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[发明专利]具有两个基准电压产生电路的内部电源电压控制装置-CN03131005.2无效
发明人：吉原和雄 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：在内部电源电压控制装置中，基准电压产生电路(1)产生基准电压(VRO)。第一内部电源基准电压产生电路(2’)根据基准电压产生第一内部电源基准电压(VREF)，第二内部电源基准电压产生电路(9)根据加到预定焊接点(NC，OE，CS)上的电压，产生第二内部电源基准电压(VREF测试方式选择电路(7)根据控制信号(PLVCC2)，启动第一和第二内部电源基准电压产生电路。内部电源电压产生电路(3)根据由启动的第一和第二内部电源基准电压产生电路之一，产生的第一和第二内部电源基准电压之一，产生内部电源电压。
具有两个基准电压产生电路内部电源控制装置

[发明专利]一种芯片内部偏置电压校正电路-CN201210431930.3无效
发明人：蒋仁杰 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片内部偏置电压校正电路。本电路利用带隙基准电压对PVT（工艺、电压、温度）不敏感的特性，用内部偏置电压和带隙基准电压进行比较，然后经过判断逻辑判断内部偏置电压是否达到预设的电压值，然后根据判断结果控制可变电流，调节芯片内部的偏置电压，直到芯片内部偏置电压与带隙基准电压的关系满足预先设计的条件，校正完成，从而使得芯片内部偏置电压与带隙基准电压具有相同的PVT特性，即可以实现利用一个带隙基准电压可以得到多个PVT特性与带隙基准可比拟的、且电压值可调的内部参考电压。
一种芯片内部偏置电压校正电路

[发明专利]电压异常检测电路和半导体装置-CN201710962809.6有效
发明人：五十岚敦史 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：电压异常检测电路和半导体装置。为了实现虽然是简单的电路结构但能够检测半导体装置的内部电源电压的电压异常的电压异常检测电路和半导体装置，电压异常检测电路具有：基准电压电路，其输出高于内部电源电压的第1基准电压、以及低于内部电源电压的第2基准电压；第1电压检测电路，其根据第1基准电压检测内部电源电压高于期望的电压值的情况；以及第2电压检测电路，其根据第2基准电压检测内部电源电压低于期望的电压值的情况。
电压异常检测电路半导体装置

[发明专利]可稳定工作的半导体存储器-CN03107908.3无效
发明人：伊藤孝 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：电源电路(70)包括生成第1基准电压(VREFD)的基准电压发生电路(72)；利用第1基准电压(VREFD)将外部电源电压(EXTVDD)升压生成第1内部电源电压(VDDH)的升压电路(71)；生成第2基准电压(VREFP)的基准电压发生电路(73)；将第1内部电源电压(VDDH)降压至第2基准电压(VREFP)生成第2内部电源电压(VDD4)的VDC电路(74)。然后，将生成了的第2内部电源电压(VDD4)供给DLL，DLL生成具有与第2内部电源电压(VDD4)的电压电平相应的相位的周期信号。
稳定工作半导体存储器

[发明专利]用于存储器接口的内部电压基准-CN200480040504.0无效
发明人：约翰·朱姆凯尔;詹姆斯·钱德勒;雷·蒋 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：在一个实施方案中，所述存储器控制器包括耦合到外部上拉电阻器的上拉校准端子，耦合到外部下拉电阻器的下拉校准端子，电压基准节点，耦合所述上拉校准端子和所述电压基准节点之间的第一开关，以及耦合在所述下拉校准端子和所述电压基准节点之间的第二开关所述第一开关和所述第二开关可以被选择性地闭合，以在正常模式中在所述电压基准节点上产生内部电压基准，所述内部电压基准可被用于与输入信号进行比较以接收数据。
用于存储器接口内部电压基准

[发明专利]基准电压-CN201510204666.3有效
发明人： X·濮;K·纳咖拉杰;Y·胡 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明涉及基准电压。本发明公开一种基准电压电路，该基准电压电路包括双极晶体管(Q3)和电路(200)，所述电路被配置成测量双极晶体管的发射极电流与基极电流的比率。基准电压电路的输出电压根据测量的比率的函数被补偿。
基准电压电路双极晶体管基准电压电路测量发射极电流基极电流输出电压配置

[发明专利]一种上电过程中防止过冲的电源管理单元-CN201810514726.5有效
发明人：杨运福 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源管理单元，包括：基准源，所述基准源基于系统电压生成基准电压；延迟单元，所述延迟单元对所述基准电压进行延迟并生成延迟后的基准电压；以及低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器接收延迟后的基准电压，基于延迟后的基准电压产生内部电压VDD，其中延迟后的基准电压不采样所述基准电压的初始过冲部分。
一种过程防止电源管理单元

[发明专利]DC－DC转换器-CN201310055512.3有效
发明人：齐藤浩;后藤祐一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种在宽的电源电压范围动作的DC－DC转换器。DC－DC转换器（30）具备高侧电路（31）；生成第一内部基准电压的第一稳压器LDO1；生成第二内部基准电压的第二稳压器LDO2；和信号处理部（51），利用第二内部基准电压对高侧电路进行控制，以使从输出电容器和电感器的连接节点输出的输出电压与规定的基准电压的差分电压变小；第一稳压器以及第二稳压器分别具有：差动电路，生成与规定的基准电压和与从该稳压器输出的内部基准电压相关的控制电压之间的电压差对应的比较信号；第一晶体管，基于比较信号生成内部基准电压；和电压变动抑制电路，根据该稳压器的输出电压的电压变动对控制电压进行控制，以使比较信号的信号振幅变小。
dc 转换器

[发明专利]一种芯片内部基准电压标定方法及装置-CN202010119572.7有效
发明人：刘均;林琪钧 -专利权人：深圳市元征科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片内部基准电压标定方法及装置，该方法包括：通过AD参考源接口获取烧录装置提供的参考电压的模拟量；获取预烧录在芯片中的电压信息，电压信息包括参考电压的电压值；获取AD转换器的最大输出数字量，最大输出数字量由AD转换器的位数决定；基于参考电压的模拟量，对芯片内部的基准电压进行模数转换得到基准电压对应的数字量；根据参考电压的电压值、最大输出数字量和基准电压对应的数字量计算基准电压的电压值；存储基准电压的电压值实施本申请实施例能够实现芯片内部基准电压的标定，减小了因芯片工艺差异性所带来的AD转换器的测量误差，减少了实施成本。
一种芯片内部基准电压标定方法装置

[发明专利]内部电源电路-CN96103153.0无效
发明人：飞田洋一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-03-21 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一个内部电源电路，包括一个第一输出金属氧化物半导体晶体管(Q1)，用于传送第一基准电压(Vref)，一个内部基准电压发生电路(10)，用于从(Q1)的输出电压产生一个第二基准电压，以及输出金属氧化物半导体晶体管(Q2)，它根据第二内部基准电压工作在源极跟随器方式。内部基准电压发生电路(10)具有消除输出金属氧化物半导体晶体管(Q2)和第一金属氧化物半导体晶体管(Q1)的阈电压对输出结点(4)上的内部电压VINT的影响。
内部电源电路

[发明专利]一种高精度低失调的带隙基准电压电路-CN201810493129.9有效
发明人：李泽宏;罗仕麟;仪梦帅;时传飞;赵念;熊涵风;张成发 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种高精度低失调的带隙基准电压电路，属于电子电路技术领域。包括预稳压模块、精准带隙基准模块和修调码值产生模块，预稳压模块在电路刚开始工作时产生一个初始的内部电源电压为精准带隙基准模块和修调码值产生模块供电，修调码值产生模块产生修调码值供精准带隙基准模块校准产生的精准带隙基准电压，产生的精准带隙基准电压再反馈回预稳压模块校准内部电源电压产生精准的内部电源电压继续为精准带隙基准模块和修调码值产生模块供电。本发明利用修调技术校准带隙基准电压，同时利用反馈技术产生精准的内部电源电压，降低了后续模块的精度需求和设计难度；修调码值产生后关闭修调码值产生模块，降低了电路的功耗。
一种高精度失调基准电压电路

[发明专利]控制内电压电平的内部电压发生电路和基准电压发生电路-CN200310118713.X无效
发明人：崔钟贤;金载勋;金俊亨;金致旭;孙汉求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-02 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：提供一种控制内部电压电平的内部电压发生电和基准电压发生电路路，其中基准电压发生电路包括配电单元、箝位控制单元以及控制单元；配电单元响应于外部电源电压产生低于外部电源电压的电压电平，通过输出端子输出根据工作模式变化的基准电压；箝位控制单元连接在输出端子和地电压之间，响应于比基准电压电平低的控制电压电平，箝位基准电压电平在恒定电平；控制单元响应于第一和第二工作模式信号增加或减少基准电压的电压电平；控制单元包括第一控制晶体管和第二控制晶体管；基准电压发生电路根据半导体存储器件的工作模式控制基准电压电平，这样，半导体存储器件的工作特性在一些工作模式下将提高，而在另一些工作模式下它的功耗将降低。
控制电压电平内部发生电路基准

[发明专利]电源电路、控制方法以及显示系统-CN201811548896.1在审
发明人：金宁 -专利权人：北京集创北方科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源电路、显示系统以及电源电路的控制方法，电源电路包括：电压转换模块，用于在基准电压的调节下将输入电压转换为输出电压；基准模块，用于根据工作电压向电压转换模块提供基准电压；以及噪声抑制模块，用于将输入电压转换为小于输入电压的内部电压，内部电压可作为基准模块的工作电压，噪声抑制模块作为内部电源，对输入电压的抖动变化多了一个中间级的衰减过程，可以减小输入电压的扰动对电源电路的影响，增大了电源电路对输入电压的电源抑制比
电源电路输入电压电压转换模块输入电压转换噪声抑制模块工作电压基准电压基准模块内部电压显示系统电源抑制比内部电源输出电压衰减过程扰动中间级抖动减小电路

[发明专利]基准电压生成电路及基准电压源-CN201280002122.3有效
发明人：小笹正之;犬饲文人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：提供一种能够以简单的结构提高温度依存特性的基准电压生成电路。具备：基准电压生成电路单元（1），具有第1二极管特性元件（D1）和与该第1二极管特性元件（D1）相比流动的电流密度不同的第2二极管特性元件（D2），输出基于对该第1二极管特性元件和第2二极管特性元件施加的电压之差而生成的基准电压（VBG2）；第1调整电路单元（2），调整基准电压（VBG2）的1次温度系数；以及第2调整电路单元（3），调整基准电压（VBG2）的2次温度系数。
基准电压生成电路

[发明专利]用于基准电压修调的系统及相应的基准电压修调的方法-CN201811637845.6在审
发明人：谢兴华;钱文萍 -专利权人：无锡华润矽科微电子有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于基准电压修调的系统及相应的基准电压修调的方法，其中，将现有技术中由传统测试仪完成的基准电压校准工作改为由本发明的用于基准电压修调的系统中的基准电压修调电路来完成，且将基准电压修调电路集成于需要进行基准电压修调的待测电路内部，简化测试仪的工作内容，令测试仪仅需负责测试信号的输入及对比即可，整个系统中的基准电压校准工作由硬件结构即可完成，无需辅助的测试程序。采用本发明的用于基准电压修调的系统及相应的基准电压修调的方法，由于校准工作均在电路内部执行，因此校准结果受外部干扰影响小，准确度高，具备成本低、结构简单、测试速度高、精度准的优点，易于实现，适用性广泛的特点
用于基准电压系统相应方法

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