“低硼硅铁”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2494171个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种生产高纯硅铁的降硼的渣系-CN200910203812.5无效
发明人：王启民;齐中勇;霍生福;霍东林;罗永帮 -专利权人：青海物通（集团）实业有限公司
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C21C7/076 文献下载
摘要：本发明属于高纯硅铁生产的技术领域，特别涉及一种生产高纯硅铁的降硼的渣系。采用此渣系配方制得的渣系可有效降低高纯硅铁中硼杂质含量，使产品中硼含量达20ppm以下，完全满足了精品钢冶炼中对高纯硅铁产品的质量要求，此外它还具有价格便宜，使用方便，原料易得等优点。
一种生产高纯

[发明专利]一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法-CN202210703687.X在审
发明人：沙彦文;董长海;郝燕玲;麦长彪;温洋;周小渊;苏波;王思远 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法包括以下步骤：当P型轻掺(掺硼)单晶硅晶体高温退火急速冷却后，单晶硅片的表面会形成铁硼金属复合层，对单晶硅片表面的铁硼金属复合层进行打磨，来去除单晶硅片表面的铁硼金属复合层；将单晶硅片表面的铁硼金属复合层磨掉后，将单晶硅片放置在恒温箱内，并对单晶硅片恒温4‑8h进行恒温处理。本发明具备检测稳定的优点，解决了目前电阻率测试前预处理工艺，在对P型轻掺(掺硼)单晶硅测试时波动大且测试不稳定，测试波动大于5％，无法测试出准确电阻率的问题。
一种用于型轻掺掺硼单晶硅电阻率测试预处理方法

[发明专利]一种铁硼铸造耐磨合金中硬质相Fe₂B的韧化处理方法-CN200810150461.1无效
发明人：皇志富;邢建东;高义民 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁硼耐磨铸造合金领域，公开了一种铁硼铸造耐磨合金中硬质相Fe₂B的韧化处理方法。它包括以下步骤：首先，确定铁硼铸造耐磨合金配料，包括废钢、硅铁、锰铁、硼铁，并以铁硼铸造耐磨合金配料总重量为基准，按照0.5－10％的Cr元素和0－4.0％的Mo元素，分别计算称取铬铁、钼铁和铁硼铸造耐磨合金配料；然后，取出硼铁备用，将其它铁硼铸造耐磨合金配料依次加入炉中熔炼，熔清之后，采用铁水重量0.01％的铝丝脱氧，再加入铬铁、钼铁熔清；最后，将硼铁块加入炉中熔清，待铁水熔清后静置、除渣、成型，即可。
一种铸造耐磨合金硬质 fe sub 处理方法

[发明专利]一种铝-钴-硼中间合金及其制备方法-CN201810055340.2在审
发明人：宋东福;郑开宏;周楠;秦芳诚;杨莉;康跃华 -专利权人：广东省材料与加工研究所
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种铝‑钴‑硼中间合金及其制备方法，所述中间合金由以下质量百分比的成分组成：Al 91.1～99.1%，Co 0.5～4.5%，B 0.1～3.0%，Fe≤0.15%，Si≤0.10%，其余杂质元素≤0.15%本发明由于采用铝‑钴‑硼三元中间合金作为富铁相变质剂，不仅可以完全消除针状富铁相和初生富铁相的存在，获得均匀的汉字状富铁相，而且还可大幅降低分步复合添加钴元素和硼元素所需的中间合金总量，同时减少工艺环节，有利于控制合金成分，更适合于工业化生产，由于较低含量的钴添加量即会引起初晶硅的析出，因此本发明更适合于不含硅或者含硅量较低的铝合金的富铁相变质。
一种中间合金及其制备方法

[发明专利]硼镁矿及富硼渣直接冶炼铁基非晶态母合金的方法-CN94110021.9无效
发明人：谢力;刘守平;徐延军;吕英华;付志鹏;翟玉春 -专利权人：冶金工业部鞍山热能研究院
申请日： 1994-01-13 - 公布日： 1995-07-19 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：以硼镁矿、富硼渣或直接还原硼铁矿为原料、焦炭或无烟煤及硅铁作为还原剂，按比例预混合、生铁、废钢在碳质炉衬的直流等离子炉内预熔造高温铁浴。混合料全部通过电极中心孔在氩气携带下加入电弧区，完成碳-硅复合热还原直接冶炼FeSiB非晶态母合金。其特点是工艺简单，冶炼操作灵活；开停方便，可以使用粉料；B收得率高；原料和还原剂价格低廉，生产成本低。
硼镁矿富硼渣直接冶炼铁基非晶态合金方法

[发明专利]一种耐腐蚀桥梁钢材及其制备方法-CN202011432378.0在审
发明人：雷江平 -专利权人：成都典惟宁建筑科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明研制的产品1、包括以下重量份数的元素：100‑120份的铁，0.03‑0.05份碳，0.5‑1.5份的硼，0.5‑1.5份的硅，0.02‑0.04份的磷，0.001‑0.003份硫，0.3‑0.5份铜，0.3‑0.5份镍；其中，硼和硅至少部分形成硼硅化合物；且硼硅化合物至少部分分布于所述耐腐蚀桥梁钢材晶界处；另外，所述铜和镍至少部分分布于所述耐腐蚀桥梁钢材表面，并形成铁固溶体相。
一种腐蚀桥梁钢材及其制备方法

[发明专利]多晶硅原料的清洗方法-CN201110285053.9无效
发明人：史珺;卿喻楚;李华杰 -专利权人：上海普罗新能源有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅原料的清洗方法，包括步骤：将多晶硅料粉碎，用磁铁去除硅粉中的铁。将硅粉在过氧化氢溶液中浸泡2小时～24小时。将硅粉进行湿氧氧化。将硅粉放入盐酸和氢氟酸的混合酸中浸泡。将硅粉用氢氟酸浸泡腐蚀。将硅粉放入超声波水槽中进行超声清洗。将硅粉在真空炉中烘干，得到目标产品。本发明通过酸洗能去除硅粉中的金属杂质；以及利用硼在硅中平衡浓度和在SiO2中平衡浓度之比小于1，经过湿氧氧化使杂质硼扩散到SiO2中，再通过酸洗去含大量硼的SiO2，从而能得到4N～5N的多晶硅。本发明还具有工艺方法简单、成本低、工艺安全以及较少的污染的优点。
多晶原料清洗方法

[发明专利]一种三元硼化物及其制备方法和应用-CN202010873702.6有效
发明人：殷常峰;刘慧渊;周晓玲 -专利权人：山东旭拓新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明属于焊接材料制备技术领域，具体涉及一种三元硼化物及其制备方法和应用。该三元硼化物的原料中包括以质量分数计，其原料包括2‑8％硼元素、20‑50％铁元素、31‑55％钼元素、1‑15.5％铬元素、0.2‑3％硅元素、1‑5％镍元素和0.5‑2.5％锰元素。采用特定配比的硼、铁、钼、铬、硅、镍和锰作为原料，可以保证堆焊过程中生成的三元硼化物堆焊层具有较好的耐磨性、韧性、硬度；本发明提供的原料可以作为焊材应用于堆焊中，通过焊接冶金原位合成三元硼化物，该三元硼化物与金属基体的结合强度好在三元硼化物中加入硅元素，可以脱除硼化物中的氧气，形成焊渣排出。
一种三元硼化物及其制备方法应用

[发明专利]一种磨削机用抗冲击材料-CN201610245786.2在审
发明人：顾云龙;王小平 -专利权人：苏州市相城区明达复合材料厂
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种磨削机用抗冲击材料，所述磨削机用抗冲击材料由铁、铬、铝、锰、钒、钽、硼以及硅八种成分组成，所述磨削机用抗冲击材料中各成分所占重量份数分别为：所述铁占80‑87份，所述铬占40‑45份，所述铝占23‑28份，所述锰占11‑14份，所述钒占8‑12份，所述钽占6‑10份，所述硼占13‑17份，所述硅占15‑19份。本发明采用铁、铬、铝、锰、钒、钽、硼以及硅八种成分组成，具有硬度高、强度高、耐磨损、抗冲击、使用寿命长的特点。
一种磨削机用抗冲击材料

[发明专利]一种硼镁铁共生矿有价组元分离提取的方法-CN201510031547.2有效
发明人：储满生;付小佼;柳政根;赵嘉琦;陈双印 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C22B5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镁铁共生矿有价组元分离提取的方法，所述方法包括将破碎后的硼镁铁共生矿和还原用煤粉充分混匀、选择性还原、磨矿分选，得到直接还原铁和磁选尾矿；将磁选尾矿浮选除去多余的碳，经硫酸浸出、洗涤碱浸沉淀本发明全工艺过程剩余煤粉及酸液碱液均可循环利用，本发明具有铁、硼、镁、硅高效分离、回收率高和资源综合利用的特点，对开发利用我国储量丰富的铁硼镁硅复合共生矿产资源具有重要意义。
一种硼镁铁共生矿有价组元分离提取方法

[发明专利]一种高纯度高硼硅粉的制取方法-CN201910273114.6在审
发明人：孙坤泽;史兰庆;吴章荣 -专利权人：新疆中诚硅材料有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度高硼硅粉的制取方法，通过将高纯度单质硅和硼化合物或者单质机械混合进行高温熔炼后，进行渣金分离，再对合金进行磨粉、酸洗，酸洗后进行固液分离，去除大部分磷，钙，铝，铁，制得高纯度的硼硅粉本发明方法通过调整硅硼合金的配比，使硅粉中含有0.01％‑0.5％的硼，在靶材的制作过程中，可以有效的控制靶材的电阻率，流程简洁高效，易产业化。
高纯度高硼硅靶材酸洗制取高温熔炼固液分离硅硼合金机械混合硼化合物渣金分离制作过程产业化单质硅电阻率单质硅粉磨粉配比硼硅去除合金

[发明专利]一种兼具防火和辐射屏蔽功能的气凝胶材料和辐射屏蔽结构-CN202310273209.4在审
发明人：田英男;申静怡;常叶笛;谢思洋;米爱军;田浩男;王晓霞;王炳衡;毛亚蔚;李丹;高桂玲;赵薇;李晓静;刘敏;邱林;王东旭;沈琪;彭思;陈宗欢;王雅霄 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G21F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具防火和辐射屏蔽功能的气凝胶材料，包括气凝胶基材和气凝胶外加剂，气凝胶基材包括如下材料的一种或一种以上：硅、碳、铝或铁的单质，硅、碳、铝或铁的化合物；气凝胶外加剂包括氢化钇和如下材料的一种或一种以上：硼、锂、钆、钨、铅或铁的单质，含有硼、锂、钆、钨、铅或铁的化合物或矿石。
一种兼具防火辐射屏蔽功能凝胶材料结构

[发明专利]深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法-CN201910152688.8在审
发明人：李显坪;陈琦;唐宝发 -专利权人：扬州中天利新材料股份有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法，涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术领域，特别是碳化硅半导体用高纯碳化硅的深度提纯方法。利用碳化硅的高温难挥发的特性，在900～1200℃的条件下，含杂碳化硅粉体中杂质元素硼、铝、铁、钛、钒等与HCl气体生成低沸点的氯化物而蒸发出来，从而降低含杂碳化硅粉体中的硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素的含量，以此实现了深度去除已过到一定高纯度的碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素的方法，从而提升高纯碳化硅粉体的质量，用于碳化硅单晶的良率得以提高。
高纯碳化硅杂质元素碳化硅粉体粉体去除高纯硅工业化生产技术氯化物碳化硅半导体高温合成法碳化硅单晶低沸点高纯度高纯碳碳化硅提纯挥发良率蒸发生产

[发明专利]镍铬硼硅电焊条-CN98112366.X无效
发明人：张清辉 -专利权人：湘潭大学
申请日： 1998-03-06 - 公布日： 2000-11-29 - 主分类号： B23K35/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍铬硼硅耐磨堆焊电焊条。由银片石墨、硼铁、硅铁、碳化硅、钼铁、碳化钨、铝镁粉配成焊条药皮。焊芯为电炉丝（Ｎｉ８０Ｃｒ２０）。粘结剂采用水玻璃。采用普通油压机生产。堆焊合金性能优良。本发明目的是增加镍铬硼硅电焊条新品种，电焊条堆焊比喷焊堆焊有许多优越性。
镍铬硼硅电焊条

[发明专利]一种铝-铬-硼中间合金及其制备方法-CN201810054037.0在审
发明人：宋东福;甘春雷;刘庆德;郑开宏;周楠;周东明 -专利权人：广东省材料与加工研究所;肇庆南都再生铝业有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种铝‑铬‑硼中间合金及其制备方法，所述中间合金由以下质量百分比的成分组成：Al 78.6～98.6%，Cr 1.0～18.0%，B 0.1～3.0%，Fe≤0.15%，Si≤0.10%，其余杂质元素≤本发明采用铝‑铬‑硼三元中间合金作为富铁相变质剂，不仅可以完全消除针状富铁相和初生铁相的存在，获得均匀的汉字状富铁相，而且还可大幅降低分步复合添加铬元素和硼元素所需的中间合金总量，同时减少工艺环节，有利于控制合金成分，更适合于工业化生产，由于较低含量的铬即会引起初晶硅的析出，因此本发明更适合于不含硅或者含硅量较低的铝合金的富铁相变质。
中间合金制备质量百分比析出针状工艺环节杂质元素变质剂初晶硅铬元素含硅量汉字状铝合金硼元素生铁合金变质复合