“化学掺杂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果562430个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电致变色薄膜的电化学掺杂方法-CN201710207709.2在审
发明人：韦友秀;颜悦;厉蕾;陈牧;刘伟明 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：本发明属于电致变色薄膜制备技术，涉及一种电致变色薄膜的电化学掺杂方法。进行电化学掺杂的步骤是电致变色薄膜的制备；掺杂液的制备；掺杂前准备；掺杂过程。本发明提供了一种电致变色薄膜的电化学掺杂方法，实现了高比例掺杂；在掺杂过程中不会产生沉淀从而能保证掺杂薄膜的均匀性；进行多元掺杂时，简化了实验过程，省略了昂贵的实验设备，降低了掺杂成本。
一种变色薄膜电化学掺杂方法

[发明专利]有机电致发光器件的发光层及其有机电致发光材料-CN200610073270.0有效
发明人：林政弘;柯崇文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件的发光层，其由主发光体与掺杂物所组成。其中，掺杂物掺杂于主发光体中，而掺杂物的化学结构可为化学式Ⅰ至化学式Ⅵ所示。
有机电致发光器件发光及其材料

[发明专利]一种高效掺杂石墨烯的化学掺杂剂和掺杂方法-CN201610675455.2在审
发明人：马来鹏;任文才;董世超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高效掺杂石墨烯的化学掺杂剂和掺杂方法，该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的掺杂。化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质；或者，化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质，与其他类型光引发剂之一或两种以上的组合。将化学掺杂剂与石墨烯表面接触后，对石墨烯进行掺杂，并可通过阳离子型光引发剂进行光照或加热提高其掺杂效果和掺杂稳定性。从而，为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。
一种高效掺杂石墨化学方法

[发明专利]具有轻度掺杂的排出装置的化学敏感的传感器-CN201180040544.5有效
发明人： K.G.法伊夫 -专利权人：生命科技公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种具有轻度掺杂的区域的化学敏感的传感器，所述轻度掺杂的区域会影响化学敏感的传感器的栅和电极之间的重叠电容。所述轻度掺杂的区域在化学敏感的传感器的栅区域的下面且邻近地延伸。通过操纵在电极下面的轻度掺杂的区域，实现对化学敏感的传感器的增益的修改。
具有轻度掺杂排出装置化学敏感传感器

[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法-CN201610008945.7在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善鳍式场效应管性能的方法，包括提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部；在所述鳍部侧壁表面、或者在所述鳍部顶部表面和侧壁表面形成化学氧化层；在所述化学氧化层表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；对所述掺杂层进行退火处理，使所述掺杂离子扩散进入鳍部内，形成掺杂区。本发明在鳍部表面形成化学氧化层，从而防止鳍部与外界环境接触而形成自然氧化物，还防止鳍部与形成掺杂层过程中的氧相接触形成致密度高的自然氧化物，本发明中掺杂层与鳍部之间的扩散界面性能好，掺杂层内的掺杂离子经由化学氧化层易扩散至鳍部内，提高掺杂效率，从而改善形成的鳍式场效应管的性能。
改善场效应性能方法

[发明专利]具有形貌遗传的纳米聚苯胺材料及其电化学制备方法-CN200810020825.4无效
发明人：郝青丽;汪信;周倩;严贞贞;杨绪杰;陆路德;刘孝恒 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有形貌遗传能力的纳米聚苯胺材料及其电化学制备方法。该方法步骤如下：将苯胺和掺杂酸I加到水中，搅拌形成苯胺的掺杂酸I溶液；在三电极体系内，将苯胺的掺杂酸I溶液加到电解池中，在工作电极上进行电化学方法合成制备得到掺杂酸I掺杂的纳米结构的聚苯胺材料，电化学合成完毕得到掺杂酸I掺杂的聚苯胺修饰电极；将上述修饰电极作为工作电极，放在盛有掺杂酸II的水溶液中，采用循环伏安法电解至循环伏安图形稳定，得形貌与第二步所得掺杂酸I掺杂的聚苯胺纳米结构一样的掺杂酸II掺杂的聚苯胺材料。本发明得到的聚苯胺材料仅仅在掺杂离子的化学成分上存在差异，而并不会改变聚苯胺的微观形貌，这种形貌遗传具有着重要应用价值。
具有形貌遗传纳米苯胺材料及其电化学制备方法

[发明专利]一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用-CN201811642788.0在审
发明人：陆旭兵;高栋 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜及其制备方法和应用。所述基于脉冲激光技术控制铌掺杂钛酸钡外延薄膜非化学配比的方法，包括如下步骤：利用脉冲激光轰击铌掺杂钛酸钡靶材，从而在基底沉积得到非化学配比的铌掺杂钛酸钡外延薄膜。本发明选用非化学配比的方法较好的实现了钡元素和钛元素占比的调控，工艺简单，为制备不同性能需求的薄膜提出了新的研究思路。
非化学配比钛酸钡铌掺杂外延薄膜制备方法和应用脉冲激光轰击脉冲激光技术性能需求钡元素钛元素靶材基底薄膜沉积制备调控研究

[发明专利]具有超宽吸收放射差的纳米晶及其制法-CN201810374366.3有效
发明人：陈学仕;杨贻晴 -专利权人：陈学仕
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：具有超宽吸收放射差的纳米晶及其制法，纳米晶包含光电半导体化合物所构成并包括掺杂区及未掺杂区的单晶体。掺杂区具A1XA21‑XB第一化学结构式，并具内部及包覆内部的外部，A2为掺杂区的掺质。未掺杂区分散于内部并具A1B第二化学结构式，第一、二化学结构式中的A1相同。A1与A2选自1价、2价或3价金属阳离子，条件是A1不等于A2，B选自2价或3价阴离子，x小于1。第一化学结构式的能隙大于第二化学结构式，且掺杂区内部的掺质浓度足够低以致使单晶体具至少大于350nm的吸收放射差。通过掺杂区的第一化学结构式的能隙大于未掺杂区的第二化学结构式的能隙，与掺杂区的内部的掺质浓度足够低以致使单晶体的吸收放射差至少大于350nm以扩增纳米晶于下游应用端的广度。
具有吸收放射纳米及其制法

[发明专利]一种ABEI掺杂金铂钴合金纳米发光材料及其制备方法-CN202210053430.4在审
发明人：周晓燕;毕赛;田清武;李静;李慧;胡明慧 -专利权人：周晓燕
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备、化学发光免疫分析技术领域，公开了一种ABEI掺杂金铂钴合金纳米发光材料及其制备方法，ABEI掺杂金铂钴合金纳米发光材料的制备方法包括：配制合成反应试剂；加热合成反应；还原反应；将反应产物离心，弃上清、收集沉淀置于烘箱中干燥并称量，得到ABEI掺杂金铂钴合金纳米化学发光剂材料。本发明制备简单，制备效果好，无毒无污染，符合绿色化学理念。本发明制备得到的ABEI掺杂金铂钴合金纳米发光材料在过氧化氢存在时可自催化产生“辉光”型化学发光信号，而无需额外添加化学发光底物，反应易操作、发光信号稳定且易记录。本发明制备得到的ABEI掺杂金铂钴合金纳米发光材料生物兼容性好。
一种 abei 掺杂金铂钴合金纳米发光材料及其制备方法

[发明专利]掺杂的氧化锡的应用及聚合物组合物和成型体及油墨组合物和表面金属化方法-CN201410448481.2有效
发明人：周维;毛碧峰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C08K3/22 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂元素含有铌的掺杂的氧化锡作为通过化学镀将绝缘性基材表面选择性金属化的化学镀促进剂的应用。本发明还提供了含有所述掺杂的氧化锡的聚合物组合物、聚合物成型体、油墨组合物以及绝缘性基材表面选择性金属化方法。所述掺杂的氧化锡的颜色浅，将其预置在例如塑料的基材中时，不会对基材本身的颜色产生明显干扰。所述掺杂的氧化锡具有较强的促进化学镀的能力，以其作为化学镀促进剂进行化学镀时，能够以较高的镀覆速度获得连续完整的金属镀层，同时金属镀层对基材具有较高的附着力。
掺杂氧化应用聚合物组合成型油墨表面金属化方法

[发明专利]一种多元掺杂磷酸铁锂/碳复合正极材料的合成方法-CN201410363064.8有效
发明人：刘万民;曾芳蓉;邓继勇 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明公开了一种以化学镀镍废液为主要原料的多元掺杂磷酸铁锂/碳复合正极材料的合成方法。本发明的技术要点是，该方法以次磷酸镍‑次磷酸体系化学镀镍废液为主要原料，按化学计量比配入锂源和铁源，在氮气或氩气等惰性气体保护下焙烧合成多元掺杂磷酸铁锂/碳复合正极材料。该方法制备多元掺杂磷酸铁锂/碳复合正极材料所用的磷、碳和各掺杂元素均来自化学镀镍废液，从而克服了传统的制备多元掺杂磷酸铁锂/碳复合正极材料的原料单纯依赖各种化学试剂的局限，在降低磷酸铁锂/碳复合正极材料制备成本的同时，也为化学镀镍废液的后处理提供了新途径。
一种多元掺杂磷酸复合正极材料合成方法

[发明专利]聚合物薄膜纳米掺杂装置及其掺杂方法-CN201010270589.9无效
发明人：刘景全;何庆;杨春生;芮岳峰;闫肖肖 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种聚合物制备技术领域的基于化学气相沉积的聚合物薄膜纳米掺杂装置及其掺杂方法，其装置包括：底座、支撑架、顶架以及旋转离心腔，通过将掺杂扬尘装置固定安装于化学气相沉积设备沉积腔内并装填好待掺杂粉体后，将基底放置于沉积旋转台上并密封化学气相沉积密封腔抽真空后开启沉积，待聚合物气体充满沉积腔后启动掺杂扬尘装置，将纳米粉体连续弥散于真空腔内和聚合物蒸汽混合后自然下落沉积于基底材料表面，形成掺杂聚合物薄膜。本发明在原有化学气相沉积原料的前提下将一种或者多种具有特定性能纳米粉体材料与该种聚合物气体混合后在目标基底上沉积获而获得具有多种功能特性的掺杂薄膜。
聚合物薄膜纳米掺杂装置及其方法

[发明专利]磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用-CN201911199565.6有效
发明人：刘天西;尚楠;赖飞立;宗伟;缪月娥;朱晓波;欧阳玥;郭和乐 -专利权人：东华大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，其特征在于，所述磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体，在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长NiFe‑LDH纳米片制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
掺杂氧化镍铁氮纳米纤维复合材料及其制备方法应用

[发明专利]基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置-CN201611191190.5在审
发明人：刘胜;严晗;甘志银;彭庆;程佳瑞;郑怀 -专利权人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，该方法包括以下步骤在半导体金刚石外延生长初期，通过MPCVD制备半导体金刚石外延薄膜；通过MPCVD制备半导体金刚石掺杂层；根据掺杂层的掺杂原子种类及其与氢原子形成的饱和化学键的键能，选择相应波长的飞秒激光，于反应腔中通过所述飞秒激光打断掺杂层中掺杂原子与氢原子形成的饱和化学键。本发明提供的这种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，通过特定波长的飞秒激光作用在半导体金刚石薄膜中，打断掺杂原子与氢原子之间的饱和化学键，激活掺杂原子，从而提高掺杂层中有效载流子浓度。
基于激光半导体金刚石薄膜掺杂处理方法装置

[发明专利]一种掺杂量可控的氮掺杂型碳材料的制备方法及应用-CN201610826987.1有效
发明人：海洋;韩沛;江靖;林叶茂;杨波;朱才镇 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂量可控的氮掺杂型碳材料及其制备方法和应用，采用离子注入技术可制备氮的掺杂量为0.1～70％的氮掺杂型碳材料，对材料进行掺杂改性不仅可以得到氮掺杂量可控且掺杂均匀的碳材料，而且使用离子注入技术还具有掺杂的元素纯净、单一；掺杂浓度不受平衡固溶度限制；掺杂元素的种类、浓度和深度皆可精确控制。本发明所采用的离子注入技术能够从掺杂杂质原子、增加表面缺陷等方面对碳材料进行改性，提升材料的电化学性能，同时有效解决化学方法制备氮掺杂碳材料时所遇到的问题，并将其应用到能源材料的锂离子电池负极材料和催化剂等领域中，从而制备出具有良好电化学性能的锂离子电池负极材料和电催化剂。
一种掺杂可控材料制备方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条