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[发明专利]半导体用密封材料-CN201680073780.X有效
发明人：二田完;佐藤和也 -专利权人：太阳油墨制造株式会社
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：提供一种半导体用密封材料，其能够抑制在半导体芯片与半导体用密封材料之间形成间隙。本发明的半导体用密封材料的特征在于，其包含能够使半导体氧化的氧化剂而成。
半导体密封材料

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202280017443.4在审
发明人：松原弘明;池田大助;祖父江省吾;小川纱瑛子 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法具备：准备多个半导体元件的工序；准备支承部件的工序；以多个半导体元件的第2面朝向支承部件的方式将多个半导体元件安装于支承部件的工序；借由密封材料密封多个半导体元件的工序；从借由密封材料密封多个半导体元件的密封材料层去除支承部件的工序；在位于多个半导体元件的第2面侧的密封材料层的第2面贴合第1保护膜的工序；及将第1保护膜贴合于密封材料层之后，在位于多个半导体元件(10)的第1面侧的密封材料层的第1面形成再配线层的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体发光装置的制造方法-CN201580008403.3有效
发明人：堀田翔平;高岛正之 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其是包含基板、元件和密封材料作为构成构件的半导体发光装置的制造方法，该制造方法包括：第一工序，在基板上设置元件；第二工序，以覆盖元件的方式在基板上灌封选自加成聚合型密封材料及缩聚型密封材料中的至少一种固化前的密封材料(i)；第三工序，使所灌封的固化前的密封材料(i)固化；和第四工序，在覆盖了元件的固化后的密封材料(i)上灌封固化前的缩聚型密封材料(ii)，使所灌封的固化前的缩聚型密封材料(ii)固化，由此层叠密封材料本发明还提供利用该制造方法制造的半导体发光装置，其为层叠2层以上的密封材料而成的半导体发光装置。
半导体发光装置制造方法

[发明专利]一种制作半导体底板的方法及系统-CN201410452718.4有效
发明人：道格拉斯·迪卡尔 -专利权人：迪夫泰克激光公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明描述了制作半导体底板的方法及系统。根据实施例的一种设置，半导体粒子放置在半导体底板的支撑材料中，利用支撑材料中的穿孔或可移除的支撑构件中的穿孔，且在该支撑构件上构造该半导体底板。例如，半导体粒子设置在支撑构件上的穿孔中，以使半导体粒子的一部分从支撑构件突出。施加吸力至半导体粒子以保持半导体粒子在穿孔中，施加密封材料层在支撑构件上以覆盖所述突出部分。支撑构件随后从半导体粒子及密封材料层处移除，半导体粒子及密封材料层一起形成半导体粒子及密封材料层的组件。半导体粒子的所述一部分随后进行平坦化。
半导体粒子支撑构件半导体底板密封材料层穿孔支撑材料施加吸力可移除平坦化移除制作覆盖

[发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN201310542790.1在审
发明人：冯霞;黄河;刘煊杰;张海芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其形成方法，其中，所述半导体封装结构，包括：若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；密封所述若干半导体芯片的密封材料层，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；位于相邻半导体芯片之间的密封材料层中的通孔互连结构，通孔互连结构贯穿密封材料层的厚度；位于密封材料层的正面上且与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；位于第一再布线层上的第一凸块；位于所述密封材料层的背面上且与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层本发明的半导体封装结构占据的体积小，集成度高。
半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]功率半导体模块以及其制造方法-CN201280028969.9在审
发明人：柳川克彦;池田良成 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体模块，该功率半导体模块使用如下的密封材料：即、该密封材料适合于使用了碳化硅元件的功率半导体模块的元件附近的温度、以及外周部的温度。该功率半导体模块包括：绝缘层；铜基底基板，该铜基底基板包括分别固定于所述绝缘层的一个面与另一个面上的第1铜块及第2铜块；多个功率半导体元件，该多个功率半导体元件的一个面通过导电接合层固定于所述第1铜块上，并使用碳化硅；多个注入引脚，该多个注入引脚通过导电接合层固定于各个所述功率半导体元件的另一面上；印刷基板，该印刷基板固定于所述注入引脚，并配置成与功率半导体元件相对；第1密封材料，该第1密封材料至少配置在功率半导体元件与印刷基板之间，且未添加阻燃剂；以及第2密封材料，该第2密封材料配置成覆盖所述第1密封材料，且添加了阻燃剂。
功率半导体模块及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911081295.9在审
发明人：川守崇司;铃木直也 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供可谋求生产效率的提高的半导体装置的制造方法。半导体装置(1)的制造方法包含使密封材料(7)固化的工序，在该工序中，施予将半导体元件(3)密封的密封材料(7)，在与半导体元件(3)对置的模具上设置离型膜(F)，并利用上模具(22)和下模具(24)使密封材料(7)固化；在离型膜(F)的与密封材料(7)接触的一侧，预先设置用于将电磁波屏蔽的金属层(9)，在使密封材料(7)固化的工序中，将金属层(9)转印到密封材料(7)上。
密封材料固化半导体元件半导体装置金属层离型膜电磁波屏蔽生产效率预先设置上模具下模具对置转印密封模具制造

[发明专利]半导体装置-CN201480013059.2有效
发明人：竹松裕司;柳川克彦;冈本健次 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性及耐久性较高的半导体装置，所述半导体装置与使用SiC、GaN元件的半导体装置相对应，即使半导体元件的动作温度是例如175℃以上的高温，密封树脂也不容易发生热氧化劣化，能防止裂纹的产生半导体装置(100)包括用密封材料对包含半导体元件(6)、绝缘基板(4)以及印刷基板(9)的构件进行密封而形成的成形体，所述绝缘基板(4)与所述半导体元件的一个面相接合，所述印刷基板(9)用于连接与所述半导体元件的另一个面相接合的外部电路，所述密封材料包含：第一密封材料(13)，该第一密封材料(13)是包含环氧树脂主剂、固化剂及平均粒径为1～100nm的无机填充材料而构成的纳米复合树脂；以及第二密封材料(11)，该第二密封材料(11)由不包含无机填充材料的热固性树脂
密封材料半导体装置半导体元件无机填充材料绝缘基板印刷基板接合环氧树脂纳米复合树脂热固性树脂热塑性树脂密封树脂平均粒径外部电路混合物成形体固化剂热氧化劣化主剂密封

[发明专利]半导体装置及电气装置-CN201610579768.8有效
发明人：三本孝博;矶亚纪良 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明防止来自半导体装置的油泄漏。本发明提供一种半导体装置，具备：半导体元件、容纳半导体元件并在壁部的至少一部分具有开放端的壳体部、覆盖壳体部的所述开放端的盖部、在所述壳体部的内部密封半导体元件的密封材料，其中，在开放端与所述密封材料之间的壁部的所述密封材料侧的面设置有突起部或凹陷部此外，本发明提供替代突起部或凹陷部而在与密封材料相反的一侧的面设置有接收从开放端滴落的液体的集液部的半导体装置。
半导体装置电气

[发明专利]半导体装置-CN202110927795.0在审
发明人：河崎一茂;三浦正幸;向田秀子 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有：布线基板，其具有第一面，并在与第一面相反的一侧具有第二面；第一半导体元件，其在布线基板的第一面上；第二半导体元件，其在布线基板的第一面上；以及第一密封材料，其至少密封第二半导体元件，在第一半导体元件与第二半导体元件之间的第一密封材料上形成有狭缝，在将第一半导体元件上的第一密封材料的厚度设为t1、第二半导体元件上的第一密封材料的厚度设为t2时，t1和t2满足0≤t1＜t2的关系。
半导体装置

[发明专利]密封材料组合物、半导体封装及其制造方法-CN201811172434.4在审
发明人：王铭毅;黄崑永 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种密封材料组合物及半导体封装。适于密封半导体管芯的密封材料组合物包括感光性介电材料及可极化的化合物，可极化的化合物悬浮于感光性介电材料中。可极化的化合物在感光性介电材料的预定区域中受到外部刺激的影响，在密封材料组合物的厚度方向上规则地排列以提供沿厚度方向穿透感光性介电材料的导电路径。半导体封装结构包括密封半导体管芯的密封材料组合物、第一重布线层与第二重布线层，第一及第二重布线层配置于密封材料组合物的相对的两个面上，且通过密封材料组合物彼此电性连接。本发明还提供一种半导体封装结构的制造方法。
密封材料组合物介电材料感光性重布线层可极化半导体封装结构半导体封装密封半导体管芯彼此电性导电路径外部刺激预定区域穿透制造悬浮配置

[发明专利]紫外线发光半导体器件及其制造方法-CN201780034189.8在审
发明人：堀田翔平;高岛正之 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即，紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂，上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触
密封材料层有机硅密封材料发光半导体器件紫外线缩聚紫外线发光元件树脂基材有机聚硅氧烷结构二烷基硅氧烷紫外线耐久性面相接触光射出加聚着色密封配置制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880013261.3有效
发明人：坂元创一;藤野纯司;川岛裕史;前田健寿 -专利权人：三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外，本发明的半导体装置具备：绝缘层(32)；导电层(33)，与绝缘层(32)的一方主面接合；以及半导体元件(1)，配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向，在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9)，还具备：具有中空部分(4a)的布线部件(4)，一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合，另一端与导电层(33)电接合；第1密封材料(71)；以及第2密封材料(72)，比第1密封材料(71)软，第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分，第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体用密封材料-CN201780040156.4有效
发明人：二田完;佐藤和也 -专利权人：太阳油墨制造株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C08G59/40 文献下载
摘要：提供一种半导体用密封材料，其能够降低半导体晶片及半导体封装、尤其是扇出型的晶片级封装(FO‑WLP)中的晶片或封装的翘曲。一种半导体用密封材料，其为至少包含热固性成分(A)和活性能量射线固化性成分(B)的半导体用密封材料，其特征在于，对于在不暴露于活性能量射线的环境下于150℃进行了10分钟加热处理后的半导体用密封材料，在
半导体密封材料

[发明专利]半导体器件用密封玻璃、密封材料、密封材料糊料以及半导体器件及其制造方法-CN201080033773.X有效
发明人：高桥広树 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：本发明提供在不降低与半导体基板的反应性以及粘接性的情况下能够抑制玻璃成分(金属氧化物)的还原所引起的金属的析出的半导体器件用密封玻璃、密封材料、密封材料糊料。半导体器件用密封玻璃由软化点在430℃以下的低熔点玻璃形成。半导体器件用密封材料含有密封玻璃和以体积比计在0～40％的范围的无机填充材料。半导体器件用密封材料糊料由密封材料和载体的混合物形成。
半导体器件密封玻璃密封材料糊料以及及其制造方法

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