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[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法-CN200910264504.3无效
发明人：屈盛 -专利权人：欧贝黎新能源科技股份有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，它涉及的是一种晶体硅太阳电池生产的技术领域，具体涉及的是一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法。它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂，并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀，在硅片正表面其它区域形成轻掺杂，从而获得选择性发射极结构。它既具有选择性发射极结构带来的较高的光电转换效率，又具有工艺简单、成本较低的特点，具有较好的实用价值。
一种选择性发射极晶体太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种选择性生长镍的方法-CN201110307997.1无效
发明人：周军;傅昶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种选择性生长镍的方法，通过选择性镀镍的方法在硅区域沉积所需厚度的镍，而在氧化硅或氮化硅区域均没有镍的形成，在保证硅区域淀积所需厚度的镍的同时不会带来有机物沾污等危害。
一种选择性生长方法

[发明专利]电镀治具-CN201410270541.6有效
发明人：于长弘 -专利权人：于长弘
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：所述的夹持组件可遮蔽夹持的圆导电线的非选择性区域，并可曝露夹持的圆导电线的选择性区域以与电镀液接触，而可在电镀过程中仅对圆导电线的选择性区域进行电镀，如此以减少电镀液中电镀材料的浪费，可用于在双绞线连接器导电端子的制作过程中以减少金的浪费
电镀

[发明专利]医用衣服-CN200580034273.7无效
发明人：丘迪·C·努瓦卡 -专利权人：丘迪·C·努瓦卡
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： A41B9/00 文献下载
摘要：该前开口位于胸部区域附近。该前开口包括上部和下部。该口盖也包括上部和下部。该口盖的上部以类似铰链的方式连接到该前开口的上部。上前开口位于胸部区域附近，而下前开口位于腹部区域附近。在这个实施例中，医用衣服还包括构造成大体覆盖上前开口的上口盖和构造成大体覆盖下前开口的下口盖。还介绍一种制造医用衣服的方法。该方法的一个实施例包括提供可选择性打开的上前开口和可选择性打开的下前开口的步骤。可选择性打开的上前开口位于医用衣服的腹部区域附近。可选择性打开的上前开口大体由上口盖覆盖，该上口盖构造成可选择性地在上前开口上方打开和闭合。可选择性打开的下前开口大体由下口盖覆盖，该下口盖构造成可选择性地在下前开口上方打开和闭合。
医用衣服

[发明专利]合成E－β－溴－γ－羟基亚甲基砜的方法-CN200710068058.X无效
发明人：麻生明;周超;傅春玲 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C07C317/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成高区域和立体选择性地的合成E－β－溴－γ－羟基亚甲基砜的方法，通过联烯基砜与溴的亲电反应高区域和立体选择性地合成E－β－溴－γ－羟基亚甲基砜。本方法操作简单，原料和试剂易得，反应具有高度的区域和立体选择性，能同时引入多个取代基，产物易分离纯化，适用于合成各种取代的E－β－溴－γ－羟基亚甲基砜。
合成羟基甲基方法

[发明专利]图案形成方法以及半导体器件的制造方法-CN200810174269.6有效
发明人：伊藤信一;松永健太郎;河村大辅;大西廉伸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂膜上形成用于保护上述感光性树脂膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，将上述保护膜的表面平滑化；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂膜构成的图案
图案形成方法以及半导体器件制造

[发明专利]一种区域选择性合成茚-吲哚衍生物的方法-CN202111350734.9在审
发明人：唐寿初;李嘉 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C07D409/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种区域选择性合成茚‑吲哚衍生物的方法。以吲哚类化合物、富电子芳基烯基‑1，3‑二噻烷为原料，在路易斯酸、氧化剂或质子酸作用下，经过一步反应高区域选择性和高收率合成茚‑吲哚衍生物。本发明方法具有选择性好、反应条件温和、收率高、操作简单安全等优点。本发明合成的茚‑吲哚衍生物及其相关茚酮结构是复杂吲哚类天然产物及活性药物分子的重要结构片段,同时，区域选择性合成茚‑吲哚衍生物的方法可制备相关的医药和化工中间体,在药物化学领域具有广泛应用前景。
一种区域选择性合成吲哚衍生物方法

[发明专利]磺化杯[4]芳烃—甲基-萘基-紫精模拟生物区域选择性识别仿生体系的构筑-CN201510414450.X在审
发明人：王魁;窦虹翕 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C07D213/22 文献下载
摘要：本发明公开了磺化杯[4]芳烃—甲基-萘基-紫精模拟生物区域选择性识别仿生体系的构筑，它是以磺化杯[4]芳烃为主体，以甲基-萘基-紫精为客体，通过主−客体包结配位相互作用构筑模拟生物区域选择性识别的仿生体系本发明的优点是：基于磺化杯[4]芳烃—甲基-萘基-紫精模拟生物区域选择性识别的仿生体系，制备方法高效简便，主、客体原料用量少，且具有良好的水溶性；该仿生体系中的主体化合物磺化杯[4]芳烃是生物兼容的；该仿生体系中的主体化合物磺化杯[4]芳烃的预组织结构虽然是柔性的，但展现出对具有多键合位点的甲基-萘基-紫精客体中的甲基键合位点区域选择性识别的功能。
磺化芳烃甲基萘基模拟生物区域选择性识别仿生体系构筑

[发明专利]太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备-CN202011510682.2在审
发明人：李志刚;程晓伟;朱凡;陆红艳 -专利权人：帝尔激光科技（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备。其中，太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括：对半成品硅片的预设区域进行预热处理；对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，其中，重掺杂区位于预设区域内，且预设区域不小于重掺杂区；其中，局部重掺杂采用激光照射方式进行掺杂本申请实施例的太阳能电池选择性发射极的制备方法和制备设备，通过对半成品硅片的预设区域进行预热处理，然后利用激光对半成品硅片的扩散层进行局部重掺杂形成重掺杂区，能够降低激光加工选择性发射极太阳能电池的生产过程中激光对硅片表面的损伤
太阳能电池选择性发射极制备方法设备

[发明专利]用于限制电阻随机存取存储器熔化点的自对准结构及方法-CN200710136488.0有效
发明人：赖二琨;何家骅;谢光宇;陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种制造电阻随机存取存储器的方法，此存储器具有限定熔化区域，以在此可编程电阻存储器中切换相变。此工艺最初形成柱状结构其包括有衬底体、位于此衬底体上的第一导电材料、位于此第一导电材料之上的可编程电阻存储材料、位于此可编程电阻存储材料之上的高选择性材料、以及位于此高选择性材料之上的氮化硅材料。此柱状结构中的高选择性材料在其两侧被各向同性蚀刻，以在此长度被缩减的高选择性材料的两侧分别生成空洞。可编程电阻存储材料沉积于限定区域之内，此限定区域先前被此长度缩减的多晶硅所占据，且此可编程电阻存储材料沉积于先前被氮化硅材料所占据的区域中。
用于限制电阻随机存取存储器熔化对准结构方法

[发明专利]一种精确图案化的选择性粘附组织贴片及其制备方法-CN202210984703.7在审
发明人：李超婧;焦勇杰;陈昱欣;王富军;王璐 -专利权人：东华大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： A61B17/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确图案化的选择性粘附组织贴片及其制备方法，选择性粘附组织贴片为复合结构，由粘附层水凝胶与不可粘附层基底构成；粘附层为具有镂空图案的含有粘附性基团的水凝胶；不可粘附层基底为不含有粘附性基团的基底；制备方法为：在平底容器中，依次铺设不可粘附层基底、B模、浇筑粘附层水凝胶前驱体溶液后，紫外光照射至形成粘附层水凝胶，得到精确图案化的选择性粘附组织贴片；B模的数量为1个以上，其竖直设置在不可粘附层基底上，用于防止紫外光照射基底局部区域。本发明的选择性粘附组织贴片能够精确控制粘附区域，实现对组织的选择性粘附，不与其他组织粘连或影响组织再生；本发明的制备方法，工艺简单，适用范围广。
一种精确图案选择性粘附组织及其制备方法

[发明专利]一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法-CN201310200573.4有效
发明人：崔艳丽;许姗姗;毛建卫;蔡春锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-05-25 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C08B37/16 文献下载
摘要：本发明属于化学合成领域，具体涉及到区域选择性反应，即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。本发明是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法，以全TMS保护的环糊精为底物，以有机溶剂为溶剂，在催化剂作用下及一定温度下，搅拌到原料消失，伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除，而其它位置上的三甲基硅基仍存在本发明的乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂，只脱除6位三甲基硅基保护基，其他位置不受影响；反应条件温和，后处理简单，而且其他保护基如TMS，乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响该方法具有区域选择性高、操作简单、条件温和、产率高、催化剂易得廉价等特点。
一种选择性脱除甲基保护环糊精方法

[发明专利]γ-烯基酮及其合成方法-CN202010079545.1有效
发明人：邢栋;谢丽玉;杨海见;段燕红 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C07C45/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ‑烯基酮及其制备方法，以环戊酮等简单环状酮或非环状甲基酮、1‑苯基‑1‑丙炔为原料，在有机溶剂、催化剂、添加剂和配体存在的条件下，以高收率、高区域选择性和高对映选择性得到目标产物。本发明具有原子经济性、高区域选择性、高对映选择性等优势，可实现价廉基础的有机化学品到高附加值γ‑烯基酮的高效转化。
烯基酮及其合成方法

[发明专利]微粒测定装置-CN201110199688.7有效
发明人：外石满;濑尾胜弘;高崎浩司;山田晋司;福本敦 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：该微粒测定装置包括滤光器，该滤光器被分成多个区域且设置在光路上，在该光路上从用光照射的微粒发出的光被引导至光检测器。在该微粒测定装置中，该滤光器包括：具有波长选择性的第一区域，该第一区域通过波长选择性来阻断来自微粒的反射光及不需要的散射光分量并且透射荧光；以及第二区域，至少设置在该第一区域周围且不具有波长选择性，以透射需要的散射光分量
微粒测定装置

[发明专利]扫描终端及其扫描方法-CN201610133350.4在审
发明人：王凯;顾鸣瑞 -专利权人：富士施乐实业发展（中国）有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描终端，包括操作面板，用于接收用户设置，该用户设置包括选择性扫描模式；成像参照板，文档被置于该成像参照板的扫描区域上；可操作性地覆盖于该成像参照板上方的扫描单元，该扫描单元包括封装于上平板和下平板之间的扫描组件，该上平板和该下平板在扫描区域皆为透明区域，以使覆盖在该扫描单元下方的文档透过该扫描单元可视，其中该上平板的扫描区域为触摸屏，该触摸屏用于在该选择性扫描模式下接收用户对该文档的待扫描部分的选择；以及控制单元，用于在该选择性扫描模式下控制该扫描组件对该用户选择的待扫描部分执行扫描，以获得供保存、复印或传真的结果图像。
扫描终端及其方法

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