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[发明专利]对电源-接地胞元群组进行分割的方法及系统-CN201711242514.8有效
发明人：林彦宏;王中兴;侯元德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：公开一种对电源‑接地(PG)胞元群组进行分割的分割方法。所述方法包括：通过从电源‑接地胞元群组中选择至少一个边界内电源‑接地胞元来形成第一分割组；将电源‑接地胞元群组中的至少一个边界外电源‑接地胞元添加到第一分割组中；通过选择电源‑接地胞元群组中的剩余的边界内电源‑接地胞元及剩余的边界外电源‑接地胞元来形成第二分割组；计算第一分割组中边界内电源‑接地胞元的总面积；计算第一分割组中边界外电源‑接地胞元的总面积；计算第二分割组中边界内电源‑接地胞元的总面积；计算第二分割组中边界外电源‑接地胞元的总面积；及计算第一分割组中边界内电源‑接地胞元的总面积与所述第一分割组中边界外电源‑接地胞元的总面积之间的差。
电源接地胞元群组进行分割方法系统

[发明专利]基于差分元胞遗传算法的DWF并网多目标优化方法-CN201910698116.X有效
发明人：李美玉;余光正;刘建锋;张科曌 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于差分元胞遗传算法的DWF并网多目标优化方法，包括：1、在DWF并网规划过程中将DWF接入后的配电网总网损最小、节点电压静态稳定裕度最大、DWF渗透率最大作为目标函数，将电网中的潮流平衡、节点电压限制、支路传输功率限制、DWF的穿透功率极限和装机容量限制作为约束条件，建立含DWF的配电网多目标优化模型；2、采用差分元胞遗传算法求解多目标优化模型，得到优化的并网参数；3、利用优化的并网参数实现与现有技术相比，本发明提高了DWF并网电压稳定性；采用差分元胞遗传算法求解多目标优化模型，在保证种群多样性的同时，也提高了对pareto解集的寻优能力，易于实施。
基于差分元胞遗传算法 dwf 并网多目标优化方法

[发明专利]一种基于元胞自动机的无线室内定位方法-CN201810842883.9有效
发明人：孙健;许文鹏;李胜广;谭林;周千里;徐雪婧 -专利权人：公安部第一研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于元胞自动机的无线室内定位方法，具体包括以下步骤：步骤1为对室内定位空间进行网格划分，将室内定位空间映射到元胞空间；步骤2为设置元胞邻居类型、元胞状态集和状态值等相关参数；步骤3为设置元胞自动机演化的起始位置等初始条件；步骤4为将测量值以队列的方式存储于定位终端的内存中；步骤5为对元胞邻域内所有元胞处的定位测量值进行加权求和；步骤6位对步骤5所得结果在时间维度上进行差分计算，得到元胞邻域内定位测量值加权和的变化量；步骤
一种基于自动机无线室内定位方法

[发明专利]一种基于元胞自动机的城市地表径流流向计算方法及装置-CN201910737873.3有效
发明人：陈求稳;陈诚;何湖滨;董建玮;何梦男;严晗璐;王智源 -专利权人：水利部交通运输部国家能源局南京水利科学研究院
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于元胞自动机的城市地表径流流向计算方法及装置，该方法包括：建立研究区的元胞基础地理场景；根据水位值大小确定中间元胞的下游元胞，计算中间元胞水量转移到各个下游元胞所需时间；比较中间元胞与其邻域元胞之间水位值标准差和标准差阈值相对大小，选择水量分配权重值，确定各个下游元胞中的水量分配比例；比较模型时间步长与水量实际转移时间的大小，确定一个时间步长内的水量分配比例；根据中间元胞水量与水量分配比例计算中间元胞向各个下游元胞转移的水量，并设置各个下游方向转移上限，修正转移至各个下游元胞的水量。
一种基于自动机城市地表径流流向计算方法装置

[发明专利]基于元胞自动机的碎屑流模拟方法、系统、设备及介质-CN202311054462.7在审
发明人：毛曦;路文娟;程瑶;王继周;杜川 -专利权人：中国测绘科学研究院
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于元胞自动机的碎屑流模拟方法、系统、设备及介质，涉及泥石流模拟技术领域，该方法包括：对待模拟地区两个时期的数字高程模型做差分处理，根据差分处理结果确定初始滑坡范围；将所述初始滑坡范围输入元胞自动机模型，得到每次迭代后输出的碎屑流出量和碎屑流高度；所述元胞自动机模型中，采用差值最小化算法反应碎屑的流动方向和堆积高度，采用爬升效应算法反应碎屑的爬升过程；根据每次迭代后输出的碎屑流出量和碎屑流高度，模拟所述待模拟地区的碎屑流运动全过程
基于自动机碎屑模拟方法系统设备介质

[发明专利]一种沟槽型大功率MOS器件及其制造方法-CN201010005206.5有效
发明人：朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述沟槽型大功率MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护结构位于元胞区的外围；所述元胞区采用沟槽结构，元胞区内元胞通过元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；通过在分压保护区内设置主结和至少一个分压环，提高分压保护区的耐压能力；根据器件的耐压要求，可以调整分压环上方的场氧化层的宽度，从而方便调整分压环间的距离
一种沟槽大功率 mos 器件及其制造方法

[实用新型]一种沟槽型大功率MOS器件-CN201020003237.2无效
发明人：朱袁正;叶鹏;丁磊;冷德武 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述沟槽型大功率MOS器件，在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区位于半导体基板的中心区，终端保护结构位于元胞区的外围；所述元胞区采用沟槽结构，元胞区内元胞通过元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；通过在分压保护区内设置主结和至少一个分压环，提高分压保护区的耐压能力；根据器件的耐压要求，可以调整分压环上方的场氧化层的宽度，从而方便调整分压环间的距离
一种沟槽大功率 mos 器件

[发明专利]VDMOS器件及其制造方法-CN202111224609.3有效
发明人：孙鹤;王加坤 -专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种VDMOS器件及其制造方法，所述器件包括结构相同的元胞单元；各元胞单元构成元胞水平结构；所述元胞水平结构，包括：若干个并列的源区，和围绕各所述源区的栅极区；各所述栅极区于延伸方向上交汇重叠形成栅极交汇区，其余的形成栅极非交汇区；于所述栅极交汇区设有分隔区；于所述元胞单元对应所述栅极非交汇区设有JFET区；于所述元胞单元对应所述分隔区设有JFET隔断区；所述JFET隔断区处不同导电类型的掺杂离子浓度差大于所述JFET区处浓度差，使栅极交汇区于斜线方向上的耗尽层易于扩展，从而耗尽层更易于接触和融合，进而提高了沿所述斜线方向上的击穿电压，提升了器件的耐压性和稳定性。
vdmos 器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202110181777.2有效
发明人：黄示;顾悦吉;周琼琼;韩健 -专利权人：杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件具有相邻的元胞区与终端区，功率半导体器件包括：半导体层，具有相对的第一表面与第二表面；多个沟槽结构，位于元胞区，每个沟槽结构沿半导体层的厚度方向延伸；分压环，位于终端区，分压环围绕元胞区；以及第一掺杂区，自终端区的部分分压环向元胞区延伸，与元胞区内的部分沟槽结构的底部接触，第一掺杂区部分位于分压环暴露的台面下方，部分位于元胞区内的部分沟槽结构的底部，第一掺杂区的掺杂浓度大于分压环的掺杂浓度，通过设置第一掺杂区，减少因电场作用产生的碰撞离化电荷对沟槽结构底部的冲击，提高了器件的二次雪崩耐量。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]重新校准环形胞元电路-CN201810067650.6在审
发明人：蔡宗宪;张智贤;沈瑞滨;谢正祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明公开了一种重新校准环形胞元电路。重新校准环形胞元电路包括：单端转差分单元、或门、与门、P型金属氧化物半导体晶体管及N型金属氧化物半导体晶体管。单端转差分单元具有配置用于接收重新校准信号的输入、用于输出第一差分输出的第一输出及用于输出第二差分输出的第二输出。用于输出的第一输出是或门的第一输入。用于输出的第二输出是与门的第一输入。
输出重新校准电连接或门与门胞元电路单端漏极转差配置

[发明专利]网联交通下考虑自动驾驶车辆干扰的行人流交通仿真-CN202111526513.2在审
发明人：任有;姜姗;林慧英;刘宏飞;闫冠;宗芳;宋佳琪;王靓喆 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：步骤1、明确在有网联自动驾驶车辆干扰时，行人过马路的一般规则，步骤2、确定仿真中场景的基本信息，步骤3、元胞位置选择判断，步骤4、信息素模型更新，步骤5、判断循环次数。步骤3分为步骤3.1、判断行人所处的元胞位置，步骤3.2、判断前方是否有车辆及前方元胞的状态，步骤3.3、选择下一时间步长的元胞位置。步骤4分为步骤4.1、被车辆占据的元胞信息素更新模型，步骤4.2、被右行行人占据的元胞信息素更新模型，步骤4.3、被左行行人占据的元胞信息素更新模型，步骤4.4、空元胞的信息素更新模型。
交通考虑自动驾驶车辆干扰行人仿真

[发明专利]一种多目标元胞差分方法-CN201510777919.6在审
发明人：王亚良;钱其晶;金寿松;兰秀菊 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G06N3/00 文献下载
摘要：多目标元胞差分方法，包括：步骤1、创建多目标函数，对于含约束的多目标问题，还需要创建约束条件；步骤2、对种群进行随机初始化；步骤3、从每个当前个体的周围邻居中通过二元锦标赛选出两个较优秀的个体，将它们与当前个体共同作为父本，然后进行差分变异、交叉操作获得子代，并计算子代的目标函数值；步骤4、根据秩与拥挤距离，选出邻居中的最差者；步骤5、重复3与4的步骤，直到完成最后一个个体的进化；步骤6、在每代进化结束后，根据秩与拥挤距离对外部存档集的个体进行排序
一种多目标元胞差分方法

[发明专利]星形蜂窝结构本构关系的建立方法、介质和设备-CN202011552142.0有效
发明人：蓝林华;黄泽彬;汪大洋;张永山;朱勇 -专利权人：广州大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种星形蜂窝结构本构关系的建立方法、介质和设备，方法包括先从星形蜂窝结构中切出一个星形胞元；当沿着水平方向或竖直方向单向拉伸星形胞元时，直接取附加边界约束的四分之一胞元进行力学分析；并进一步将四分之一胞元的力学分析过程简化为斜壁板的受力变形；然后根据斜壁板的受力变形、星形胞元结构的几何特征及材料杨氏模量，运用能量法求解出胞元结构的等效杨氏模量以及等效泊松比；当沿着与水平方向成角方向单向拉伸星形胞元时，将星形胞元的力学分析过程简化为星形胞元在水平方向受力和竖直方向受力的叠加，从而计算出胞元结构的等效杨氏模量以及等效泊松比。
星形蜂窝结构关系建立方法介质设备

[发明专利]一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件-CN200910215280.7有效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区包括若干并联的元胞，并位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构，所述元胞区内元胞通过位于沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区采用沟槽结构，所述沟槽结构包括至少两个分压沟槽，相邻两个分压沟槽间设有欧姆接触孔，使相邻两个分压沟槽间的第二导电类型层具有与源极相等的电势，改进了终端保护区的分压能力。本发明分压保护区能够平均分配电场，可以缩小保护区的尺寸，从而减小管芯面积，降低成本，与现有沟槽型功率MOS工艺兼容，制造方便。
一种具有改进型终端保护结构沟槽功率 mos 器件

[实用新型]一种具有改进型终端保护结构的沟槽型功率MOS器件-CN200920353216.0无效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在所述MOS器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端保护结构，所述元胞区包括若干并联的元胞，并位于半导体基板的中心区；所述元胞区的外围设有终端保护结构，所述元胞区内元胞通过位于沟槽内的导电多晶硅并联成整体；所述终端保护结构包括位于其内圈的分压保护区和位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区采用沟槽结构，所述沟槽结构包括至少两个分压沟槽，相邻两个分压沟槽间设有欧姆接触孔，使相邻两个分压沟槽间的第二导电类型层具有与源极相等的电势，改进了终端保护区的分压能力。本实用新型分压保护区能够平均分配电场，可以缩小保护区的尺寸，从而减小管芯面积，降低成本，与现有沟槽型功率MOS工艺兼容，制造方便。
一种具有改进型终端保护结构沟槽功率 mos 器件

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