧壁具有第一倾斜角；位于第一凹槽的侧壁和底部表面上的第一反射层；第二半导体衬底，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；位于第二半导体衬底内且贯穿第二半导体衬底的第三表面的第二凹槽，第二凹槽的侧壁具有第二倾斜角，所述第一倾斜角与第二倾斜角互余；位于第二凹槽侧壁和底部表面上的第二反射层；第一半导体衬底的第一表面和第二半导体衬底的第三表面键合在一起，使第一凹槽与第二凹槽对应。本发明的耦合器件提高了耦合效率。
耦合器件及其形成方法

[发明专利]双波长大功率半导体激光综合治疗仪-CN201010273919.X有效
发明人：胡黎明;王立军;王彪;曹军胜;高志坚 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： A61B18/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种双波长大功率半导体激光综合治疗仪，该治疗仪的半导体激光器模块主要包括第一、第二半导体激光准直单元，波长选择器，聚焦透镜系统以及耦合输出光纤；第一半导体激光准直单元输出的长波长激光和第二半导体激光准直单元输出的近红外激光同时入射到波长选择器上，由波长选择器进行波长耦合；耦合光束经过聚焦透镜系统会聚到耦合输出光纤的输入端，耦合输出光纤的输出端与医用光纤联结。
波长大功率半导体激光综合治疗

[发明专利]光学系统及改进光学系统的方法-CN201110218047.1无效
发明人：蔡万绍 -专利权人：奥兰若技术有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：光学系统包括：多个半导体激光发射器，所述多个半导体激光发射器中的每个半导体激光发射器可操作地耦合到用于对所述半导体激光发射器发射的光束进行准直的快轴准直光学器件和慢轴准直光学器件，以使所述多个半导体激光发射器发射的光束能够成为基本平行光束；以及耦合光学器件，用于将所述基本平行光束耦合到光纤中，其中，所述光学系统还包括一个或多个透光介质片，所述一个或多个透光介质片被布置成，在所述基本平行光束到达所述耦合光学器件之前，平移所述基本平行光束中的至少一路光束，以使到达所述耦合光学器件的所述基本平行光束的总宽度能够减小。
光学系统改进方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910717464.7在审
发明人：杨庆荣;陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供一种半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一半导体衬底、第一内连结构、第一导电垫、第一介电层及第一导电连接件。第一半导体衬底包括位于第一半导体衬底中的多个第一半导体装置。第一内连结构设置在第一半导体衬底之上且电耦合到第一半导体装置。第一导电垫设置在第一内连结构之上且电耦合到第一内连结构。第一介电层覆盖第一导电垫及第一内连结构且第一介电层包括延伸穿过第一导电垫的一部分。第一导电连接件设置在第一内连结构上且电耦合到第一内连结构且第一导电连接件延伸穿过第一介电层的所述部分。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于半导体装置的导电有机模块以及相关联的系统和方法-CN202210960752.7在审
发明人：李仲培 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及用于半导体装置的导电有机模块以及相关联的系统和方法。在一些实施例中，所述半导体装置可包含封装衬底和所述封装衬底所承载的半导体裸片堆叠。所述半导体裸片堆叠包含所述封装衬底所承载的第一裸片和所述第一裸片所承载的第二裸片。所述半导体装置还包含由所述封装衬底所承载的与所述半导体裸片堆叠相邻的互连模块。所述互连模块包含耦合到所述封装衬底的第一末端、与所述第一末端相对的第二末端、从所述第一末端延伸穿过有机材料主体到达所述第二末端的导电通孔。所述第一半导体裸片可直接电耦合到所述封装衬底，而所述第二半导体裸片通过所述互连模块的所述第二末端电耦合到所述封装衬底。
用于半导体装置导电有机模块以及相关系统方法

[发明专利]基于SOI和III-V半导体的混合集成可调谐激光器-CN202210837367.3有效
发明人：陈熙;许东 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI和III‑V半导体的混合集成可调谐激光器，包括SOI半导体结构及III‑V族半导体结构，SOI半导体结构包括交叉SOI波导区、第一SOI波长选择反射区、第二SOI波长选择反射区及端面反射区；III‑V族半导体结构包括第一波导耦合区、III‑V波导增益区、第二波导耦合区、第三波导耦合区及III‑V族转镜区。本发明将SOI半导体结构与III‑V族半导体结构相结合，可分别利用III‑V半导体实现有源增益的功能，以及硅光子基于集成电路平台先进工艺制备能力，对可调谐激光器各部分的功能区进行相对独立的控制，以提供尺寸小
基于 soi iii 半导体混合集成调谐激光器