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[发明专利]共源共栅半导体器件和制造方法-CN202010078957.3在审
发明人：罗伯特·蒙哥马利;里卡多·杨多克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种分立的半导体器件和相关的制造方法，所述分立的半导体器件包括：高电压耗尽型器件裸芯；与高电压耗尽型器件裸芯按照共源共栅构造连接的低电压增强型器件裸芯；其中，高电压耗尽型器件包括布置在其第一表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子，并且所述栅极端子、源极端子和漏极端子相对于低电压增强型器件裸芯倒置；并且其中低电压器件布置为邻近于高电压器件。
共源共栅半导体器件制造方法

[发明专利]集成电路结构及其制造方法-CN201410320059.9有效
发明人：江宗育;陈光鑫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路结构，该集成电路结构包括衬底、低电压器件和高电压器件。低电压器件具有从第一外延结构到邻近的栅叠层的第一直线距离；以及高电压器件具有从第二外延结构到邻近的栅叠层的第二直线距离。高电压器件的第二直线距离大于低电压器件的第一直线距离，使得在高电压操作下可以降低高电压器件中的泄露电流。而且，本发明还提供了一种用于制造集成电路结构的方法。
集成电路结构高电压器件直线距离低电压器件外延结构栅叠层邻近泄露电流高电压衬底制造

[发明专利]用于非易失性存储器的增强型写中断机制-CN200880102322.X有效
发明人：史蒂文·T·斯普劳斯;达瓦尔·帕里克;阿琼·卡普尔 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：在具有控制器和由控制器控制的非易失性存储器阵列的非易失性存储器(NVM)器件中，电压管理器电路监视为NVM器件供电的电压源的输出。电压管理器电路可以是NVM器件的一部分或者耦连到它。电压管理器电路被配置为响应于检测到为NVM器件供电的电压源的输出下降到预定值以下，使“低电压”信号有效。该控制器被配置为当“低电压”信号无效时将数据写到存储器阵列中，以及当“低电压”信号有效时暂停写数据。响应于“低电压”信号的有效，该控制器完成未决情况下的写周期/编程操作，以及在“低电压”信号的有效期间阻止任何另外的(一个或多个)写周期/编程操作。
用于非易失性存储器增强中断机制

[发明专利]婴幼儿洗浴用具-CN201610710583.6有效
发明人：周仲明 -专利权人：台州贝好婴童用品有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： A47K3/024 文献下载
摘要：本发明公开了婴幼儿洗浴用具，包括容器主体，容器主体上设置有用电器件和低电压充电模块，低电压充电模块给所述的用电器件供电，容器主体上设置有容纳低电压充电模块的舱体，舱体包括位于低电压充电模块下方并支承低电压充电模块的开关门，当开关门打开时，低电压充电模块依靠自重掉出舱体，其优点是低压充电模块由开关门支撑并置入舱体内给电器件供电，当需要用高压交流电给低压充电模块充电时打开开关门，低压充电模块在自重下掉出舱体，低压充电模块和电器件断开；使用者无法在低压充电模块连接电器件时给低压充电模块充电，只能拿出低压充电模块后单独充电，避免了因漏电而给婴幼儿在使用过程中的触电安全隐患。
婴幼儿洗浴用具

[发明专利]测试装置-CN201080004196.1有效
发明人：佐藤周作 -专利权人：爱德万测试株式会社
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：提供一种测试装置，是测试被测试器件的测试装置，包括：测试头，与被测试器件相向配置，设置有用于测试被测试器件的模块；探针组件，配置在测试头及被测试器件之间，进行信号传送。在探针组件中，设置有互相以规定的间隔配置的多个低电压引脚；和多个高电压引脚，其与多个低电压引脚的各个低电压引脚的距离比规定的间隔还大，传送比低电压引脚还高的电压的信号；在多个高电压引脚中的各个高电压引脚
测试装置

[实用新型]双极栅低电压功率器件用外延片-CN201420047837.7有效
发明人：邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双极栅低电压功率器件用外延片，所述双极栅低电压功率器件用外延片的材质为硅，所述双极栅低电压功率器件用外延片为层状结构，自下至上依次为基板、第一外延层和第二外延层。该双极栅低电压功率器件用外延片成功的克服了基板的自掺杂效应导致外延层的电阻率均匀性变差以及基板-外延过渡区变宽的缺陷，实现了外延层和衬底的低能耗。
双极栅低电压功率器件外延

[发明专利]流电隔离器件和方法-CN201210209103.X有效
发明人：马尔腾·雅各布思·斯万尼伯格;杜桑·戈卢保维克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：多种示例实施例涉及一种隔离器件，所述隔离器件包括半导体层和绝缘层。所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘。高电压端子与绝缘层相连，第一低电压端子与半导体层的第一非绝缘部分相连，以及第二低电压端子与半导体层的第二非绝缘部分相连。第一低电压端子和第二低电压端子经由半导体层电连接。施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。高电压端子与第一低电压端子和第二低电压端子流电隔离。
流电隔离器件方法

[发明专利]电平转换电路-CN201710119920.9有效
发明人：方刘禄;刘跃智;徐灵炎;张伟国 -专利权人：上海复旦微电子集团股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平转换电路，所述电路包括：低电压电平转换电路，适于在接入的高电源域的电源电压小于或等于对应的器件耐压值时，将输入的低电压域的信号分别转换为对应的高电源域的电源电压和零电压；高电压电平转换电路，适于在接入的高电源域的电源电压位于所述对应的器件耐压值与所述对应的器件耐压值两倍之间时，将输入的低电源域的信号分别转换为所述高电源域的电源电压和低电压。上述的方案，可以兼容高低电压的电平转换电路，可以扩大电平转换电路的适用范围。
电平转换电路

[实用新型]婴幼儿洗浴用具-CN201620932089.X有效
发明人：周仲明 -专利权人：台州贝好婴童用品有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： A47K3/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了婴幼儿洗浴用具，包括容器主体，容器主体上设置有用电器件和低电压充电模块，低电压充电模块给所述的用电器件供电，容器主体上设置有容纳低电压充电模块的舱体，舱体包括位于低电压充电模块下方并支承低电压充电模块的开关门，当开关门打开时，低电压充电模块依靠自重掉出舱体，其优点是低压充电模块由开关门支撑并置入舱体内给电器件供电，当需要用高压交流电给低压充电模块充电时打开开关门，低压充电模块在自重下掉出舱体，低压充电模块和电器件断开；使用者无法在低压充电模块连接电器件时给低压充电模块充电，只能拿出低压充电模块后单独充电，避免了因漏电而给婴幼儿在使用过程中的触电安全隐患。
婴幼儿洗浴用具

[发明专利]半导体器件-CN201410621830.6在审
发明人： F.希尔勒 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提供一种包含复合半导体主体的半导体器件，所述复合半导体主体包含高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管。高电压耗尽模式晶体管被堆叠在低电压增强模式晶体管上使得在高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管之间形成界面。低电压增强模式晶体管包含与高电压耗尽模式晶体管的电流路径串联耦合的电流路径，以及布置在界面处的控制电极。
半导体器件

[发明专利]共源共栅半导体器件及其制造方法-CN202010284962.X在审
发明人：里卡多·杨多克;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相对的第二主表面上的漏极端子；其中，高电压器件管芯的漏极端子安装在漏极连接上；低电压器件管芯的源极端子和高电压器件的栅极端子安装在共源极连接上；并且低电压器件管芯的漏极端子安装在高电压器件的源极端子上。
共源共栅半导体器件及其制造方法

[发明专利]电源检测方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310705946.7在审
发明人：蒋倩;李睿;姚志金;李怀民 -专利权人：中科可控信息产业有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：所述方法包括：获取各电压电平转换器件输出的多个矩形波低电压；多个矩形波低电压通过各电压电平转换器件对多相电源中的各功率级电路输出的多个矩形波高电压进行降压处理得到；基于预设的侦测周期，判断多个矩形波低电压中的每一矩形波低电压是否满足预设的输出条件；在存在目标矩形波低电压不满足输出条件的情况下，记录目标矩形波低电压对应的功率级电路的异常电路检测信息。
电源检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]低电压整体蒸汽浴房-CN200710031135.4无效
发明人：梁健康 -专利权人：佛山市南海区泰和洁具制品有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： A61H33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低电压整体蒸汽浴房，它包含有外罩、顶板和地板，外罩上设有活动门，外罩内部设有喷头及手动控制阀，在外罩内部还设有功能控制面板，控制面板连接控制电路，控制电路的输入端设有变压器，控制电路中的元器件为低电压元器件，市电经过变压器降压后经过低电压元器件，使其工作，蒸汽发生采用雾化喷嘴喷射结构，控制电路连接蒸汽控制阀，蒸汽控制阀控制雾化喷嘴的喷射。本发明的低电压整体蒸汽浴房的所有元器件在一个低电压状态下运行，运行时的能耗低，并且由于其低电压运行，所以用雾化喷嘴喷射管取代了高压使用的蒸汽发生器，大幅节省的蒸气浴时的电能消耗，达到了节能降耗环保的目的
电压整体蒸汽浴

[发明专利]半导体器件故障检测方法及装置、变换器-CN201810196510.9在审
发明人：李海龙;王武华;霍明;郑大鹏;周党生 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件故障检测方法及装置、变换器，所述装置包括：主功率模块、电压处理模块和逻辑控制模块；主功率模块包括储能单元和功率变换单元，功率变换单元包括半导体器件；电压处理模块，用于采集功率变换单元的预设节点之间的电压；将预设节点之间的电压转换为电压状态信号；对电压状态信号进行光电隔离处理后输出低电压信号；逻辑控制模块，用于获取电压处理模块输出的低电压信号；根据功率变换单元的驱动控制信号和低电压信号确定半导体器件是否发生故障本发明可实时检测半导体器件故障；解决了现有的半导体器件故障的检测不具有实时性、高抗扰性以及隔离较差的问题。
半导体器件功率变换单元电压处理模块低电压信号电压状态信号逻辑控制模块主功率模块故障检测变换器预设驱动控制信号储能单元电压转换发生故障光电隔离实时检测输出实时性高抗扰性采集隔离检测

[发明专利]服务器及供电系统-CN202211741174.4在审
发明人：吕厚登;沙祥彪;吴世甲 -专利权人：中科可控信息产业有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：该方法包括：第一电压转换电路，与外设的高压直流母线连接，用于将该高压直流母线输出的电压转换为第一低电压；第二电压转换电路，与该高压直流母线连接，用于将该高压直流母线输出的电压转换为第二低电压，该第二低电压高于该第一低电压；主板，该主板上设置有第一用电器件和第二用电器件，其中，该第一用电器件与该第一电压转换电路连接，该第二用电器件与该第一电压转换电路和该第二电压转换电路分别连接。
服务器供电系统

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