专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置的形成方法-CN201610996689.7在审
  • 粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-10-26 - 2017-10-03 - H01L21/336
  • 半导体装置的形成方法包含形成鳍状物于基板上;沉积栅极层于鳍状物上,且栅极层具有第一材料;以及沉积牺牲层于栅极层上,且牺牲层具有第二材料。此方法亦包含以第一浆料或蚀刻品移除牺牲层的第一部分,且第一浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第一选择性。此方法亦包含以第二浆料或蚀刻品移除栅极层的第一部分与牺牲层的第二部分以形成平坦化的栅极层,且第二浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第二选择性。第一选择性大于第二选择性。上述方法的优点之一为降低下方的结构密度对栅极层的平坦化工艺的影响,并降低横越晶片的装置结构上的栅极层其厚度差异。
  • 半导体装置形成方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201611009276.1在审
  • 粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-11-16 - 2017-07-07 - H01L21/336
  • 本公开提供半导体装置的制造方法,此方法包含形成多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于基底中,将栅极电极层沉积于基底上方,其中这些第一半导体鳍的上部和这些第二半导体鳍的上部埋置于栅极电极层中,将反转膜沉积于栅极电极层上方,及实施化学机械研磨工艺于反转膜和栅极电极层,其中在实施化学机械研磨工艺的步骤期间,将研磨液沉积于研磨垫与反转膜之间,且其中栅极电极层和反转膜的研磨液选择比大于1。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]判断方法-CN201410338493.X无效
  • 颜妙儒;粘博钦;陈其延;沈柏君 - 达尔生技股份有限公司
  • 2014-07-16 - 2015-02-11 - G01N27/26
  • 本公开提供一种判断方法。该判断方法用于生化检测试片。此生化检测试片包括第一电极、第二电极、以及耦接第一电极以及第二电极的反应区。此判断方法包括以下步骤:将待测目标物放置在反应区;通过第一电极以及第二电极来施加第一电压至该反应区,以获得第一数值;停止施加第一电压至反应区于第一期间;通过第一电极以及第二电极来施加第二电压至反应区,以获得第二数值;停止施加第二电压至反应区于第二期间;以及根据第一数值以及第二数值来获得判断指数,以表示待测目标物在反应区内的布满状况。第一电压的极性与第二电压的极性彼此相反。
  • 判断方法
  • [发明专利]生物检测试片及其系统-CN201210278727.7无效
  • 粘博钦;陈诚专;锺明兴 - 达尔生技股份有限公司
  • 2012-08-07 - 2014-02-12 - G01N27/26
  • 本发明公开了一种生物检测试片及其系统,该生物检测试片包含一基板、一电极结构、一第一、第二绝缘片、一过滤膜以及一排气孔。前述电极结构形成于前述基板上,具有一工作电极与一辅助电极。前述第一绝缘片在对应前述工作电极与前述述辅助电极的位置形成有一反应区,并形成有一气体管路连接前述反应区。前述第二绝缘片形成有一进样通道,其中前述第一绝缘片设置于前述电极结构以及前述第二绝缘片之间。前述过滤膜设置于前述反应区之上,其中样本从前述进样通道进入前述生物检测试片,并通过前述过滤膜。
  • 生物检测试片及其系统

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