“光掩膜基板”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2136476个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法-CN201410388945.5在审
发明人：徐根;周志刚;陈社城 -专利权人：湖南普照信息材料有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩膜基板胶膜层及铬膜层的返工方法。所述光掩膜基板胶膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；用异丙醇胺溶液漂洗经纯水漂洗后的光掩膜基板所述光掩膜基板铬膜层的返工方法包括：将待返工的光掩膜基板置于质量百分比为4％～10％的氢氧化钠溶液中浸泡多次，去除所述光掩膜基板的胶膜层；用纯水漂洗已去除胶膜层的光掩膜基板；将所述光掩膜基板放入设定配比的硝酸铈铵和纯水的混合溶液中浸泡，去除所述光掩膜基板的铬膜层。
光掩膜基板胶膜铬膜层返工方法

[发明专利]一种测试光掩膜基板耐辐照性能的系统及方法-CN202210693019.3在审
发明人：欧阳琛;朱继红;顾立新;张欣;刘经纬;黄群亮;李金祥 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试光掩膜基板耐辐照性能的系统及方法，属于半导体光掩膜基板生产制造技术领域，激光辐照单元，用于对通过样品运送单元运送的待测试光掩膜基板样品进行预设次数的激光辐照；透过率测试单元，用于在激光辐照单元对待测试光掩膜基板样品进行辐照前，对通过样品运送单元运送的待测试光掩膜基板样品进行辐照前透过率测试，并在激光辐照单元对待测试光掩膜基板样品进行预设次数的辐照后，进行辐照后透过率测试，根据辐照前后待测试光掩模基板样品的透过率变化情况衡量待测试光掩膜基板的耐辐照性能通过本发明可以解决光掩膜基板的耐辐照性能测试问题。
一种测试光掩膜基板耐辐照性能系统方法

[发明专利]光掩膜容器-CN202180050837.5在审
发明人：中岛淳一;北条智也;福井孝志;田所淳人;堀内智孝;前田健人;福井干夫 -专利权人：积水成型工业株式会社;株式会社网塑
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩膜容器，其能够牢固地保持光掩膜基板，抑制光掩膜基板收纳部的结露，清洁度优异，光掩膜基板表面不易附着污物(微粒)，且重量较轻，机械强度优异。该光掩膜容器的光掩膜基板收纳部由容器主体与盖体形成，该光掩膜容器用于将光掩膜基板在收纳于光掩膜基板收纳部中的状态下进行保存、运输，该光掩膜容器的特征在于，容器主体为由熔体流动速率(MFR)为0.6(g/
光掩膜容器

[发明专利]光掩膜坯料关联基板的评价方法-CN201910531526.5在审
发明人：木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：技术问题：提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，在光掩膜坯料关联基板中，能够简便地评价其表面状态(例如，形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。解决方案：在光掩膜坯料关联基板的评价方法中，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，并利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。
光掩膜基板坯料表面图像关联表面状态光学常数透明基板光学膜透射率膜质拍摄

[发明专利]一种曝光装置及曝光方法-CN201510617551.7有效
发明人：肖宇;汪栋;李晓光 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光装置及曝光方法，涉及基板制造技术领域，为解决基板曝光用时长、曝光效率低的问题。所述曝光装置包括具有掩膜图案的掩膜板，曝光时掩膜板设置在待曝光的基板的用于形成图案的表面的一侧；位于基板与掩膜板之间的平行光调节组件，该平行光调节组件用于增大透过掩膜板覆盖到基板上的曝光光线的面积。所述曝光方法包括将待曝光的基板放置在掩膜板及平行光调节组件的透过曝光光线的一侧；调节掩膜板、平行光调节组件或基板的位置，使透过掩膜板和平行光调节组件而面积增大的曝光光线覆盖到待曝光的基板上。本发明提供的曝光装置应用于对基板的曝光。
一种曝光装置方法

[发明专利]光掩膜的制作方法-CN200910055943.3有效
发明人：杨志刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩膜的制作方法，所述光掩膜包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法还包括：对铬金属膜进行不同层铬金属光掩膜图形的图案化后，分别独立地将不同层的相位偏移光掩膜图形图案化到同一片石英基板的相位偏移膜上；去除铬金属膜。该方法在同一片石英基板上制作晶圆衬底上不同层曝光所需的光掩膜图形。
光掩膜制作方法

[发明专利]一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法及转移装置-CN202010302173.4在审
发明人：陈新;陈云;丁树权;汤晖;崔成强;侯茂祥;高健;陈新度;刘强;贺云波;郝明明;杨志军 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法，包括下述步骤：转移准备：液晶光闸掩膜基板设置在透光基板的上方；选择对齐：移动液晶光闸掩膜基板和透光基板，对齐透光基板的待转移的晶片的位置与接受基板的待接收的晶片的位置；导通释放：开启激光，导通液晶光闸掩膜基板的至少一对电极，与导通的电极相对的液晶光闸掩膜基板允许透过激光，激光作用在黏合层使黏合层的粘附作用降低，待转移的晶片脱落至接受基板的待接收的晶片的位置；持续释放；本申请旨在提供一种基于液晶光闸掩膜的巨量转移方法及转移装置，可用于巨量转移Micro‑LED晶片或其他精细元件，成本低，易操作，优良率高，效率高。
一种基于液晶光闸掩膜巨量转移方法装置

[发明专利]曝光装置-CN200680032376.4有效
发明人：梶山康一;渡边由雄 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光装置，利用拍摄装置3在同一视场内分别捕捉并拍摄形成在滤色基板6上的基板侧对准标记和形成在光掩膜7上的掩膜侧对准标记，基于该拍摄到的基板侧和掩膜侧对准标记的各图像，相对移动载物台1和掩膜载物台2，对滤色基板6与光掩膜7进行对位后进行曝光，并且具有光学距离修正装置4，该光学距离修正装置4使拍摄装置3的线阵CCD22与滤色基板6之间的光学距离和拍摄装置3的线阵CCD22与光掩膜7之间的光学距离大致一致由此，缩短基板和光掩膜的对位的处理时间。
曝光装置

[发明专利]一种掩膜版、掩膜系统及蒸镀掩膜方法-CN201910493702.0有效
发明人：杨盛际 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种掩膜版、掩膜系统及蒸镀掩膜方法，涉及掩膜版领域，能够减少蒸镀材料的浪费；该掩膜版包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区，掩膜版包括依次设置的第一基板、导光图案层、垂直导热层；导光图案层至少部分位于掩膜图案区，垂直导热层至少覆盖掩膜图案区；垂直导热层背离第一基板一侧的表面作为掩膜版的出光面；导光图案层包括：多种不同朝向的调光面；掩膜版接收的不同方向的入射光线，经导光图案层的不同的调光面进行调光后，在出光面具有不同的出光区域。
一种掩膜版系统蒸镀掩膜方法

[实用新型]掩膜版-CN201220171987.X有效
发明人：于航;张锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩膜版，包括：掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有透光区域和不透光区域，所述透光区域上设置有汇聚光线的光汇聚结构。本实用新型通过设置使照射到掩膜版的透光区域的光汇聚的光汇聚结构，使得使用掩膜版曝光后形成的光刻胶图案的狭缝的宽度小于掩膜版的透光区域的宽度。
掩膜版

[发明专利]光学成像写入系统-CN201080012879.1有效
发明人：陈正方;T·莱迪格 -专利权人：派因布鲁克成像系统公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G03C5/00 文献下载
摘要：公开了一种在光刻制程中将光掩膜数据图案施用于基板的方法。在一种实施例中，该方法包括提供一平行成像写入系统，其中该平行成像写入系统包含复数个空间光调制器(SLM)成像单元，且该SLM成像单元排列成一或多个平行阵列；接收一待写入该基板的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于该基板不同区域的分区光掩膜数据图案；指派一或多个所述SLM成像单元负责处理各该分区光掩膜数据图案；控制该复数个SLM成像单元，以将该复数个分区光掩膜数据图案平行写入该基板；控制该复数个SLM成像单元的移动，使其涵盖该基板的不同区域；及控制该SLM成像单元的移动，使其与该复数个分区光掩膜数据图案的连续写入作业同步。
光学成像写入系统

[发明专利]转印方法、用于转印的光掩膜及其制造方法-CN200910137622.8无效
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光掩膜的方法，预先准备多种类型的备选边框图形数据，边框图形数据对应于光掩膜的边框区域，每个类型的边框图形数据具有预设的图形负荷，并包括如下步骤：获取对应于光掩膜主图形区域的图形数据的图形负荷；选择图形负荷与所获取的主图形负荷最接近的备选边框图形数据；将边框图形数据与主图形数据组合，生成曝光文件；将所述曝光文件曝光于光掩膜空白基板上，对基板的光刻胶显影，并对基板遮光层蚀刻以及去除光刻胶，得到光掩膜本发明还公开了一种光掩膜以及一种转印方法。本发明可以改善光掩膜的边框区域与主图形区域的图形负荷差异对光掩膜的关键尺度造成的影响。
方法用于光掩膜及其制造

[发明专利]曝光方法、彩色滤光片的制造方法及曝光装置-CN201080006850.2有效
发明人：松井浩平;柴田靖裕;安井亮辅 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光方法、彩色滤光片的制造方法及曝光装置，该曝光方法中，当使用设有多个掩膜图案的光掩膜进行曝光时，不需要将光掩膜移动到曝光装置的照射区域，便能在基板上的不同区域将与形成各个不同的彩色滤光片相对应的各掩膜图案曝光将具有用于将构成第1彩色滤光片的着色像素的一部分曝光的第1掩膜图案、及用于将构成第2彩色滤光片的着色像素的一部分曝光的第2掩膜图案的光掩膜相对于光源固定，一边搬运基板，一边将来自光源的光选择性地照射第1掩膜图案，将第1区域上的光阻剂连续地曝光，并且，一边搬运基板，一边将来自光源的光选择性地照射第2掩膜图案，将第2区域上的光阻剂连续地曝光。
曝光方法彩色滤光制造装置

[发明专利]间隙计量方法-CN201711430447.2有效
发明人：朝比奈伸一;中尾裕利;吉田雄一;坂内雄也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种间隙计量方法，包含：以从掩膜板向基板的方向为上，使基板和掩膜板上下对齐并重叠，并借助接触板将保持装置配置在基板上，从而以夹持该基板的方式将掩膜板保持在接触板上；以在基板的一面内彼此正交的两个方向为X轴方向和Y轴方向，将具有发光元件和受光元件的计量部隔开配置在计量对象物下方；以发光元件发出的光在基板下表面反射的位置为起点，从该起点开始使计量部对计量对象物在X向和Y向中的至少一个方向上相对进行扫描，在发光元件发出的光在掩膜板发生反射的计量位置从发光元件照射光并由受光元件接收该反射的光，从而取得掩膜板相对于计量部的位移量所对应的扫描数据；以及根据扫描数据和掩膜板的厚度计量基板和掩膜板间的间隙。
掩膜板基板发光元件计量部反射计量计量对象扫描数据受光元件接触板基板下表面保持装置计量位置上下对齐位移量照射光正交的隔开夹持配置扫描

[发明专利]一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法-CN201310747958.2有效
发明人：付延峰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种液晶显示器玻璃基板的曝光方法，包括：提供至少两个光掩膜板，每一光掩膜板包括有效区域及非有效区域，在所述有效区域的周围设置有多个对位精度测量检查标记；将每一光掩膜板分别在单独的基准基板的相应位置上进行曝光，并对多个对位精度测量检查标记进行测量，根据测量结果确定是否需要对所述曝光参数进行补正，获得每一光掩膜板准确的曝光参数；将每一光掩膜板的准确的曝光参数进行合并，并将所述至少两个光掩膜板利用后并后的曝光参数依次在同一基板的对应位置上进行曝光根据本发明的实施例，可以提高TFT阵列基板与彩色滤光片基板的对准的精度，从而提高液晶显示器面板的产品良率。
一种液晶显示器玻璃曝光方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条