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[发明专利]一种大功率整流管芯的制造方法-CN201710765588.3有效
发明人：王东东;王政英;刘锐鸣;刘芹;朱为为;唐革;姚震洋;高军;邹昌 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。
一种大功率整流管芯制造方法

[实用新型]一种污水双重净化并排出污染物的装置-CN202021296551.4有效
发明人：陆娟 -专利权人：四川中环信德环保技术有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种污水双重净化并排出污染物的装置，包括污水处理箱体，所述污水处理箱体包括不溶于水杂质自然沉淀腔和溶于水杂质化学反应沉淀腔，所述不溶于水杂质自然沉淀腔一端与污水进水口连接，所述不溶于水杂质自然沉淀腔的另一端与溶于水杂质化学反应沉淀腔的另一端通过连通结构连通，所述溶于水杂质化学反应沉淀腔与净水出水口连接；所述溶于水杂质化学反应沉淀腔内部设置有第一搅拌器和第二搅拌器，第一搅拌器与第二搅拌器对向设置，且搅拌方向相反。该装置通过固体杂质自然沉淀和化学反应沉淀两种方式来净化污水，减少了人工成本，提高了污水净化的效率。
一种污水双重净化排出污染物装置

[发明专利]一种吡咯并喹啉醌PQQ二钠盐杂质的分离纯化方法-CN201510843823.5有效
发明人：胡名扬;鲁秀强;朱理伟 -专利权人：潍坊盛瑜药业有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01N33/15 文献下载
摘要：一种吡咯并喹啉醌PQQ二钠盐杂质的分离纯化方法，属于化学药物杂质研究技术领域。针对药品中的杂质，必须依据其生理活性制定其质控限度，其中包括药品中的杂质被有效的分离，从而保证药品质量，减少药物的不良反应。杂质的分离制备是药物研究中最为关键的技术之一。本发明将PQQ合成副产物杂质有效分离，制备获得100mg的杂质产物，并采用高分辨质谱（HRMS）、红外吸收光谱（IR）、核磁共振谱（NMR）对杂质的化学结构式进行确证，最终确证其分子式及化学结构和化学名称，为申报PQQ临床用药制定杂质限量提供可靠依据。
一种吡咯喹啉 pqq 钠盐杂质分离纯化方法

[发明专利]一种酒店中水回用处理系统-CN201811205113.X在审
发明人：李维福;向英 -专利权人：珠海市水通环保设备有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种酒店中水回用处理系统，包括依次连通的杂质分离单元、电化学单元及沉淀单元，杂质分离单元连通有废水进口，杂质分离单元可将废水分离为杂质与清水，电化学单元内设有可供清水进行电化学反应的阴阳电极，阴阳电极连接有直流电源，电化学反应可将清水中的污染物分解生成气体、无机物及不可溶的磷酸盐，沉淀单元设有挡板，清水可在挡板的阻挡下分离出磷酸盐颗粒及净水，沉淀单元上端设有净水出口。本系统的杂质分离单元将杂质去除，为后续电化学氧化还原处理提供了良好的条件，提高了电化学反应的效率，沉淀单元提高了水的透明度从而得到净水，本系统结构简单，处理废水速度快，效率高，占用空间小。
杂质分离单元沉淀单元电化学反应清水中水回用处理系统电化学单元挡板阴阳电极净水无机物电化学氧化磷酸盐颗粒污染物分解废水分离废水进口还原处理净水出口系统结构依次连通杂质去除占用空间直流电源磷酸盐上端连通废水阻挡透明度

[实用新型]一种酒店中水回用处理系统-CN201821680762.0有效
发明人：李维福 -专利权人：珠海市水通环保设备有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种酒店中水回用处理系统，包括依次连通的杂质分离单元、电化学单元及沉淀单元，杂质分离单元连通有废水进口，杂质分离单元可将废水分离为杂质与清水，电化学单元内设有可供清水进行电化学反应的阴阳电极，阴阳电极连接有直流电源，电化学反应可将清水中的污染物分解生成气体、无机物及不可溶的磷酸盐，沉淀单元设有挡板，清水可在挡板的阻挡下分离出磷酸盐颗粒及净水，沉淀单元上端设有净水出口。本系统的杂质分离单元将杂质去除，为后续电化学氧化还原处理提供了良好的条件，提高了电化学反应的效率，沉淀单元提高了水的透明度从而得到净水，本系统结构简单，处理废水速度快，效率高，占用空间小。
杂质分离单元沉淀单元电化学反应清水中水回用处理系统电化学单元挡板阴阳电极净水无机物本实用新型电化学氧化磷酸盐颗粒污染物分解废水分离废水进口还原处理净水出口系统结构依次连通杂质去除占用空间直流电源磷酸盐上端连通废水阻挡透明度

[发明专利]用于化学镀锡溶液的杂质清除装置及清除方法-CN200810098415.1无效
发明人：李刚;洪石杓;朴光姿;张种官;崔敏廷 -专利权人：和白科技株式会社
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C18/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学镀锡溶液的杂质清除装置及方法。该清除装置包括：多个隔间，连续布置并且相互连通；杂质清除单元，位于隔间内部并且包括阳极板和阴极板；电源供应单元，为杂质清除单元供电，该电源供应单元所供应电流的电流密度大于0.05A/dm^{2化学镀锡溶液的杂质清除方法包括以下步骤：向连续布置且相互连通的多个隔间内部投入化学镀锡溶液；使化学镀锡溶液流经位于所述隔间内部并且包括阳极板和阴极板的杂质清除单元，其中，供应给杂质清除单元的电流的电流密度大于}
用于化学镀锡溶液杂质清除装置方法

[发明专利]熔盐的电化学净化方法-CN201510237627.3在审
发明人：黄卫;蒋锋;田丽芳;佘长锋;郑海洋;龙德武;李晴暖 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C25C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了熔盐的电化学净化方法。本发明提供了一种熔盐的电化学净化方法，步骤(1)：采用三个电极：阴极、阳极和参比电极，确定熔融的待净化熔盐的电化学窗口及在待净化熔盐电化学窗口内杂质的电化学还原峰电位；以石墨为阳极材料，以惰性金属为阴极材料，所述的惰性金属为不与待净化熔盐发生反应的金属；步骤(2)：以比步骤(1)中确定的杂质的电化学还原峰电位负、大于或等于待净化熔盐的电化学窗口的电压进行电解。本发明的方法，不但适用氯化物熔盐体系，也适用氟化物熔盐体系，单次实验操作即达到同时净化除去熔盐中金属阳离子杂质和含氧阴离子杂质，并且不需在熔盐体系加入其它化学试剂，净化过程不会对熔盐产生次生污染。
电化学净化方法

[发明专利]一种基于流动电容去离子技术的盐湖粗化学品的除杂方法-CN202310236816.3在审
发明人：刘忠;卫文飞;赵炳;吴志坚 -专利权人：中国科学院青海盐湖研究所
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B01D61/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于流动电容去离子技术的盐湖粗化学品的除杂方法，所述除杂方法包括如下步骤：将研磨后的盐湖粗化学品和凝胶聚合物与水溶液混合，配制获得粗化学品浆料；盐湖粗化学品为碳酸锂、氢氧化镁、氧化镁、硫酸镁、硼酸盐、氯化钾或硫酸钾粗化学品；根据粗化学品浆料的杂质离子设置相应的离子交换膜并且确定相应的杂质离子提取电解液；将粗化学品浆料泵入中间仓室中，将杂质离子提取电解液泵入流动电极室，在流动电极室施加交变电压，使粗化学品浆料的杂质离子在离子交换膜和电场的共同作用下向流动电极室迁移并发生电化学反应而富集在电极材料上；对从中间仓室排出的除杂后的粗化学品浆料进行脱水处理，得到除杂后的盐湖化学品。
一种基于流动电容离子技术盐湖化学品方法

[发明专利]用于处理电子器件衬底表面的流体用滤筒-CN200480012186.7无效
发明人：小松诚;藤原邦夫;桥本幸雄 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明的目的是提供适用于纯化化学流体，尤其是包含碱性化合物如胺和铵盐或氢氟酸(HF)的流体的滤筒，其中该化学流体用于处理半导体工业中使用的电子器件衬底的表面。用于通过处理化学流体(该化学流体用于处理电子器件衬底表面)来除去化学流体中包含的金属杂质的本发明的滤筒，特征在于具有结合在其中的滤料，并按照要被处理的化学流体的成分和要被除去的金属杂质的种类向滤料中引入了与要被除去的金属杂质的存在形态相容的官能团
用于处理电子器件衬底表面流体用滤筒

[发明专利]在化学机械平坦化期间移除杂质的方法-CN202210611469.3在审
发明人：侯德谦;粘博钦;陈志宏;陈盈淙;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械平坦化系统，包括在化学机械平坦化制程期间旋转的一化学机械平坦化垫。在制程期间，一化学机械平坦化头将半导体晶圆放置与化学机械平坦化垫接触。在制程期间，一研磨浆供给系统将研磨浆供给至垫上。一杂质去除系统从研磨浆去除碎屑及杂质。
化学机械平坦期间杂质方法

[实用新型]一种低废水比膜过滤装置-CN201720785565.4有效
发明人：李亚民 -专利权人：天津施特劳斯环保科技有限公司
申请日： 2017-07-01 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低废水比膜过滤装置，涉及废水处理领域，包括杂质过滤池、化学池和膜过滤池，所述杂质过滤池设于化学池的上方且相互铰接，所述杂质过滤池的底部为倒梯形的杂质过滤膜，所述化学池的侧面设有化学试剂箱，所述化学试剂箱通过导管与化学池连接，所述膜过滤池与化学池的底部连接有出水管，出水管上设有阀门，所述出水管的管口设有沉淀过滤膜，所述膜过滤池内设有两层卡板，卡板之间设有若干GT膜，GT膜的一端封闭，另一端连接有通管
一种废水过滤装置

[发明专利]一种空气滤清器的寿命预测方法、装置、设备及介质-CN202210719043.X在审
发明人：马秋玉;赵洪辉;韩令海;李金成;盛夏;郭冬来;鲍金成;黄兴;丁天威;王恺;曲禄成 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气滤清器的寿命预测方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取空气滤清器在当前时刻的当前化学杂质浓度以及当前物理杂质浓度；根据所述当前化学杂质浓度和所述空气滤清器在初始使用时刻所对应的化学杂质总吸附量，确定化学剩余使用时长；根据所述当前物理杂质浓度和所述空气滤清器在初始使用时刻所对应的物理杂质总吸附量，确定物理剩余使用时长；根据所述化学剩余使用时长和所述物理剩余使用时长，确定与当前时刻所对应的目标预测使用时长
一种空气滤清器寿命预测方法装置设备介质

[发明专利]一种含化学吸附的反应精馏除氯硅烷中硼、磷杂质的方法和设备-CN201610110867.1在审
发明人：黄国强;苏国良 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种含化学吸附的反应精馏除氯硅烷中硼、磷杂质的方法和设备；包括含化学吸附硼、磷杂质的反应精馏塔以及配套的塔顶冷凝器、塔釜再沸器、回流罐、回流泵和塔釜采出泵；反应精馏塔内分为精馏段、反应段和提馏段氯硅烷进入含化学吸附硼、磷杂质的反应精馏塔，硼、磷杂质在塔内的反应段进行化学吸附反应，硼、磷杂质发生反应的被固载到反应段，经过化学吸附反应过程的氯硅烷由精馏段和反应段的分离提纯，在塔顶得到高纯氯硅烷产品
一种化学吸附反应精馏硅烷杂质方法设备

[实用新型]半导体用超纯化学品储罐的杂质检测装置-CN202122303376.8有效
发明人：宋国华 -专利权人：无锡氟士德防腐科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N21/90 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体储存技术领域，且公开了半导体用超纯化学品储罐的杂质检测装置，包括壳体，所述壳体顶部固定连接有检测机构，所述检测机构表面通过螺纹套螺纹连接有固定机构。该半导体用超纯化学品储罐的杂质检测装置，通过设置检测机构，在使用的过程中，先将该装置放入需要检测的半导体用超纯化学品储罐内，打开补光灯，启动电机，电机的转动带动传动杆的转动，传动杆的转动带动第一齿轮的转动，操作人员可以通过控制盒对传感相机检测到的画面进行观察，发现罐体内存在杂质，及时进行处理，从而能有效防止半导体用超纯化学品在储存时受到罐体内的杂质影响，造成半导体用超纯化学品的损坏，降低了半导体用超纯化学品损坏的风险
半导体用超纯化学品杂质检测装置

[发明专利]一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备-CN201610112604.4在审
发明人：黄国强;王丽丽 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备。包括换热器、固定床吸附柱和导热油循环泵；换热器底部进料管线和换热器顶部出料管线均与固定床底部相连，导热油循环泵向固定床输送传热介质导热油。氯硅烷气相或液相首先进入换热器，再进入化学吸附固定床，由负载了化学络合剂的吸附剂对硼、磷杂质进行化学吸附反应，最终得到高纯氯硅烷。本发明氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼、磷杂质的工艺简单，设备投资少，可有效除去氯硅烷中的硼、磷杂质,得到的氯硅烷纯度高。固定床化学吸附法提纯中吸附剂容易再生,成本低。利用固定床化学吸附反应法除氯硅烷中的硼、磷杂质是在国内首次并创造性的提出，为实现稳产电子级多晶硅奠定基础。
一种硅烷固定床化学吸附反应方法设备

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