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[发明专利]包括部分环绕选择栅极的三维存储器设备及其边缘场辅助编程-CN201880070787.5有效
发明人：张艳丽;张鹏;J·阿尔斯梅尔;Y·董 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种操作三维存储器设备的方法包括：向选择的漏极选择栅极电极施加目标串偏置电压，该选择的漏极选择栅极电极部分环绕与漏极选择隔离结构直接接触的一行存储器堆叠结构；以及向与漏极选择层级隔离结构接触的未选择的漏极选择栅极电极施加相邻串偏置电压，该相邻串偏置电压具有比目标串偏置电压大的量值。
包括部分环绕选择栅极三维存储器设备及其边缘辅助编程

[发明专利]显示装置-CN200310122483.4有效
发明人：佐藤秀夫;西谷茂之;宫泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：电平变换电路具有：经第1电容元件在栅极电极上施加输入信号的第1导电型的第1晶体管；经第2电容元件在栅极电极上施加输入信号的第2导电型的第2晶体管；将第1偏置电压施加在上述第1晶体管的栅极电极上的第1偏置电路；以及将第2偏置电压施加在上述第2晶体管的栅极电极上的第2偏置电路。上述第1偏置电压是当加在上述第1晶体管的栅极电极上的电压为最大值时，上述第1晶体管成为截止的电压，上述第2偏置电压是当加在上述第2晶体管的栅极电极上的电压为最小值时，上述第2晶体管成为截止的电压。
显示装置

[发明专利]等离子体处理装置以及控制其高频电源的方法-CN201980004435.4在审
发明人：永岩利文 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：基板支承台设置于腔室内，包括下部电极。高频电源向下部电极供给偏置高频电力。在基板支承台上以包围基板的方式搭载有聚焦环。控制部使用偏置高频电力的电力水平与通过向下部电极供给偏置高频电力而产生的聚焦环的直流电位之间的关系、来确定与聚焦环的直流电位的指定值对应的偏置高频电力的电力水平。控制部控制高频电源，以向下部电极供给具有确定出的电力水平的偏置高频电力。
等离子体处理装置以及控制高频电源方法

[发明专利]一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法-CN201310175435.5有效
发明人：李云飞;石领 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：所述阵列基板包括第一钝化层和用于施加偏置电压的偏置电极；其中，所述第一钝化层位于所述数据线的上方；所述偏置电极位于所述第一钝化层上方，且所述偏置电极的覆盖区域与所述数据线的覆盖区域重叠。所述显示面板工作时，在偏置电极上方位置形成暗区，使非显示区域的液晶处于常黑的工作状态，从而达到阻止漏光现象的产生，提高液晶显示面板的对比度的目的。
一种阵列制作方法显示面板驱动方法

[发明专利]液体喷射系统、液体容器、保持器以及液体喷射装置-CN200910129360.0有效
发明人：小泉义弘;岩室猛;松本齐;木村仁俊 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：保持器包括：用于从液体容器接受液体供应的液体供应针；配置在液体供应针的上侧并用于与液体容器电连接的保持器侧电极部；配置在液体供应针的下侧并用于向预定偏置方向对液体容器的所述偏置接受部偏置的偏置部。液体容器包括：开口于前壁、并具有供液体供应针插入的液体供应口的供应部；当液体容器安装在保持器上时以与保持器侧电极部电连接的方式位置被固定的容器侧电极部。偏置方向被设定成使得从偏置接受部向偏置方向延伸的延长线通过比容器侧电极部靠侧壁的一侧。
液体喷射系统容器保持以及装置

[发明专利]控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备-CN201410482629.4有效
发明人：斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼;亚历山大·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备，具体而言，在通往偏置电极的射频(RF)功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极。所述可变电容器的电容被设置用于在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流偏置电压的速率。在所述衬底上形成所述直流偏置电压的速率控制暴露于从所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。
控制衬底直流偏置离子能量角分布方法设备

[发明专利]一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置-CN202210295743.0在审
发明人：卢小龙;户志鸣;王俊润;姚泽恩;徐大鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G21K1/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置，属于脉冲离子束团成形装置技术领域，有效解决了现有脉冲束团成形装置传输线较长、工程造价较高的问题，包括扫描电极和切割板，所述扫描电极与切割板之间设置有偏置电极，偏置电极和扫描电极均固定安装在接地外壳内部，且所述偏置电极和扫描电极上均设置有高频高压真空密封穿通件，所述偏置电极和扫描电极下方的接地外壳上均固定设置有接地电极，其有益效果在于：通过减少了现有脉冲束团成形装置中的分析磁铁，缩短了束流传输线长度，减少了工程造价，同时通过在扫描板后增加偏执电极板，实现了在将连续束切割成脉冲束团的同时，甄别出了质荷比最大束团。
一种具有离子甄别功能脉冲成形装置

[实用新型]一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置-CN202220658742.3有效
发明人：卢小龙;户志鸣;王俊润;姚泽恩;徐大鹏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G21K1/087 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有离子质荷比甄别功能的脉冲束团成形装置，属于脉冲离子束团成形装置技术领域，有效解决了现有脉冲束团成形装置传输线较长、工程造价较高的问题，包括扫描电极和切割板，所述扫描电极与切割板之间设置有偏置电极，偏置电极和扫描电极均固定安装在接地外壳内部，且所述偏置电极和扫描电极上均设置有高频高压真空密封穿通件，所述偏置电极和扫描电极下方的接地外壳上均固定设置有接地电极，其有益效果在于：通过减少了现有脉冲束团成形装置中的分析磁铁，缩短了束流传输线长度，减少了工程造价，同时通过在扫描板后增加偏执电极板，实现了在将连续束切割成脉冲束团的同时，甄别出了质荷比最大束团。
一种具有离子甄别功能脉冲成形装置

[发明专利]电压调控的磁性存储单元及磁性存储器-CN202111029362.X在审
发明人：张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
电压调控磁性存储单元存储器

[发明专利]等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀方法-CN200910076699.9有效
发明人：杨盟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀装置，包括具有第一电极、第二电极的工艺腔、与所述第一电极电连接的激励射频电源和与所述第二电极电连接的偏置射频电源；其中，所述第一电极和第二电极相对放置，所述第一电极和第二电极之间为所述的工艺腔；所述激励射频电源用于向所述第一电极输入激励射频功率；所述偏置射频电源用于向所述第二电极输入偏置射频功率；所述激励射频电源和/或偏置射频电源为间断起辉模式的射频电源；其中，所述间断起辉模式为在单位射频周期的部分时间有功率输出的起辉模式
等离子体刻蚀装置栅极方法

[发明专利]使用相变材料的光电器件-CN201880031189.7在审
发明人：赛义德·加齐·萨尔瓦特;热拉尔多·罗德里格斯·赫南德斯;哈里什·巴斯卡兰 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：检测器(100)包括：基板(10)、由基板(10)支撑的相变材料层(16)、与相变材料层(16)电接触的第一电极(14)、以及与相变材料层(16)电接触的第二电极(18)。第一电极和第二电极(14、18)可操作以通过由于第一电极与第二电极(14、18)之间的偏置电压使电流穿过相变材料而偏置相变材料(16)。读出电路(15)被配置为：通过在第一电极与第二电极(14、18)之间施加偏置电压而偏置相变材料层(16)；通过检测由于相变材料层(16)中的相变而导致的相变材料层(16)的电阻改变来检测入射到相变材料(16)上的光；在相变材料层(16)中的相变之后，通过经由第一电极和第二电极(14、18)施加重置脉冲来重置相变材料层(16)。
相变材料层第二电极第一电极相变材料检测器读出电路偏置电压电接触基板偏置施加重置脉冲检测光可操作检测电阻入射重置穿过配置支撑

[发明专利]等离子处理装置及等离子处理方法-CN200810100302.0有效
发明人：黄太亨;张鸿永 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：该等离子处理装置包含：真空腔；配置于真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；及计算施加于下部电极各块件的偏置功率、并控制偏置功率供给部的控制部。
等离子处理装置方法

[发明专利]一种低功耗差分调制器及光芯片-CN202310350296.9有效
发明人：何伟炜;杨明 -专利权人：众瑞速联（武汉）科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及光芯片技术领域，具体涉及一种低功耗差分调制器及光芯片，包括：并排设置的第一偏置电压链路和第二偏置电压链路、驱动器（20）和终端电阻（50）；所述第一偏置电压链路包括依次连接设置的第一信号输出端口（31）、第一行波电极（41）、第一电感（61）和第一偏置电极（71）；所述第二偏置电压链路包括依次连接设置的第二信号输出端口（32）、第二行波电极（42）、第二电感（62）和第二偏置电极（72）；所述第一信号输出端口（31）、第二信号输出端口（32）分别和所述驱动器（20）连接；所述终端电阻（50）的一端与第一行波电极（41）电联接，其另一端与第二行波电极（42）电联接。
一种功耗调制器芯片

[发明专利]半导体光集成元件-CN202080013809.1在审
发明人：西田昌义;石井启之;铃木理仁 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够抑制来自半导体光放大器等正向偏置光元件的漏电流向反射镜的流入，并防止谱线宽度的宽大化的半导体光集成元件。半导体光集成元件是在半导体基板的上表面单片集成有正向偏置光元件和半导体激光器的半导体光集成元件，具备：无源波导部，其配置于所述正向偏置光元件与所述半导体激光器之间；以及接地电极，其配置于所述半导体基板的下表面，所述半导体激光器在所述正向偏置光元件侧具有具有长度的反射镜，所述正向偏置光元件在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有正向偏置光元件电极，所述无源波导部在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有无源波导电极，所述无源波导电极与所述接地电极电连接。
半导体集成元件

[发明专利]对用于PVD方法的衬底进行预处理的方法-CN200980145840.4有效
发明人： H.鲁迪吉尔;J.拉姆;B.维德里希;T.冯布劳克 -专利权人：欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫）
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在真空处理设备中对工件进行表面处理的方法，该真空处理设备具有构成为靶的第一电极，该第一电极是电弧蒸镀源的部件，其中在该第一电极上用火花电流运行火花，通过该火花电流从所述靶蒸镀材料，该材料至少部分及暂时地沉积在工件上，并且该真空处理设备具有构成为工件固定装置并且与工件一起形成偏置电极的第二电极，其中借助电压源来施加偏置电压到偏置电极上，其中使得偏置电压与火花电流相协调地被施加，使得在表面上基本上纯粹不发生材料合成。
用于 pvd 方法衬底进行预处理