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[发明专利]通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值-CN201310713240.1有效
发明人：李南海;威廉·蒂;诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗;王亚新;阿图尔·柯利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。
通过热处理溶剂处理恢复多孔电介质

[发明专利]介电常数恢复-CN201610213407.1在审
发明人： P·达什;D·帕迪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了一种在经图案化的基板上的低k电介质层中形成特征的方法。可在低k电介质层中形成通孔、沟槽或双镶嵌结构。对低k电介质层的图案化也会增加介电常数。通过将UV光照射在低k电介质层上，同时使低k电介质层暴露于含碳和氢的前体来处理经图案化的基板以修复或降低介电常数。随后，在所述低k电介质层上形成共形的气密层。所述共形的气密层配置成在稍后的处理期间以及在所完成的器件的使用寿命期间将水和污染物保持在低k电介质层外部。
介电常数恢复

[发明专利]围绕TSV的虚设堆叠结构及其形成方法-CN202210173983.3在审
发明人：张敏妮;邹昀晋;巫清景;陈秀帆;王明义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括：在半导体衬底之上形成多个低k电介质层；形成延伸到所述多个低k电介质层中的至少一个低k电介质层的第一多个虚设堆叠结构；在所述多个低k电介质层之上形成多个非低k电介质层；以及形成延伸到所述多个非低k电介质层中的第二多个虚设堆叠结构。所述方法还包括蚀刻所述多个非低k电介质层、所述多个低k电介质层和所述半导体衬底以形成过孔开口。所述过孔开口被所述第一多个虚设堆叠结构和所述第二多个虚设堆叠结构包围。然后填充所述过孔开口以形成穿孔。
围绕 tsv 虚设堆叠结构及其形成方法

[发明专利]用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法-CN201210246284.3有效
发明人：刘俊军;多雷尔·I·托玛;埃里克·M·李 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
用于固化多孔介电常数电介质方法

[发明专利]用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法-CN200980107844.3有效
发明人：刘俊军;多雷尔·I·托玛;埃里克·M·李 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
用于固化多孔介电常数电介质方法

[发明专利]低K电介质和金属工艺集成的方法-CN200880110040.4有效
发明人：耶迪·N·道尔迪;阿瑟霍·M·霍瓦德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种在使用包括低k电介质和金属的波纹结构的电子设备上形成金属化层的集成工艺。根据本发明的一个实施方式，集成工艺包括使低k电介质结构中的填充金属平坦化、在低k电介质上产生保护层、接着清洁填充金属表面。本发明的另一个实施方式还包括了保护诸如碳掺杂氧化硅等低k电介质的方法。
电介质金属工艺集成方法

[发明专利]利用铜扩散阻挡结构的高多孔低K电介质膜的结构加强-CN01820957.2有效
发明人： L·D·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-12-18 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：高多孔低－k电介质材料被机械加强以能够在高级的集成电路中使用这些低－k材料作为层内和层间电介质，例如将高多孔材料并入Cu镶嵌互连的技术。体现这样的机械加强的电介质层的集成电路通常包括一个其中有互连的电子元件的衬底，在衬底上布置的铜扩散阻挡(108)或者刻蚀停止层，铜扩散阻挡或者刻蚀停止层被构图以提供多个电绝缘结构(110)，和在多个结构周围布置的低－k电介质层(112)。一种工艺，用于制作机械加强的、高多孔、低－k电介质层，通常包括在衬底上形成铜扩散阻挡或者刻蚀停止层，对铜扩散阻挡或者刻蚀停止层进行构图以形成多个结构，每一结构具有顶表面，在该结构上面和邻近处形成低－k电介质层，低－k电介质层具有顶表面，和对低－k电介质层抛光，使得它的顶表面基本与结构的顶表面齐平。
利用扩散阻挡结构多孔电介质加强

[发明专利]从蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂的方法-CN200580032800.0无效
发明人： E·A·哈森;P·奇里格利亚诺 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种在低－k(k＜3.0)电介质层中形成特征的方法。将低－k电介质层放置在基底上。将图案化的光致抗蚀掩模放置在所述低－k电介质层上。将至少一个特征蚀刻到所述低－k电介质层中。
蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂方法

[发明专利]电介质材料处理系统和操作方法-CN200980136347.6有效
发明人：刘俊军;雅克·法戈特;埃里克·M·李;多雷尔·I·托玛;岳红宇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
电介质材料处理系统操作方法

[发明专利]通过硅/锗浸泡改进金属线的形成-CN200910150013.6有效
发明人：张惠林;林志隆;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成互连结构的方法，包括提供衬底；在该衬底上形成低k电介质层；在该低k电介质层中形成开口；在形成开口的步骤之后，实施硅/锗浸泡工艺以暴露该低k电介质层的表面；以及在硅/锗浸泡工艺之后，填充该开口。
通过浸泡改进金属线形成

[发明专利]在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法-CN02813259.9无效
发明人：志鹏·劳;驰－I·吴;颖·周;格兰特·M·克洛斯特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-09-26 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于增强在低介电常数(低k)电介质层上CVD或ALD沉积的膜/层的成核和/或附着的方法，所述低k电介质层例如为聚合物电介质或掺碳氧化物。在一个实施例中，所述方法包括向沉积室中提供衬底。在衬底上方形成具有活性组分的电介质层。然后，对所形成的具有活性组分的电介质层进行处理，以至少在所形成的电介质层的表面上产生极性基团或极性位置。本发明形成低k有机聚合物电介质层或者有机掺杂的氧化物电介质层，所形成的电介质层具有增强的成核和/或附着特性以用于随后沉积的诸如阻挡材料层的层。
介电常数电介质沉积化学原子方法

[发明专利]使用低K电介质的集成电路系统及其制造方法-CN201010205666.2有效
发明人： D·K·孙;W·刘;F·张;J·B·谭;J·H·李;B·C·张;L·杜;W·刘;Y·K·林 -专利权人：新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种使用低K电介质的集成电路系统及其制造方法，该方法包含：制造具有集成电路的基板；在所述集成电路上提供低K电介质层；在所述集成电路上所述低K电介质层中形成通孔与沟槽；通过化学机械平坦化工艺形成结构表面；以及提供直接注入物至所述结构表面，用于形成注入物层以及金属钝化层，包含修复由所述化学机械平坦化工艺造成对所述低K电介质层的破坏。
使用电介质集成电路系统及其制造方法

[发明专利]制造自对准纳米柱形空气桥的方法以及由之制造的结构-CN200510004583.6有效
发明人：马修·E·科尔伯恩;萨特亚纳拉亚纳·V·尼塔;萨姆帕斯·普鲁肖萨曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及制造自对准纳米柱形空气桥的方法以及由之制造的结构，尤其是一种自衬底上制造低k、超低k和极低k多层互连结构的方法，其中，用电介质将互连线路结构在横向上隔离开，所述电介质具有竖直取向的纳米级空隙，这些空隙是通过使用底层光刻构图和蚀刻技术穿透所述电介质，并用电介质淀积步骤封闭穿透孔的顶部而形成的。这些线路由下方的实心的或者被构图的电介质结构支持。该方法避免了在制造导体图案之后与空气隙的形成有关的问题，以及与传统的低k、超低k和极低k电介质的集成有关的问题，在形成所述互连图案之前，所述电介质具有空隙度。
制造对准纳米空气方法以及结构

[发明专利]衬底上的电互连结构及其制作方法-CN200410054921.2有效
发明人：李·M·尼科尔森;曾伟志;克里斯蒂·泰博格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种衬底上的电互连结构，包括：第一低k电介质层；旋涂低k CMP保护层，该保护层与第一低k电介质层以共价键相结合；以及提供CVD沉积的硬掩模/CMP抛光停止层。在第一低k电介质层中可以制作电通路和衬里。旋涂的低k CMP保护层防止对低k电介质的破坏，这种破坏可能从中心到边缘或者在金属密度变化的区域内由于CMP处理过程中的不均匀而造成。低k CMP保护层的厚度可以在不显著地影响这种结构有效介电常数的情况下调节以适应CMP处理中的较大变化。
衬底互连结构及其制作方法

[发明专利]提高两个不同层之间粘附强度的半导体结构和方法-CN200810002918.4无效
发明人：林庆煌;特里·A.·斯普纳;达山·D.·甘迪;克里斯蒂·S.·蒂伯格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在低k电介质层与包含电介质的衬底之间具有提高粘附强度的机械坚固的半导体结构。特别地，本发明提供一种结构，其包括包含电介质的衬底，该衬底具有包括与衬底化学和物理不同的处理后表面层的上部区域；以及位于衬底的处理后表面层上的低k电介质材料。处理后表面层与低k电介质材料形成界面，该界面具有大于界面任意一侧上较弱材料的粘结强度的60％的粘附强度。通过在衬底低k电介质材料形成之前，使用光化辐射、等离子和电子束辐射的至少一种来处理衬底的表面来形成处理后表面。
提高两个不同之间粘附强度半导体结构方法

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