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[发明专利]用于光刻法应用的近红外线吸收膜组合物-CN201280061534.4在审
发明人： D·戈德法布;M·格洛德;W·S·黄;金生刚;W·K·李;野田和美;大桥正树;橘诚一郎 -专利权人：国际商业机器公司;信越化学工业株式会社
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。
用于光刻应用红外线吸收组合

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201710344344.8在审
发明人：陈彦豪;赖韦翰;王建惟;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明一些实施例提供提供光刻图案化的方法，包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光酸产生剂包含化学键合至硫的第一苯环与第二苯环，第一苯环与第二苯环更化学键合在一起，以增加光酸产生剂的敏感度；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。本发明提供敏感度增加的光致抗蚀剂材料，可增加光致抗蚀剂材料的敏感度。
光致抗蚀剂层苯环光酸产生剂敏感度光致抗蚀剂材料光刻图案化学键合抗蚀剂层曝光工艺聚合物光敏剂图案化基板显影

[发明专利]微影方法-CN201611071435.0在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：此方法包含形成光致抗蚀剂于基板上。光致抗蚀剂包含酸活性基团(ALG)连接至极性单元。此方法亦包含以射线束曝光光致抗蚀剂、烘烤光致抗蚀剂；以及对光致抗蚀剂进行显影工艺。
方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法-CN200710141862.6有效
发明人：黄义勋 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用数量减少的掩模来制造互补金属氧化物半导体(CMOS)TFT的方法，该方法包括：在基底的整个表面上形成缓冲层；在基底的具有缓冲层的整个表面上形成多晶硅层和光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝光并显影，以形成第一光致抗蚀剂图案；利用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻多晶硅层，以将第一TFT的半导体层和第二TFT的半导体层图案化；对第一光致抗蚀剂图案执行第一灰化工艺，以形成第二光致抗蚀剂图案；利用第二光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT的源极区和漏极区中注入第一杂质；对第二光致抗蚀剂图案执行第二灰化工艺，以形成第三光致抗蚀剂图案；利用第三光致抗蚀剂图案作为掩模向第二TFT中注入第二杂质，以对第二TFT执行沟道掺杂。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110047011.5在审
发明人：翁明晖;刘朕与;刘之诚;郭怡辰;魏嘉林;陈彥儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]薄膜的光刻方法-CN200310119645.9有效
发明人：朴云用;白范基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-11-26 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜的光刻方法，包括如下步骤：在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。
薄膜光刻方法

[发明专利]光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂的制造方法、光致抗蚀剂用树脂组合物、以及图案形成方法-CN201980020276.7在审
发明人：伊藤昭德;江口明良 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供相对于溶剂的溶解性高的光致抗蚀剂用树脂及其制造方法。并提供含有上述光致抗蚀剂用树脂的光致抗蚀剂用树脂组合物、及使用了该光致抗蚀剂用树脂组合物的图案形成方法。上述光致抗蚀剂用树脂在树脂末端不包含氰基，并且分子量分布(Mw/Mn)为1.4以下。
光致抗蚀剂用树脂制造方法组合以及图案形成

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201710565649.1有效
发明人：赖韦翰;王建惟;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：光刻图案化的方法包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光敏剂包含共振环，且共振环包含氮与至少一双键。方法亦包括对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。方法亦包括显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。
光刻图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111453047.X在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]提升图案精密度的方法-CN201510143553.7有效
发明人：林品宏;林嘉祺;赖俊丞 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：分别由多个分割图案产生多个光致抗蚀剂强度分布。处理多个分割图案的多个光致抗蚀剂强度分布，得到光致抗蚀剂强度分布图像。根据光致抗蚀剂强度分布图像定义高感光区域以及强度不足区域。修正所述光致抗蚀剂强度分布图像的强度不足区域。根据修正后的光致抗蚀剂强度分布图像得到结果图案。
提升图案精密度方法

[发明专利]图形形成法-CN96108243.7无效
发明人：李相均 -专利权人：三星航空产业株式会社
申请日： 1996-07-18 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：一种图形形成法包括下列工序：在基板上形成不溶于刻蚀溶液的金属电镀薄膜；在电镀薄膜上形成光致抗蚀薄膜；用预定的光掩模图形将光致抗蚀薄膜曝光然后显影，由此制取光致抗蚀图形；用光致抗蚀图形作为掩模制取电镀薄膜图形；完全清除光致抗蚀图形；用电镀薄膜图形作为刻蚀掩模刻蚀基片，然后完全清除电镀薄膜图形。本发明由于用电镀薄膜图形代替了光致抗蚀图形作为基片刻蚀工序中的刻蚀掩模，故可准确精密加工引线框架。
图形形成

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011350050.4在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。所述用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂组合物包括金属粒子和附接到所述金属粒子的热稳定配体。所述热稳定配体包含支链或非支链、环状或非环状的C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。在一个实施方式中，所述方法包括在使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射之前加热所述光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN02105437.1有效
发明人：苏宇永 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2002-04-04 - 公布日： 2002-11-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种制造具有高电场迁移率的薄膜晶体管的方法,包括在绝缘衬底上形成非晶硅层和阻挡层;在阻挡层上形成具有第一、二构图的光致抗蚀剂层;以第一光致抗蚀剂构图为掩膜蚀刻阻挡层,形成第一、二阻挡层构图;回流光致抗蚀剂层,使第一、二光致抗蚀剂构图互相邻接,完全覆盖阻挡层构图;在衬底整个表面上形成金属层;除去光致抗蚀剂层,露出阻挡层和阻挡层与金属层间的偏置区;非晶硅层结晶成多晶硅层,其中接触第一金属层的部分用金属诱导结晶法,其余部分用金属诱导横向结晶法,使两个阻挡层构图间的多晶硅层的部分上存在金属诱导横向结晶前缘;以阻挡层构图为掩膜蚀刻多晶硅层,形成两个半导体层,除去结晶前缘;以及除去阻挡层构图。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]用于制造抗蚀图案和导体图案的方法-CN200580040726.7有效
发明人：三隅浩一;斋藤宏二;石川薰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明用于制造抗蚀图案的方法包括：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层，获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
用于制造图案导体方法

[发明专利]图案修整方法-CN201710106431.X有效
发明人： K·罗威尔;刘骢;徐成柏;I·考尔;朴钟根 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。
图案修整方法