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[发明专利]半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置-CN201080008949.6无效
发明人：出岛裕久;川田政和;米山正洋;高桥丰诚;白石史广;佐藤敏宽 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片接合体，其特征在于，包含：半导体晶片；设置在所述半导体晶片的功能面侧的透明基板；设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间所设置的隔片；以及沿着所述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合所述半导体晶片与所述透明基板的接合部
半导体晶片接合制造方法装置

[发明专利]半导体晶片及制造半导体晶片的工艺-CN200610105981.1有效
发明人：鲁道夫·鲁普;维尔纳·艾格纳;弗里德里希·帕塞克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有边缘区域但是没有大于或者等于0.3μm的缺陷的半导体晶片。此外，本发明涉及制造半导体晶片的工艺，其包括下列工序：(a)提供具有倒圆和蚀刻边缘的半导体晶片；(b)抛光半导体晶片的边缘，在该步骤中，使半导体晶片和至少一个抛光鼓在连续提供抛光研磨剂的情况下相对彼此移动并在特定接触压力下相互挤压，其中，该半导体晶片被固定在绕中心旋转的夹盘上并且凸出夹盘之外，而抛光鼓相对于夹盘倾斜特定角度，且绕中心旋转并且覆盖有抛光布；(c)清洗半导体晶片；(d)使用检查单元检查半导体晶片的边缘区域；(e)进一步对该半导体晶片进行处理
半导体晶片制造工艺

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201280012270.3有效
发明人：大场隆之 -专利权人：国立大学法人东京大学
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种在主面侧形成了具有半导体集成电路的多个半导体晶片的半导体基板上对被切割了的半导体晶片进行积层，在不同层的半导体晶片之间以可传递信号的方式进行连接，之后，对被积层了的所述半导体晶片部分进行切割的半导体装置的制造方法，其具有：第1步骤，在所述半导体基板的所述主面上形成绝缘层；第2步骤，将主面侧具有半导体集成电路的被切割了半导体晶片，以使与所述主面相反侧的面面对所述绝缘层并介由所述绝缘层的方式，在所述半导体基板上所形成的半导体晶片上进行积层；及第3步骤，形成可使不同层的半导体晶片之间进行信号传递的连接部。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的系统-CN202111079217.2在审
发明人：李海硕;吴凛;权宁天;吉泛涌;柳济民;崔志显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置和包括其的系统。半导体存储器装置包括接口半导体晶片、至少一个存储器半导体晶片和连接接口半导体晶片与存储器半导体晶片的硅穿通件。接口半导体晶片包括命令引脚以接收从存储器控制器传递的命令信号和对命令信号解码的接口命令解码器。存储器半导体晶片包括被配置为存储数据的存储器集成电路和对从接口半导体晶片传递的命令信号解码的存储器命令解码器。接口半导体晶片不包括从存储器控制器接收时钟使能信号的时钟使能引脚。接口命令解码器和存储器命令解码器生成接口时钟使能信号和存储器时钟使能信号，以基于通过多个命令引脚从存储器控制器传递的电力模式命令控制接口半导体晶片和存储器半导体晶片的时钟供应。
半导体存储器装置包括系统

[发明专利]半导体晶片的分割方法-CN200410078793.5无效
发明人：卡尔·H.·普利韦瑟 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的半导体晶片分割方法是在表面由划道划分多个半导体芯片形成的半导体晶片分割为各个半导体芯片的半导体晶片分割方法，通过至少包括：仅留下上述半导体晶片外周区，沿着划道形成深度相当于完成半导体芯片厚度的槽的槽形成工序；在该槽形成后的半导体晶片表面上配设保护构件的保护构件配設工序；研磨上述半导体晶片的背面，露出上述槽，把上述半导体晶片分割为各个半导体芯片的分割工序，沿着划道形成后的切削槽不是到外周端缘，所以在此后一边供给研磨水一边研磨半导体晶片背面分割的工序中，没有从外周端缘来的脏研磨水向切削槽渗透并污染半导体芯片的担心，而且，不会丧失ID标记信息的认识性和表示晶向的切口的识别性，能很有效地分割。
半导体晶片分割方法

[发明专利]半导体封装与其制造方法-CN201611032920.7在审
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装与其制造方法，半导体封装包含半导体晶片、中介层、第一重分布层与模料。半导体晶片具有相对的第一表面与第二表面以及至少一个侧壁。侧壁连接第一表面与第二表面。中介层置于半导体晶片的第一表面上。第一重分布层置于半导体晶片的第二表面上，且电性连接半导体晶片。模料置于中介层与第一重分布层之间，且连接半导体晶片的侧壁。因半导体封装包含中介层，因此可防止或抑制半导体封装在工艺中，因半导体晶片与模料之间的热膨胀系数错配而产生的翘曲问题。
半导体封装与其制造方法

[发明专利]一种半导体封装结构及封装方法-CN202210629209.9有效
发明人：李少飞;陈健平;周伟伟;刘钱兵;杨凯 -专利权人：广东省旭晟半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，且公开了一种半导体封装结构，包括基板、封装壳体、半导体晶片、焊接区域和导线，所述基板顶部设有所述封装壳体，所述基板底部设有半导体晶片和焊接区域，所述半导体晶片通过所述导线与所述焊接区域电连接，所述半导体晶片周侧填充有封装胶体。在半导体晶片固晶区域和半导体晶片内通过点胶的方式填充有第一封胶体，该封装胶体优选材质应力低，硬度小于D50的果冻硅胶，以点胶的方式将半导体晶片、银胶、焊线区中的焊点包裹住，有效解决银胶剥离、分层风险，半导体晶片光源衰减等问题
一种半导体封装结构方法

[发明专利]使用压缩泡沫和/或液体清洁半导体晶片的方法和装置-CN200480038787.5无效
发明人： J·M·德拉瑞尔斯;M·拉夫金;J·法伯;M·科罗利克;F·雷德克;A·奥夫恰兹 -专利权人：拉姆研究公司
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装置和方法，在该装置和方法中，通过使用泡沫来对具有包含污染物的表面的半导体基底进行清洁或化学处理。半导体晶片被支撑在硬支座上(或者一层泡沫上)，并且当半导体晶片得到支撑时将泡沫设置在半导体晶片的相反表面上。使用成形体对与半导体晶片接触的泡沫进行加压以生成拥塞泡沫。然后在拥塞泡沫与半导体晶片接触时，引入成形体与半导体晶片之间的相对运动，如与半导体晶片的上表面平行和/或垂直的振动，以使用泡沫去除不希望有的污染物和/或对半导体晶片的表面进行化学处理。
使用压缩泡沫液体清洁半导体晶片方法装置

[发明专利]包括桥式晶片的半导体封装-CN201911219865.6在审
发明人：任尚赫;成基俊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种包括桥式晶片的半导体封装。一种半导体封装包括第一半导体晶片和第二半导体晶片、第一重分布线结构和第二重分布线结构、第一桥式晶片以及垂直连接器。第一半导体晶片和第一桥式晶片设置在第一重分布线结构上。第一桥式晶片被设置成提供第一半导体晶片与第一桥式晶片之间的水平差，第一桥式晶片的高度小于第一半导体晶片的高度。第二重分布线结构具有突出部，当从平面图观察时，突出部从第一半导体晶片的侧表面横向突出，并且第二重分布线结构的底表面与第一半导体晶片的顶表面接触。第二半导体晶片设置在第二重分布线结构上。垂直连接器设置在桥式晶片和第二重分布线结构的突出部之间以支撑突出部。
包括晶片半导体封装

[发明专利]临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构-CN201510873777.3有效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡;约努茨·拉杜 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
临时半导体结构方法相关

[发明专利]临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构-CN201110201962.X无效
发明人：玛丽亚姆·萨达卡;约努茨·拉杜 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及临时半导体结构键合方法和相关的键合半导体结构。制造半导体结构的方法包括以下步骤：将原子组分注入承载裸片或晶片中以在该承载裸片或晶片内形成弱化区域，并将该承载裸片或晶片键合到半导体结构。在利用承载裸片或晶片来操作半导体结构的同时，可以该处理半导体结构。该半导体结构可以键合到另一个半导体结构，并且可以沿承载裸片或晶片中的弱化区域分割承载裸片或晶片。利用这样的方法制造半导体结构。
临时半导体结构方法相关

[实用新型]堆叠半导体-CN01204313.3无效
发明人：蔡孟儒;彭镇滨;叶乃华;吴志成 -专利权人：胜开科技股份有限公司
申请日： 2001-02-26 - 公布日： 2002-01-30 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：一种堆叠半导体。为提供一种电传递性能好、制造方便、生产成本低、生产效率高的半导体元件,提出本实用新型,它包括形成讯号输入、出端的基板、设有上、下表面的下层半导体晶片、黏著层、复数条导线及上层半导体晶片;黏著层敷设于下层半导体晶片下表面与基板之间,并溢延形成设于下层半导体周边及上表面溢胶;复数条导线两端分别电连接于位于下层半导体晶片及基板的讯号输入端;上层半导体晶片堆叠于下层半导体晶片上方。
堆叠半导体

[发明专利]用于制造半导体衬底的方法和所得结构-CN03806014.0无效
发明人：肖恩·约瑟夫·坎宁安 -专利权人：联邦科学和工业研究组织
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了用作制备半导体芯片、尤其是化合物半导体器件的基础的半导体晶片复合件。有利的是，半导体晶片复合件包括金属衬底(210)和结合到金属衬底(210)表面上的多个半导体块(220)。半导体晶片复合件有效地用作大量制备的单个大的半导体晶片，并且可用来以类似方式制备半导体器件。
用于制造半导体衬底方法所得结构

[发明专利]半导体装置、其制造方法和设计方法、以及电子装置-CN201110070318.3有效
发明人：高桥洋;助川俊一;井上启司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法和设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径
半导体装置制造方法设计以及电子

[发明专利]应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法-CN200510115627.2有效
发明人：杨育佳;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构及其制造方法。首先提供一标的晶片和一施体晶片，施体晶片包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶片黏着标的晶片的表面后，将应变半导体层自施体晶片分离，使应变硅层黏结至标的晶片。
应变半导体绝缘基底及其制造方法