“半导体材料领域”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10771064个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于增强在三维存储器结构中的开态电流的金属-半导体合金区域-CN201680015925.0有效
发明人： R.沙兰格帕尼;R.S.马卡拉;S.科卡;T.库博;J.阿里耀西;G.马塔米斯 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：可以通过在位于衬底内的垂直的半导体沟道和水平的半导体沟道之间形成金属半导体合金区域来减少三维存储器堆叠体结构中的半导体沟道的电阻。在形成存储器膜、在凹陷区域中选择性地沉积金属材料、沉积垂直的半导体沟道、以及使沉积的金属材料与半导体材料层和垂直的半导体沟道的相邻部分进行反应后，可以通过使在存储器开口下方的半导体衬底中的半导体材料层的部分凹陷来形成金属半导体合金区域牺牲介电材料层可以在金属材料的选择性沉积之前在存储器膜上形成。垂直的半导体沟道可以在单个沉积工艺中形成，从而消除了在其中的任何界面并且使垂直的半导体沟道的电阻最小化。
用于增强三维存储器结构中的电流金属半导体合金区域

[发明专利]一种无机-并五苯类物质复合半导体材料及其制备方法-CN200810239802.2无效
发明人：张敬畅;黄忠;杨秀英;曹维良 -专利权人：北京化工大学;海南科技职业学院
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种无机-并五苯类物质复合半导体材料及其制备方法属于导电材料领域。纯净的并五苯及其衍生物应用于电子器件中在较低电位时电流强度小、起始还原电位低。本发明所制备的无机-并五苯类物质复合半导体材料由摩尔配比为10∶1-1∶10的并五苯类物质和无机材料组成。本发明通过将并五苯类物质溶于有机溶剂中，加入无机材料，无机材料与并五苯类物质的摩尔比为10∶1-1∶10，密封，并分散0.5-10h后，去除有机溶剂，得到无机-并五苯类物质复合半导体材料。本发明所提供的复合半导体材料兼顾了n型半导体和p型半导体各自的优点，制备工艺简单，成本低。
一种无机五苯类物质复合半导体材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件-CN201811260823.2有效
发明人：王启光;靳磊;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层。其中，所述制备方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件内形成有沟道通孔，在所述沟道通孔内形成功能层；在所述功能层上沉积沟道层，所述沟道层为第一半导体材料层；在所述沟道层上沉积掺杂层，所述掺杂层为具有杂质掺杂的第二半导体材料层；执行热氧化工艺，以使所述第二半导体材料层的远离所述功能层的一侧形成为第二半导体材料氧化物层；其中，所述杂质选自在第一半导体材料层中固溶度高于在第二半导体材料氧化物层中固溶度的材料。
半导体器件沟道制备方法

[发明专利]用于半导体研磨和封装的膜材料-CN201910963195.2在审
发明人：张程 -专利权人：上海固柯胶带科技有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及用于半导体研磨和封装的膜材料。用于半导体研磨和封装的膜材料，由上至下依次包括基材膜和胶层；所述基材膜包括依次贴接共挤的第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层。所述膜材料具有极佳的耐热性、耐老化性、抗静电性、扩张性、耐湿热稳定性和良好的散热能力，同时该膜材料制备原料环保安全，制备工艺简单，可以满足半导体封装工艺和运输中对半导体保护的需求。
膜材料研磨电晕层基材膜封装半导体半导体封装工艺半导体技术领域耐热性半导体保护膜材料制备环保安全抗静电层抗静电性抗氧化层耐老化性散热能力制备工艺光亮层扩张性耐湿热哑光层共挤胶层贴接芯层运输

[发明专利]有机半导体材料、其制备方法和应用-CN201110327381.0有效
发明人：周明杰;王平;梁禄生;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明适用于有机材料技术领域，提供了一种有机半导体材料、其制备方法和应用。该有机半导体材料具有如下结构式。本发明有机半导体材料，通过四芳基硅基团和二苯并噻吩砜基团，具有良好的载流子传递效率和刚性，进而具有优异的发光效率和热稳定性能；本发明有机半导体材料制备方法，作简单、成本低廉，生产效益高，非常适于工业化生产
有机半导体材料制备方法应用

[发明专利]有机半导体材料、其制备方法和应用-CN201110208977.9有效
发明人：周明杰;王平;张振华;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C07C211/54 文献下载
摘要：本发明适用于光电材料技术领域，提供了一种有机半导体材料、其制备方法和应用。该有机半导体材料具有如下结构式。本发明有机半导体材料，通过上述结构式，以苯基取代二聚芴作为刚性核，使得其具有优异的热稳定性和形貌稳定性；本发明有机半导体材料制备方法，成本低廉，反应条件简单温和，易于操作，产量高，非常适于工业化生产。
有机半导体材料制备方法应用

[发明专利]基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件-CN201810448016.7有效
发明人： E·J·史密斯 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件。公开了一种以非常薄的半导体基底材料和沉积在其上的非晶半导体材料为基础来形成晶体半导体材料的方法。可以可靠地保留半导体基底材料的固态和晶体底部，从而实现覆盖材料部分的结晶化，特别是先前沉积的非晶半导体材料的结晶化。完全耗尽的SOI晶体管元件的非常薄的沟道区域可以用作半导体基底材料，在该基底材料上在稍后的制造阶段中可以形成升高的漏极和源极区域，从而基本上避免任何工艺不规则性，其通常与在非常薄的半导体基底材料上的半导体材料的外延生长相关
基于沉积半导体材料基础形成晶体技术相关半导体器件

[发明专利]半导体材料切割方法-CN202210808290.7在审
发明人：林栽瑛 -专利权人：韩美半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在执行切割过程之前通过使用清洗喷嘴较快速地执行冷却半导体材料的过程的半导体材料切割方法。因此，在冷却半导体材料的过程中形成类似于切割半导体材料的过程期间的切割水喷洒环境的环境，使得可预收缩半导体材料。另外，在方法中，由于在半导体材料处于冷却和接触状态时对准半导体材料的计划分割线的位置，因此在半导体材料的计划分割线与实际分割线的位置之间不存在未对准的情况下提高切割质量。
半导体材料切割方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201710250808.9在审
发明人： S·巴尔曾 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种用于形成半导体器件的方法包括形成绝缘沟槽结构，所述绝缘沟槽结构包括从半导体衬底的表面延伸到半导体衬底中的绝缘材料。绝缘沟槽结构横向围绕半导体衬底的部分。该方法还包括修改半导体衬底的横向围绕部分以形成包括合金材料的垂直导电结构。合金材料是半导体衬底材料和至少一种金属的合金。
半导体器件用于形成方法

[发明专利]量子点-半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件-CN202111506283.3在审
发明人：张迪;高阳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种量子点‑半导体复合膜层及其制备方法、量子点发光器件，属于量子点技术领域。该量子点‑半导体复合膜层包括多个量子点、以及由半导体阳离子和半导体阴离子形成的半导体填充材料；所述半导体阳离子或所述半导体阴离子与所述量子点的表面的阴离子或阳离子形成离子键，形成的所述半导体填充材料填充于相邻所述量子点之间的间隙内本公开有助于提高量子点‑半导体复合膜层的致密性，改善膜层表面的不平整性，进而提升该膜层与下层功能层之间的界面接触质量，提升载流子的传输能力。
量子半导体复合及其制备方法发光器件

[发明专利]一种高温半导体材料磷化硼（BP）的高压高温法制备-CN202010294569.9在审
发明人：彭放;梁文嘉 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温半导体材料磷化硼材料的制备方法。主要涉及一种具有高温半导体材料磷化硼材料，属于半导体领域。将单质磷，晶体硼和镍金属按照一定的比例进行混合，经过研磨混合包裹封装预压后，在5.0Pa、1000‑3200℃的条件下合成出磷化硼材料。本发明首次利用高温高压合成法制备出了具有高温半导体材料磷化硼（BP）材料，其具有晶粒尺寸大、结晶度高、致密度高、结构稳定的特点。因其制备工艺简单、合成效率高、且具有很大的应用潜力，可作为高温半导体器件、发光二极管、激光二极管等材料。
一种高温半导体材料磷化 bp 高压法制

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201710326432.5有效
发明人：宫奎;段献学;陈程 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在一次构图工艺下形成多晶硅材料的有源层和由金属材料构成的存储电容的一个电极。该制备方法包括在基板上形成半导体材料薄膜的步骤；形成覆盖所述半导体材料薄膜的金属薄膜；对所述金属薄膜和所述半导体材料薄膜进行一次构图工艺处理，以形成有源层、与所述有源层同层设置的半导体材料保留图案和在所述半导体材料保留图案远离所述基板一侧上的由所述金属薄膜的材料构成的存储电容下电极
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]纳米半导体粒子增强蚕丝纤维基复合材料的制备方法-CN200710036801.3无效
发明人：苏慧兰;韩婕;张荻 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： D06M11/13 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米半导体粒子增强蚕丝纤维基复合材料的制备方法，属于先进复合材料技术领域。选用来源广泛，生物相容性好的天然蚕丝纤维作为基体材料，先后将其在一定浓度的金属盐溶液和硫源溶液中进行浸渍处理，通过对浸渍液浓度，反应时间的调节来控制半导体纳米颗粒的形貌，大小及在基体上的分布情况，得到纳米半导体粒子增强蚕丝纤维基复合材料本发明所得复合材料在光化学催化、光致发光、生物检测和标记等领域具有重大的应用价值。由于天然蚕丝纤维与纳米半导体增强材料的有机结合，使得这种复合材料应用方便且容易回收再利用，从而避免了纳米半导体粒子可能对环境产生的二次污染，也节约了材料的使用成本。
纳米半导体粒子增强蚕丝纤维复合材料制备方法

[发明专利]具有柔性衬底的半导体组件-CN201480075844.0有效
发明人： N·慕克吉;B·S·多伊尔;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;H·W·田;V·R·拉奥;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本文中公开了半导体组件和相关集成电路器件和技术的实施例。在一些实施例中，半导体组件可以包括：柔性衬底；多晶半导体材料；以及设置在柔性衬底与多晶半导体材料之间并与柔性衬底和多晶半导体材料相邻的多晶电介质。多晶半导体材料可以包括多晶III‑V材料、多晶II‑VI材料或多晶锗。可以公开和/或主张其它实施例。
具有柔性衬底半导体组件

[发明专利]一种功率半导体晶圆及制备方法-CN202210777381.9在审
发明人：张玉明;刘文辉;宋庆文;袁昊;汤晓燕;李家贵;许允亮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体晶圆及制备方法，该功率半导体晶圆包括：若干功率半导体芯片区、若干划片道区和边缘区，若干所述划片道区和所述边缘区形成机械支撑区，若干所述功率半导体芯片区位于所述机械支撑区之间，所述边缘区位于若干所述功率半导体芯片区和若干所述划片道区的外周；所述边缘区的半导体材料厚度与所述划片道区的半导体材料厚度相等，所述功率半导体芯片区的半导体材料厚度小于所述机械支撑区的半导体材料厚度，使得所述机械支撑区形成网格状结构。该功率半导体晶圆可有效降低碎片率，从力学结构上比圆环结构更为坚固，与使用的具体半导体材料无关，通用性和适应性强，可以兼具低导通电阻、低热阻的功率半导体芯片。
一种功率半导体制备方法