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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201310446894.2有效
发明人：竹田裕;竹内洁;鬼沢岳;田中圣康 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：第一接触件、第二杂质区和第二低浓度杂质区形成肖特基势垒二极管。第二杂质区具有与第一杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一杂质区相同的处理中被形成。另外，第二低浓度杂质区具有与第一低浓度杂质区相同的杂质浓度，并且因此可以在与形成第一低浓度杂质区相同的处理中被形成。
半导体装置

[发明专利]抗静电电路的薄膜晶体管及其制造方法-CN96114100.X无效
发明人：郑在宽;朴根雨 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-12-30 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种抗静电电路的薄膜晶体管包括形成于硅衬底上的阱；形成于阱内、用于电极间的电隔离的绝缘层；及分别位于绝缘层间的各低浓度杂质扩散区；形成于一个低浓度杂质扩散区中的第一高浓度杂质扩散区；形成于另一低浓度杂质扩散区中的第二高浓度杂质扩散区；形成于绝缘层和低浓度杂质扩散层上的层间绝缘层；及形成于低浓度杂质扩散区和层间绝缘层上的金属栅极。上述第一高浓度杂质扩散区和第二高浓度杂质扩散区中至少一个从有源区的外边缘向内与有源区重叠。
抗静电电路薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710159921.2有效
发明人：冈本悟;关口庆一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半岛体装置，它包括：具有沟道形成区、第一低浓度杂质区、第二低浓度杂质区、以及包括硅化物层的高浓度杂质区的岛状半导体膜；栅绝缘膜；中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区以及所述第一低浓度杂质区重叠的第一栅电极；中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区重叠的第二栅电极；形成在所述第一栅电极以及所述第二栅电极的侧面的侧壁，其中，所述栅绝缘膜的所述第二低浓度杂质区上的膜厚度薄于其以外的区域上的膜厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201710924364.2有效
发明人：川上昌宏;森朋彦;上田博之 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件包括阱外n型区、被阱外n型区包围的p型阱区、阱内n型区和栅极。阱外n型区包括与p型阱区接触的杂质低浓度区和通过杂质低浓度区与p型阱区分开的杂质高浓度区。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201180010752.0有效
发明人：增田健良;和田圭司;日吉透 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：活性层（20）包括主体区（22），当对栅电极（40）施加电压时在接触栅氧化物膜（30）的区域形成反型层（29）。主体区具有：低浓度区（22B），其布置在形成有反型层（29）的区域并包含低浓度杂质；以及高浓度区（22A），其布置在形成有反型层（29）的区域、在反型层（29）中的载流子迁移方向上与低浓度区（22B）相邻，并包含浓度大于低浓度区（22B）的杂质。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有耗尽型MOS晶体管的半导体装置-CN201110086411.3有效
发明人：原田博文 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：得到改善的耗尽型MOS晶体管，其中包括：半导体衬底上的第一导电型的阱区；在阱区上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的栅电极；在栅电极的两端形成的第二导电型的源极/漏极区；在源极/漏极区之间的栅极氧化膜下形成的第二导电型的低浓度杂质区；以及在源极/漏极区之间的第二导电型的低浓度杂质区之下形成的第一导电型的低浓度杂质区。
具有耗尽 mos 晶体管半导体装置

[发明专利]双极型晶体管-CN201480057996.8有效
发明人：大川峰司;江口博臣;金原啓道;池田智史 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。
双极型晶体管

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480032021.X有效
发明人：竹内有一;铃木巨裕;森本淳;副岛成雅 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置具备纵型MOSFET，该纵型MOSFET具有包括高浓度杂质层(1)和漂移层(2)的半导体基板、基极区(3)、源极区(4)、沟槽栅构造、源极电极(9)和漏极电极(10)。所述基极区为：高浓度基极区(3a)以及与所述高浓度基极区相比第二导电型杂质浓度更低的低浓度基极区(3b)层叠。所述高浓度基极区以及所述低浓度基极区与所述沟槽的侧面相接。
基极区碳化硅半导体装置纵型高浓度杂质层半导体基板导电型杂质漏极电极源极电极沟槽栅漂移层源极区侧面制造

[发明专利]制造DMOS器件的方法-CN200710302134.9无效
发明人：尹喆镇 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极；通过使用栅极作为掩模注入低浓度杂质离子在半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；在栅极的侧面上形成隔离物；在半导体衬底上形成覆盖栅极和低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和通过使用SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子在半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
制造 dmos 器件方法

[发明专利]静电放电保护设备及其制造方法-CN200610111006.1无效
发明人：金山弘 -专利权人：东部电子有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该ESD保护设备包括第一和第二器件隔离层、第一和第二高浓度第二导电类型杂质区、高浓度第一导电类型杂质区、以及低浓度第一导电类型杂质区。在第一导电类型的半导体衬底上的场区中形成该第一和第二器件隔离层。第一和第二高浓度第二导电类型杂质区形成在第一导电类型半导体衬底上。高浓度第一导电类型杂质区形成在位于第二高浓度第二导电类型杂质区的一侧上的部分第一半导体衬底上。低浓度第一导电类型杂质区形成在位于第一高浓度第二导电类型杂质区的下部的部分半导体衬底中。
静电放电保护设备及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010113654.7无效
发明人：长谷川尚;吉野英生 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：利用与漏区连接的金属配线，来覆盖N沟道型的高耐压MOS晶体管的低浓度杂质区域上通过LOCOS工艺等形成的氧化膜与作为漏区的高浓度杂质区域之间的边界部的上方，利用从金属配线朝向半导体衬底的电场，来缓解边界部的低浓度杂质区域与高浓度杂质区域之间的连接部的电场集中
半导体装置

[发明专利]具备具有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的半导体装置-CN201080065840.6有效
发明人：岩崎真也;添野明高 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间，设置有低浓度区(100)。低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低
具备具有二极管区绝缘极性晶体半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN99120486.7有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1999-11-25 - 公布日： 2000-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件,本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间,并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且,第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外,相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度,这取决于工作电压的差别。即,当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时,在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200610100301.7有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1999-11-25 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件，本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且，第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外，相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度，这取决于工作电压的差别。即，当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时，在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200510004764.9有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1999-11-25 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件，本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且，第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外，相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度，这取决于工作电压的差别。即，当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时，在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。
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