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[实用新型]磁控共溅射镀膜机-CN201220326833.3有效
发明人：梁进智;陈畑畑 -专利权人：北京奥依特科技有限责任公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了磁控共溅射镀膜机，包括机架、真空抽气装置、供气装置、电源装置、温控装置、带有安全保护措施的自动控制系统，它还包括安装、双室高真空装置和送样片装置，双室高真空装置由送样室、磁控溅射室以及真空锁组成本实用新型的有益效果是：可以实现一个电源多用，节约了制造成本；通过真空锁可以实现溅射室始终保持真空状态，从而提高了生产效率，减低了溅射镀膜的工艺时间；整个生产过程采用全自动控制方式，实现了真空系统自动化以及工艺过程自动化，提高了生产效率；由射频电源以及直流电源可以控制磁控溅射靶进行单独溅射以及共溅射。
磁控共溅射镀膜

[发明专利]一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法-CN202210563331.0有效
发明人：王茺;李陈;王荣飞;叶书鸣;段潇萧;杨杰;何薪鹏;卢纯江 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用磁控共溅射技术制备MnGe铁磁性量子点材料的方法，涉及稀磁掺杂量子点材料技术领域。本发明采用磁控共溅射技术，利用较小的溅射功率、较薄的沉积厚度和合理的退火过程为MnGe铁磁性量子点带来足够的表面迁移时间、增强原子的迁移扩散能力，从而避免团簇的产生、提高结晶度。具体的，量子点能够进行自组装生长是由于：Si、Ge界面的晶格失配会带来应变能的释放，本发明中，小的溅射功率与高的退火温度可增加Si‑Ge界面处的晶格失配度，有利于量子点的自组装生长。
一种利用磁控共溅射技术制备 mnge 铁磁性量子材料方法

[发明专利]一种磁控共溅射生长非共线反铁磁Mn₃Pt薄膜的制备方法-CN201910590656.6在审
发明人：安宁;丘学鹏 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：一种磁控共溅射生长非共线反铁磁Mn₃Pt薄膜的制备方法，该方法以(001)晶向的MgO基片为底片并且使用两靶共溅射生长，所述底片上还设置有Mn₃Pt和覆盖层，
制备薄膜生长磁控共溅射反铁磁非共线覆盖层底片自旋电子器件单晶薄膜纳米级别输运性质共溅射磁控晶向研究

[发明专利]Fe/C颗粒薄膜反常霍尔效应材料及制备方法-CN202310732617.1在审
发明人：郑灵程;程雅慧;刘晖;苏康睿 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了Fe/C颗粒薄膜反常霍尔效应材料及制备方法，该薄膜材料采用磁控共溅射技术，形成Fe纳米颗粒均匀分布在C薄膜母体中的颗粒膜结构，用于室温反常霍尔器件。本发明提供的颗粒薄膜反常霍尔器件材料原料来源广泛，成本低，薄膜厚度、结构和反常霍尔性质连续可调，在制备过程中采用共溅射的方法，可以获得成膜质量优，稳定性好，室温反常霍尔电阻率高的薄膜。
fe 颗粒薄膜反常霍尔效应材料制备方法

[发明专利]一种稀土掺杂铥铁石榴石薄膜及其制备方法-CN202310822831.6在审
发明人：周婷婷;潘丽宁;谭果果;满其奎 -专利权人：中国科学院赣江创新研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土掺杂铥铁石榴石薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)在钆镓石榴石基底上沉积稀土石榴石和铥铁石榴石，得到共溅射薄膜；(2)对所述共溅射薄膜进行慢退火处理，得到所述稀土掺杂铥铁石榴石薄膜
一种稀土掺杂铁石薄膜及其制备方法

[发明专利]一种共溅射固体润滑薄膜及其制备方法-CN94107544.3无效
发明人：于德洋;王均安;孙晓军;朱昌铭;翁立军 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 1994-07-14 - 公布日： 1999-05-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种共溅射固体润滑薄膜与其制备方法，采用如下成分的复合靶共溅射制得二硫化钼８５％～９５％，金或金－钯合金３％～１２％，氟化铈或氟化镧０．２％～５％（重量）。
一种溅射固体润滑薄膜及其制备方法

[发明专利]一种采用磁控溅射法制备金属支撑单体的方法-CN202110915770.9在审
发明人：刘亚迪;胡浩然 -专利权人：北京思伟特新能源科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用磁控溅射法制备金属支撑单体的方法，包括：制备燃料极层，将Ni金属与钇稳定氧化锆，或Ni金属与钇镐合金燃料极层靶材共溅射到金属支撑体上，其中，金属支撑体上具有多孔区域，以及沿金属支撑体外表面以及多孔区域的多孔内壁设置的保护涂层，燃料极层靶材覆盖多孔区域；制备电解质层，将钇稳定氧化锆或钪稳定氧化锆，或钇金属，或镐金属，或钇镐合金电解质层靶材单溅射或共溅射到所述燃料极层上；制备空气极层，将钇稳定氧化锆与La13，或钇镐合金与La1‑xSrxMnO3空气极层靶材共溅射到电解质层上
一种采用磁控溅射法制金属支撑单体方法

[发明专利]多元靶双靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜的方法-CN201510612081.5有效
发明人：王书荣;蒋志;李志山;杨敏;刘涛;郝瑞亭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元靶双靶共溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，包括以下步骤：1）钠钙玻璃(SLG)的清洗；2）在洗净的SLG表面上镀1μm厚的钼电极；3）用铜锡硫(CTS)靶及硫化锌(ZnS)靶溅射得到铜锌锡硫薄膜预制层；4）将上述条件下制备的预制层进行合金处理；5）将步骤4中经过合金处理的预制层硫化退火(570~590℃，25‑35min)得到CZTS薄膜；相比于传统的多靶(单质靶或二元靶)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射优点在于：本方法基于CZTS的形成机理(CTS＋ZnS=CZTS)，只需一个Cu‑Sn‑S靶及一个ZnS靶共溅射预制层并通过后续的退火就能得到CZTS薄膜，该方法工艺过程简单、成膜效率高，能有效抑制铜硫相
多元靶双靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜方法

[发明专利]ITO薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片-CN201410272974.5在审
发明人：耿波;王厚工;赵梦欣;文莉辉;夏威;陈鹏;刘建生;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜的沉积方法，采用磁控溅射工艺进行ITO薄膜的沉积，包括以下步骤：利用射频和直流共溅射在基片表面沉积ITO缓冲层；利用DC溅射在所述ITO缓冲层表面沉积ITO薄膜层。其通过射频和直流共溅射，有效降低了溅射粒子对基片表面轰击造成的损伤。此外，本发明还提供了一种GaN基LED芯片，该芯片的ITO透明电极采用本发明的ITO薄膜的沉积方法制备而成。在进行ITO透明电极的沉积时，由于采用本发明的ITO薄膜的沉积方法，有效降低了溅射粒子对GaN基片表面轰击造成的损伤，从而降低了ITO透明电极与GaN基片之间的接触电阻，进而降低了LED芯片的能耗，增加了
ito 薄膜沉积方法 gan led 芯片

[发明专利]p型硫化镉薄膜的制备方法-CN201110112975.X有效
发明人：李卫;冯良桓;武莉莉;张静全;蔡亚平;谢晗科;朱喆;高静静 -专利权人：四川大学
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：提出一种采用磁控溅射装置，通过CdS靶和铜靶共溅射，室温沉积，及后续退火处理；或原位生长共溅射，及后续保压处理，以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积，指的是基片温度为室温，将溅射完毕的样品在氮气或惰性气体保护下退火250℃~400℃，保温10~30分钟再冷却。所述原位生长指的是基片温度为150℃~400℃，将溅射完毕的样品在溅射室内保持气压10~30分钟再自然冷却到。
硫化薄膜制备方法

[发明专利]一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法-CN201610877389.7有效
发明人：金平实;黄爱彬;李荣;周奕杰;包山虎 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法，包括以金属钴作为第一靶材、以氩气和氧气作为溅射气体，采用直流磁控共溅射法在基底表面沉积钴氧化物薄膜；其中，施加于所述第一靶材上的直流电源的功率为 100～700 W 或者功率密度为1.3～8.9 W/cm2；控制溅射气体的总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为50%以下；沉积时间为1～5分钟。本发明采用直流磁控共溅射法制备钴氧化物薄膜，并通过控制第一靶材的溅射功率或/和气氛压力，提高溅射腔体中沉积粒子的能量，从而可以获得具有不同二价钴离子与三价钴离子的比例的钴氧化物薄膜。
一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜方法

[发明专利]一种高Al含量的c-TiAlSiN硬质涂层及其制备方法-CN201910584177.3有效
发明人：荣铭聪 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明高铝含量的c‑TiAlSiN硬质涂层为单相立方结构，无纤锌矿型AlN析出，能通过使用直流磁控溅射Ti靶材，使用高功率脉冲磁控溅射AlSi靶材，共溅射沉积制得，其中AlSi靶材中Si含量为0＜Si含量％，制得的涂层中(Al+Si)/(Al+Ti+Si)的原子数比值可高达0.64；或者通过使用直流磁控溅射TiSi靶材，使用高功率脉冲磁控溅射Al靶材，共溅射沉积制得，其中TiSi靶材中Si含量为0＜Si
一种 al 含量 tialsin 硬质涂层及其制备方法

[发明专利]单次溅射制备不同成分Ti-Al-N系高温耐磨薄膜的工艺-CN201510261232.7在审
发明人：张晔;刘蓉怡;张子鹏 -专利权人：常州机电职业技术学院
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种单次溅射制备不同成分Ti-Al-N系高温耐磨薄膜的工艺，采用双靶反应共溅射的方法，双靶采用纯金属Ti靶和Al靶，双靶之间相对呈90°对称放置，基体位置沿双靶中心连线位置放置，两靶材与基体之间的角度均为45°，溅射一次，试样台上的硬质合金或陶瓷基体上制备一系列不同成分的薄膜。本发明的有益效果是：采用Ti靶和Al靶双靶磁控共溅射的方法可以有效解决制靶繁杂且成本昂贵的困难；通过改变基体位置方便地控制薄膜的化学成分，使得研究过程大为简化，且有效降低成本。
溅射制备不同成分 ti al 高温耐磨薄膜工艺

[发明专利]一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法-CN201810560530.X在审
发明人：彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗衬底，去除衬底表面的油污和杂质；采用磁控溅射设备，以ZnS靶与ZnO靶为溅射靶材，ZnS靶与ZnO靶的靶座均与水平面呈45º夹角，使ZnS靶与ZnO靶的延长线相交于一点，衬底置于ZnS靶与ZnO靶的相交点上；S3、通入工作气体氩气，首先使ZnS靶溅射功率45W、ZnO靶溅射功率150W，进行共溅射25min；然后ZnS靶溅射功率增大至100W、ZnO靶溅射功率减小至80W进行共溅射3min；最后关闭ZnO靶、ZnS靶溅射功率增大至150W，溅射2min，得到ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜；ZnS禁带宽度与ZnO非常接近，两者之间不会由于晶格常数相差太多造成薄膜应力过大的问题
纳米核壳结构复合薄膜靶溅射包覆功率增大溅射功率共溅射衬底制备磁控溅射设备工作气体氩气衬底表面复合体系溅射靶材晶格常数相交点延长线油污靶座减小溅射禁带去除薄膜相交清洗

[发明专利]用共溅射法沉积赫斯勒合金薄膜的方法-CN02128681.7无效
发明人：金起园;朴玩濬;金泰完;宋利宪;朴祥珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-08-12 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用共溅射法沉积赫斯勒合金薄膜的方法。通过利用一沉积装置的共溅射,该赫斯勒合金薄膜具有通常的结构式X2YZ或XYZ,该沉积装置具有放置在反应室中一基板台上的基板、以及放置在远离该基板的靶架上的靶。
溅射沉积赫斯合金薄膜方法