专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种位置偏移的确定方法和装置-CN201811169025.9有效
  • 胡峰;刘凡;王士磊 - 上海汽车集团股份有限公司
  • 2018-10-08 - 2023-09-15 - G06F30/20
  • 本申请公开了一种位置偏移的确定方法,当需要计算位置偏移时,可以首先获取车辆状态信息,根据所述车辆状态信息确定离合控制系统的计算阶段,该计算阶段可以包括第一阶段和第二阶段,在第一阶段完成时可以得到自学习偏移,第二阶段位于所述第一阶段之后且与所述第一阶段相邻,第二阶段的过程中可以得到模型计算偏移。然后,确定该计算阶段对应的位置偏移,该位置偏移中至少包括自学习偏移。由此可见,在计算位置偏移时,尽量使用自学习偏移替代模型计算偏移来确定位置偏移,可以提高位置偏移计算的精确度,进而实现通过电机累计转角信号精确地控制主缸活塞位移的目的。本申请实施例还公开了一种位置偏移的确定装置。
  • 一种位置偏移确定方法装置
  • [发明专利]曝光对准方法和曝光设备-CN200910138942.5无效
  • 山中英一郎 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2009-05-21 - 2009-11-25 - G03F9/00
  • 在曝光对准方法中,确定第一偏移,所述第一偏移表示曝光目标衬底的下层图案从初始点位置偏移;确定第二偏移,所述第二偏移表示在处理所述曝光目标衬底之前已经处理了的至少一个过去批次中的下层图案从所述初始点位置偏移计算第三偏移,所述第三偏移表示所述第一偏移和所述第二偏移之间的差,并基于所述第三偏移确定第一校正值。基于所述第一校正值,调节曝光目标图案的曝光位置
  • 曝光对准方法设备
  • [发明专利]位置偏移获取装置、检查装置、位置偏移获取方法及检查方法-CN201780083841.5有效
  • 里见一哉;赤木佑司;井上学 - 株式会社斯库林集团
  • 2017-11-13 - 2021-08-06 - G01B11/00
  • 位置偏移获取装置(41)的图像分割部(411)中,分割两个图像中的一个图像来获取分割区域组。适应性区域确定部(412)求出各分割区域相对于获取两个图像间的位置偏移偏移获取处理的适应度,根据分割区域组确定出适于偏移获取处理的多个适应性区域。位置偏移获取部(413)在各适应性区域中,进行两个图像间的偏移获取处理,从而获取该适应性区域的位置偏移位置偏移计算部(414)对于分割区域组中不包含于多个适应性区域的非适应性区域,根据多个适应性区域的位置偏移、及该非适应性区域与多个适应性区域的位置关系,来求出位置偏移。由此,可精度良好地求出两个图像中各分割区域的位置偏移
  • 位置偏移获取装置检查方法
  • [发明专利]一种极片纠偏方法、系统、电子设备及存储介质-CN201910355676.5有效
  • 张俊峰;叶长春;冯学慧 - 广州超音速自动化科技股份有限公司
  • 2019-04-29 - 2023-09-22 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种极片纠偏方法、系统、电子设备及存储介质,该方法包括以下步骤:当接收到到位信号后,通过图像采集装置采集当前极片的图像;通过图像识别方式识别出图像中的极片的轮廓;在极片的轮廓中寻找特征位置点并获取当前极片各个特征位置点的坐标;根据当前极片各个特征位置点的坐标与极片处于标准工位时的各个特征位置点的坐标计算当前极片的角偏移、纵向偏移和横向偏移;根据角偏移、纵向偏移和横向偏移调整当前极片的位置。该发明能识别出极片当前的位置及角度,然后确定当前极片的角偏移、纵向偏移和横向偏移从而根据各个偏移来进行纠偏,使得极片的位置及角度满足产品生产标准。
  • 一种纠偏方法系统电子设备存储介质
  • [发明专利]电极叠层体的制造装置-CN201780078407.8有效
  • 藤分浩一郎;上川英康;山元武;西田贞雄;上浦二郎 - 株式会社村田制作所
  • 2017-09-07 - 2022-06-24 - H01M10/04
  • 即便在作为用于校正隔膜的位置偏移的标准的基准位置产生误差的情况下,抑制隔膜和电极间的位置偏移。第一位置偏移检测传感器22检测第一隔膜部件11A相对于规定的基准位置的宽度方向上的位置偏移作为第一位置偏移。电极供给部23向规定的电极供给位置供给电极12。第二位置偏移检测传感器25检测第二隔膜部件13A相对于规定的基准位置的宽度方向上的位置偏移作为第二位置偏移。控制部27基于第一位置偏移校正第一隔膜部件11A的位置,并且基于第二位置偏移校正第二隔膜部件13A的位置。照相机26通过拍摄由与电极12的位置关系,检测第一隔膜部件11A在宽度方向上的实际的位置偏移,控制部27基于实际的位置偏移校正规定的基准位置
  • 电极叠层体制造装置
  • [发明专利]决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法-CN201911278438.5有效
  • 本间英晃;张劬;木岛渉;根谷尚稔;滝口笃史 - 佳能株式会社
  • 2019-12-13 - 2023-05-12 - G03F7/20
  • 决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法,决定用于接合曝光的关于基板的第1拍摄区及第2拍摄区的对位的校正,接合曝光对第1拍摄区曝光形成第1像,对与第1拍摄区的一部分重复的第2拍摄区曝光形成第2像,得到叠接第1像和第2像的像,求出用于上下层的重叠的重叠标志间的位置偏移即第1位置偏移,求出用于第1拍摄区和第2拍摄区的对位的接合位置测量标志间的位置偏移即第2位置偏移,将第1位置偏移加上预定比例的第2位置偏移位置偏移决定为第1拍摄区和第2拍摄区重复的接合区域中的第1像的校正,将从第1位置偏移减相对预定比例的剩余比例的第2位置偏移位置偏移决定为接合区域中的第2像的校正
  • 决定方法曝光装置以及物品制造
  • [发明专利]掩模版预对准系统和方法、张网设备-CN202110181904.9在审
  • 吴福龙 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2021-02-09 - 2022-08-16 - G03F7/20
  • 本发明实施例公开一种掩模版预对准系统和方法、张网设备,其中掩模版预对准系统包括预对准模块、传送模块、偏移检测模块;偏移检测模块用于掩模版在预对准模块展平后,检测掩模版的偏移;预对准模块用于根据旋转偏移调整掩模版的位置,以对旋转偏移进行补偿;传送模块还用于根据距离偏移调整掩模版的位置,以对距离偏移进行补偿。本发明技术方案,偏移检测模块检测掩模版的偏移在掩模版展平之后进行检测,可以避免因掩模版褶皱等情况对掩模版的偏移检测的影响,保证对掩模版的偏移检测的准确性。掩模版预对准系统不但可以实现对旋转偏移的补偿,还可实现对设定方向上的距离偏移的补偿,进而提高掩模版预对准的精度。
  • 模版对准系统方法设备
  • [发明专利]避免光线自相交的方法、装置、设备及存储介质-CN202210214793.1在审
  • 王凯 - 网易(杭州)网络有限公司
  • 2022-03-07 - 2022-07-29 - G06T15/06
  • 本发明涉及计算机技术领域,公开了一种避免光线自相交的方法、装置、设备及存储介质,用于消除光线自相交,并提高光线偏移的精度和光线追踪渲染精度。所述避免光线自相交的方法包括:获取目标光线照射至虚拟物体表面时,所述目标光线与所述虚拟物体表面相交点的顶点位置和法线向量;根据所述顶点位置、预设偏移阈值、预设固定偏移和预设尾数偏移确定所述目标光线的射出原点的位置偏移,所述预设尾数偏移用于指示所述顶点位置沿着所述法线向量方向设置的整数偏移;根据所述顶点位置、所述法线向量和所述位置偏移对所述目标光线的射出原点进行修正,得到修正后的目标光线的射出原点。
  • 避免光线相交方法装置设备存储介质

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