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[发明专利]一种基于波导阵列的孤子全光二极管及其实现方法-CN201711068062.6在审
发明人：苏诗杰;黄鸿鑫;廖秉进;黄纯青;黎永耀 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导阵列的孤子全光二极管及其实现方法，包括封装外壳和设置在封装外壳内的用于调控光路的人工规范场和嵌入在人工规范场中用于诱发孤子的非线性波导阵列，人工规范场包括磁场和具有磁场效应的其他效应场；其实现方法为将波导阵列嵌入在人工规范场中，采用人工规范场对进入波导阵列的信号光附加一个与光路方向相关的相位，实现光路的单向传输；再利用波导阵列的非线性和周期性诱发进入波导阵列中的单向传输的信号光成为离散孤子，保持其在波导阵列中单向传播时的光场形状保持不变。提供了高保真度、高自由度和高可调特性的全光二极管，实现了高质量光信息处理和光通信，适用于对光信号质量要求高的光通信产品和光信息处理器。
一种基于波导阵列孤子二极管及其实现方法

[发明专利]一种柔性直流输电系统中直流开关场的配置系统和方法-CN201510537002.9有效
发明人：孙栩;雷霄;班连庚;王华伟;胡涛;董鹏;林少伯;王亮;林毅;林章岁;杨晓东;蒋朋博 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司;国网福建省电力有限公司经济技术研究院
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性直流输电系统中直流开关场的配置系统和方法，配置系统包括第一换流站、第二换流站、极I直流极线、附加金属回线和极II直流极线；第一换流站通过极I直流极线、附加金属回线、极II直流极线与第二换流站连接配置方法针对不同运行工况完成直流开关场的配置。本发明避免了专用接地极装置的使用，也减少了直流断路器的使用；提高了对称双极柔性直流输电系统运行的灵活性，减少了直流系统被迫降低功率的可能性；提高了对称双极柔性直流输电系统运行的灵活性以及可利用率；本发明提供的柔性直流输电系统中直流开关场的配置系统和方法基本杜绝了直流偏磁问题
一种柔性直流输电系统开关配置方法

[发明专利]基于广义对极平面图的光场深度估计方法-CN201711263832.2在审
发明人：朱昊;王庆;周果清 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G06T7/593 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于广义对极平面图的光场深度估计方法，首先求取光场数据对应的广义对极平面图，然后计算光场数据中遮挡点和非遮挡点的深度，最终输出输出深度图。本发明在不构建视差空间图的情况下，运用遮挡边缘方向在光场角度域和空间域的一致性，从可能遮挡点的多张广义EPI图中筛选出对该点无遮挡的EPI图，运用结构张量的方法进行深度估计，能够快速产生对遮挡鲁棒的深度图
遮挡深度估计对极光场光场数据深度图边缘方向视差空间输出角度域空间域无遮挡构建鲁棒筛选

[发明专利]一种激光二极管及其制造方法-CN202210572551.X在审
发明人：钟志白;叶涛;张敏;黄少华;李水清 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3~1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20%本发明的激光二极管的光场包覆层进一步形成了光场限制，同时可以保护脊的侧壁，防止漏电；增大了出光面的绝缘层的面积，降低出光腔面端的增益，平衡了腔体的电流注入和光场的分布。
一种激光二极管及其制造方法

[发明专利]一种激光二极管及其制造方法-CN202010518817.3有效
发明人：钟志白;叶涛;张敏;黄少华;李水清 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3～1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20本发明的激光二极管的光场包覆层进一步形成了光场限制，同时可以保护脊的侧壁，防止漏电；增大了出光面的绝缘层的面积，降低出光腔面端的增益，平衡了腔体的电流注入和光场的分布。
一种激光二极管及其制造方法

[发明专利]一种用于光场扩展的投影机阵列定位装置-CN202210257235.3有效
发明人：赵百川;赖莉萍;吕国皎 -专利权人：成都工业学院
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：为以信息密度最优方式进行光场信息密度提升，光场投影机的位置应进行精确设计。而光场投影系统用户通常不具备专门知识，难以自行进行光场扩展。为解决这一问题，本发明提出了一种用于光场扩展的投影机阵列定位装置。该用于光场扩展的投影机阵列定位装置包含定位板及标尺。定位板为不同投影光场显示系统预设了若干刻度线，用户只需根据现有投影光场显示系统的结构参数将标尺放置于对应刻度线位置，则可方便地以信息密度最优方式进行光场扩展。
一种用于扩展投影机阵列定位装置

[发明专利]射频四极场单翼极头调制线的加工方法-CN201410346351.8有效
发明人：孙国平;牛小强;李学敏;谢春安;张小奇;李寿陆;王文进;王丰;徐大宇;雷海亮 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本发明涉及直线加速器的核心部件射频四极场单翼极头的制造工艺技术领域，尤其是涉及一种射频四极场单翼极头调制线的加工方法。其利用盘式成型刀精加工之前要做刀具的试切削实验，保证选用合适的加工参数；在加工过程中分多次切削最终到达加工要求，经过三坐标测量仪检测单翼极头调制线的加工精度，均好于验收指标，且一致性好；整个单翼极头调制线的加工和测量过程，需要在恒温环境中进行，尺寸误差控制在±20μm以内，极头轮廓度好于±20μm，极头对称度好于±20μm，极头调制线表面粗糙度达到0.8μm，有效的保证了射频四极场直线加速器性能的稳定性和可靠性。
射频四极场单翼调制加工方法

[发明专利]一种基于光流场聚类的运动目标分割方法-CN201310174529.0在审
发明人：张泽旭;王纲 -专利权人：哈尔滨点石仿真科技有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光流场聚类的运动目标分割方法。本发明的新颖之处在于通过对图像序列光流场的聚类，有效地实现了复杂图像背景情况下的单运动和多运动目标的检测与分割。这种方法利用运动的内极线约束和C-均值聚类算法完成目标区域的分割，获得分割图；在分割图中利用Canny边缘算子获得细化的目标区域，获得边缘图；最后根据光流场中的流速值完成分割图和边缘图的融合，并检测出完整的单运动与多运动目标
一种基于光流场聚类运动目标分割方法

[发明专利]一种基于普朗克参数化的光场相机标定方法-CN201910547293.8有效
发明人：张琦;王庆;李亚宁;周果清;王雪 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06T7/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于普朗克参数化的光场相机标定方法，通过移动标定板或光场相机拍摄不同姿态下的标定板，获取光场数据，并确定多组标定板上角点与对应的光线集，确定光场相机记录的光线集与三维场景点的线性关系，通过线性初始化计算光场相机内参数与相应姿态下的外参数，构建视点相关的光场相机径向畸变模型，最后建立线线几何距离的代价函数，迭代求得待标定光场相机内参数、外参数及径向畸变参数的最优解。本发明解决了光场相机内参数冗余的问题，更加符合光场相机主透镜的成像原理，能够精确且鲁棒的标定光场相机内参数及外参数。
一种基于普朗克参数相机标定方法

[发明专利]一种光场图像的深度提取方法-CN201710392000.4在审
发明人：姚莉;刘云建 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光场图像的深度提取方法。本发明的方法包括两个阶段光场重构和深度提取，所述光场重构阶段包括S1将输入的光场数据进行预处理后根据该图像的图像中心位置重构出光场，生成多视点图像；所述深度提取阶段包括S2对视点图像提取极平面图，计算视差图本发明能够对光场数据处理后获得清晰多视点图像并进行精确深度提取。
一种图像深度提取方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201410804457.8有效
发明人：赛特拉曼·西达尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请案涉及用以将LDMOS漏极延伸部与槽沟对准的方案。一种集成电路(200)含有延伸漏极MOS晶体管，其中扩散漏极(236)在所述漏极中的场氧化物元件(254)下方的深度比在栅极(260)下方的漂移区(248)中深。一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路(200)的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，在使用场氧化物光致抗蚀剂图案掩蔽漏极植入物的同时穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件
用以 ldmos 延伸对准方案

[实用新型]一种用于光伏组件关断器的超温保护电路-CN202221268110.2有效
发明人：曹建华;冯成;邓晓帆;李宁达 -专利权人：上海劭能新能源科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于光伏组件关断器的超温保护电路，包括热敏电阻、第一电阻、第一电容、第一场效应晶体管、二极管以及第二电容，其中：热敏电阻与电源的正极输入端连接，与第一场效应晶体管的源极连接，与第一电阻连接，并与第一场效应晶体管的栅极连接；第一电容与热敏电阻连接，与第一场效应晶体管的源极连接，并与第一场效应晶体管连接。通过热敏电阻以及第一电阻可在光伏组件的内部电子器件升温时控制第一场效应晶体管断开，进而有效避免内部电子器件发热损坏；以及还可在接收到心跳包信号时控制第一场效应晶体管断开，并由二极管以及第二电容进行供电，以维持光伏系统可在短时间内正常工作，进而还可保障该光伏系统的工作稳定性。
一种用于组件关断器保护电路

[发明专利]一种具有跨线场板的半导体器件的制造方法-CN201510446794.9有效
发明人：李春江 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有跨线场板的半导体器件的制造方法，提供衬底，在衬底上依次形成成核层、缓冲层、势垒层，在势垒层上形成栅极、源极及漏极，还包括以下步骤S1、在势垒层上沉积第一层介质层；S2、在栅极和漏极之间的第一层介质层上沉积跨线场板的第一竖直场板，在漏极远离栅极的一侧或源极远离栅极的一侧沉积跨线场板的第二竖直场板；S3、在第一层介质层上沉积第二层介质层，沉积厚度与第一竖直场板和第二竖直场板的高度相同；S4、在第二层介质层上沉积跨线场板的水平场板，水平场板与第一竖直场板和第二竖直场板连接。本发明制造方法简单，加工效率高，加工出来的跨线场板可以有效的平衡栅极根部电场分布，提高半导体器件的耐压值。
一种具有跨线场板半导体器件制造方法

[发明专利]一种光伏SE电池及其制备方法-CN201911397716.9有效
发明人：王成;王苗;秦积海;贺稷泽;武建园;秦大威;薛少强;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏SE电池，包括背场极、背电极、保护膜、钝化层、P型硅基底、PN结层、SE激光推进层、氧化修复层、减反射膜层、副栅线电极和主栅线电极，通过各层结构之间相互配合，可以获得较高的太阳能电池转化率；而且本发明公开了一种光伏SE电池的制备方法，整体制备工艺流程简单，原料简单易得，能够明显降低生产成本。
一种 se 电池及其制备方法

[发明专利]一种基于条纹等值线方向的干涉条纹图像相位展开方法-CN202110946601.1在审
发明人：段晓杰;汪剑鸣;王琦 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于条纹等值线方向的干涉条纹图像相位展开方法，结合光线干涉投射条纹切向方向上像素值相等的特点，将其作为光场剪切方向，利用最小二乘算法实现对干涉条纹包裹相位图进行展开处理，提高了全场相位的精度；其实现过程是：(1)从获得的干涉条纹二维包裹相位图像中设置一个9×9像素大小正方形窗口；(2)平移9×9窗口，并搜索干涉条纹等值线方向；(3)将获得二维复光场沿光纤干涉条纹等值线方向作1个像素的平移剪切，从而创建一个新的剪切光场；(4)将二维复光场与步骤3中构建的新的剪切光场进行相除运算获得一个新光场，并计算该光场的相位，得到二维复光场相位沿光纤干涉条纹等值线方向的梯度。
一种基于条纹等值线方向干涉图像相位展开方法