专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高分子基膜表面处理方法、设备及镀膜产品-CN202211563028.7在审
  • 臧世伟 - 重庆金美新材料科技有限公司
  • 2022-12-07 - 2023-03-28 - C23C14/02
  • 本发明公开了一种高分子基膜表面处理方法、设备及镀膜产品,该处理方法包括在高分子基膜镀膜前的出料端设置基膜表面改性装置,使得高分子基膜表面形成与镀膜材料产生化学键合反应的活性界面;该设备包括放卷辊、收卷辊、以及膜层沉积区域,膜层沉积区域与放卷辊之间的高分子基膜的单侧或双侧设有紫外辐射装置,该镀膜产品包括高分子基膜、增强层以及功能镀层,增强层用于增强功能镀层与高分子基膜之间粘附力,其由镀层材料与高分子基膜表面的活性界面化学键合形成本发明通过紫外辐射装置对高分子基膜表面进行辐照,使其形成活性界面,增加镀膜与高分子基膜之间的粘附力,其可以更加方便的实现高分子基膜的表面处理,表面处理过程无污染、高效率。
  • 一种高分子表面处理方法设备镀膜产品
  • [发明专利]差别注入式材料处理系统-CN01814637.6无效
  • 皮埃罗·斯弗拉佐 - 尤纳克西斯美国公司
  • 2001-07-09 - 2003-10-15 - C23C14/46
  • 描述了一种包括沉积源的差别注入式沉积系统,该沉积源,如磁控管溅射源,置于第一小室。沉积源生成包括中性原子和分子沉积流,限定孔的屏蔽物置于沉积流的路径上。屏蔽物使沉积流通过孔,并阻止沉积流越过屏蔽物的范围。基片承载器置于邻近屏蔽物的第二小室。第二小室中的压力低于第一小室的压力。双扫描系统按照第一和第二运动相对于孔扫描基片承载器,因而提高了沉积薄膜的均匀性。
  • 差别注入材料处理系统

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