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- [实用新型]一种单深结密栅线结构太阳电池-CN201020512914.3无效
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闻震利;窦永铭;张辉
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厦门索纳新能源有限公司
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2010-08-31
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2011-04-13
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H01L31/0352
- 本实用新型公开了一种单深结密栅线结构太阳电池,该太阳电池由银栅线电极、减反射膜、N型重掺杂深发射极N++、P型晶体硅和铝背场构成;铝背场设在P型晶体硅的背面;多个银栅线电极均匀分布在P型晶体硅的正面,且相邻的银栅线电极之间的间距为0.1~1mm;在对应于银栅线电极下方的P型晶体硅中设有以液态源磷扩散方式制成的N型重掺杂深发射极N++,该N型重掺杂深发射极N++的结深为0.5~2μm;减反射膜覆盖在除银栅线电极之外的P型晶体硅的正面中本实用新型是将N型低掺杂浅发射极N+去除,并通过调整N型重掺杂深发射极N++的结深尺寸和银电极栅线间的距离尺寸,形成了单深结密栅线结构,不但减少了工艺、制造流程,降低了生产成本,而且还提高了太阳电池的效率
- 一种单深结密栅线结构太阳电池
- [发明专利]液晶显示器-CN200710152517.2无效
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国森隆志;佐野宽;安森正宪
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爱普生映像元器件有限公司
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2007-09-27
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2008-04-02
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G02F1/1362
- 本发明的课题在于提供一种液晶显示器,在该液晶显示器中,光传感器采用薄膜晶体管,防止在栅极上外加偏向的极性的电压造成的光传感元件的性能退化。一种液晶显示器(1),该液晶显示器包括液晶显示板;光检测部(LS1),该光检测部具有组装于液晶显示板中的TFT光传感器;光传感器读取部(Re1),该光传感器读取部对TFT光传感器的漏光造成的电压进行读取;控制机构(20),该控制机构对光检测部和光传感器读取部进行控制,并且通过光传感器读取部的输出,控制背照灯等(24),光检测部在与TFT光传感器的源极(SL)连接的源极线与和漏极(DL)连接的漏极线之间,连接有开关元件(SW2),控制机构(20)在改变供给与TFT光传感器的栅极电压时,通过使上述开关元件(SW2)处于导通状态,使上述TFT光传感器的源极线和漏极线处于共同电位
- 液晶显示器
- [实用新型]车灯组件及车辆-CN201721540644.5有效
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孙渤林;周鸿明;张金叶;李国庆
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北京汽车股份有限公司
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2017-11-16
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2018-05-18
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F21S41/36
- 车灯组件包括:第一发光二极管、第二发光二极管、安装在抛物形基面内的反射镜、以及用于安装第一发光二极管和第二发光二极管的底座;第一发光二极管与第二发光二极管邻近抛物形基面的第一焦点设置,且第一发光二极管的第一光源点与第一焦点之间的第一连线在底座上的投影长度小于第一预设距离阈值,第一连线的长度小于第二预设距离阈值,第二发光二极管的第二光源点与第一焦点之间的第二连线在底座上的投影长度小于第三预设距离阈值,第二连线的长度小于第四预设距离阈值。由此,可将发光颜色不同的两个发光二极管集成在一个反射区域内,通过调整发光二极管的发光亮度,可实现在一个反射区域内集成至少三种信号灯。
- 车灯组件车辆
- [发明专利]带有磁体组件的定位系统-CN201580082374.5在审
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T.费雷尔
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费斯托股份有限两合公司
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2015-08-11
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2018-03-27
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H02K41/02
- 坐标系定义的定位平面(5)中的定位运动(4)的情况下相对于定位系统(1)的滑块载体(3)可变化地移位且定位的定位滑块(2),其中,滑块载体(3)具有至少一个带有用于提供可在x‑y坐标系的x轴线方向上运动的磁性x‑移动场的x‑定子区段(13a)和用于提供可在x‑y坐标系的y轴线方向上运动的磁性y‑移动场的y定子区段(13b)的定子组件(13),其中,定位滑块(2)具有磁体组件(23),其在定位运动(4)期间同时与x‑移动场和y‑移动场处于磁性相互作用中,并且定位滑块(2)可通过x‑移动场的运动被驱动至在x‑y坐标系的x轴线方向上的定位运动(4)并且通过y移动场的运动被驱动至在x‑y坐标系的y轴线方向的定位运动(4),其中,定位滑块(2)的磁体组件具有多个分布在相对于定位平面(5)平行的平面中的磁极(24),其如此放置在设想的交叉栅格的彼此成直角的x栅格线(30a)和y栅格线(30b)的交叉点上,使得放置在相同的x栅格线(30a)上的磁极(24)具有彼此相同的极取向(N,S)并且放置在相同的y栅格线(30b)上的磁极(24)具有彼此相同的极取向(N,S),其中,磁极(24)的极取向(N,S)在x‑y坐标系的对角线方向上交替
- 带有磁体组件定位系统
- [发明专利]显示设备-CN202110190050.0在审
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金善光;罗釉美;赵康文
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三星显示有限公司
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2021-02-18
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2021-11-16
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H01L27/32
- 公开了一种显示设备,该显示设备包括:发射面板,包括第一发光二极管、第二发光二极管、第三发光二极管和第一电力线,其中,第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管具有堆叠的结构,并且第一电力线位于像素区域周围的激光钻孔区域中,并且电连接到第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管;以及颜色面板,位于发射面板上,并且包括阻光区域和各自能够透射不同颜色的光的第一颜色区域、第二颜色区域和第三颜色区域,其中,列间隔件位于发射面板与颜色面板之间
- 显示设备
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910752029.8有效
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黄尧峰;温文莹
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新唐科技股份有限公司
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2019-08-15
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2023-08-08
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H01L29/40
- 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法,该方法包含在衬底上方形成迭层,其中迭层包含通道层和阻障层,且阻障层位于通道层上方;在迭层上方形成源极电极和漏极电极;在迭层上方形成介电层,且介电层覆盖源极电极和漏极电极;在介电层上形成光阻图案,其中光阻图案具有开口;经由光阻图案的开口刻蚀介电层,以形成通孔穿过介电层;在光阻图案上形成栅极电极材料,其中栅极材料的一部分经由光阻图案的开口和通孔形成栅极电极于迭层上,且栅极电极位于源极电极和漏极电极之间;移除光阻图案;以及在介电层上形成场板,其中场板的一部分位于通孔内且覆盖栅极电极。
- 半导体装置及其制造方法
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