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[发明专利]处理低阶煤的系统和方法-CN201610055671.7有效
发明人：赵小楠;丁力;吴道洪 -专利权人：神雾科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C10J3/46 文献下载
摘要：本发明提出了处理低阶煤的系统，包括：低阶煤破碎装置、筛分装置、块煤热风重介质分选装置、粉煤热风重介质分选装置、块精煤破碎装置、粉煤干燥装置、粉煤气化炉和余热回收装置，其中，筛分装置与低阶煤破碎装置相连，块煤热风重介质分选装置和粉煤热风重介质分选装置分别与筛分装置相连；块精煤破碎装置与块煤热风复合式干法分选装置相连；粉煤干燥装置分别与块精煤破碎装置和筛分装置的粉煤出口相连；粉煤气化炉与粉煤干燥装置相连；余热回收装置与粉煤气化炉相连，余热回收装置分别与块煤热风复合式干法分选装置、粉煤热风重介质分选装置和粉煤干燥装置相连。
处理低阶系统方法

[发明专利]一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法-CN201610150646.7有效
发明人：杨林安;李杨;王少波;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01P3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法，该共面波导结构利用空气桥制作技术，实现了以空气介质层作为主要介质层的共面波导结构；同时在空气介质层和碳化硅基片层之间插入开关金属层，并在开关金属层上开有一定尺寸的沟槽本发明通过采用空气材料作为主要介质层，减小了太赫兹信号传输的损耗和色散，实现了一种高品质因数的共面波导结构，本发明通过采用高阻型碳化硅基片层，针对基于第三代半导体太赫兹器件和电路设计了一种新型传输线结构，通过加入开关金属层减小空气介质层厚度，降低了加工难度，另外调节金属开关层的开槽Slot尺寸，能够使阻抗更易调谐。
共面波导结构调谐空气介质层开关金属阻抗碳化硅基片太赫兹波介质层减小制备传输线结构高品质因数太赫兹信号电路设计金属开关第三代高阻型空气桥开槽色散半导体传输制作加工

[发明专利]环形半导体器件及其制作方法-CN200710094480.2有效
发明人：崔崟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种环形半导体器件的制作方法，包括如下步骤：确定待形成的环形半导体器件的内径与外径的尺寸；在半导体衬底上形成半导体器件层；去除内径尺寸以内的半导体器件层，形成第一开口；采用第一介质层填充第一开口，且研磨平至高出半导体器件层部分；去除外径尺寸以外的半导体器件层，保留内外径之间的半导体器件层；沉积第二介质层，且研磨第二介质层至与半导体器件层相齐平，形成环形半导体器件。通过先蚀刻环形半导体器件的内径，填充以第一介质层，然后去除环形半导体器件外径以外的部分并沉积第二介质层填充，形成环形半导体器件，实现减小驱动过电流，降低功耗的目的。
环形半导体器件及其制作方法

[发明专利]高透光导电膜系-CN200810046218.5有效
发明人：甘国工 -专利权人：甘国工
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介质膜和低折射率无机介质膜依次交错排列而形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层，及位于该膜系最外层的透明导电膜层，透明导电膜层的厚度满足方块电阻需要值的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率和低折射率无机介质构成的膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射的方法沉积，从而形成整体透过率达到85％以上的高透光导电膜系。
透光导电

[发明专利]晶圆在位检测装置、晶圆托架以及晶圆在位检测方法-CN201210391203.9有效
发明人：路新春;沈攀;王同庆;何永勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：所述晶圆在位检测装置包括：压力介质源，所述压力介质源用于提供具有预定压力的介质；多个检测孔，每个所述检测孔均通过管路与所述压力介质源相连，其中所述多个检测孔并联；压力检测器，所述压力检测器设在所述管路上且位于所述压力介质源与所述多个检测孔之间以便检测所述管路中的压力
在位检测装置托架以及方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201210552382.X有效
发明人：王民涛;李杰;汪德文;魏国栋;刘玮;杨坤进 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；进行接触孔光刻；进行接触孔湿法腐蚀，将所述层间介质腐蚀掉30%~70%厚度；进行接触孔干法刻蚀。本发明采用两步刻蚀工艺，第一步采用湿法腐蚀，利用腐蚀的各向同性特点，使层间介质在接触孔处的台阶呈类碗型形貌；第二步采用干法刻蚀，利用干法刻蚀的各向异性特点，使台阶形貌接近直角。这样通过湿法腐蚀和干法刻蚀结合，使接触孔处的台阶较平滑，没有大的尖角，避免了金属层易在接触孔边缘尖角处产生空洞，同时保证层间介质在多晶硅栅的台阶处有足够的厚度，保证了足够的BVDSS。
接触刻蚀方法

[发明专利]一种3D NAND外围器件的集成方法-CN201410854263.9有效
发明人：熊涛;刘钊;许毅胜;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：NAND外围器件的集成方法，该方法包括：提供衬底，衬底包括存储区域、过渡区域和外围器件区域，且外围器件区域上形成有外围器件；在外围器件上形成第一PMD，并在存储区域、过渡区域和第一PMD上形成底部氧氮介质层和多个存储氧氮介质层；对过渡区域上的多个存储氧氮介质层依次进行光刻及刻蚀处理，形成楼梯形沟槽；对过渡区域上的底部氧氮介质层和第一PMD上的氧氮介质层进行光刻和刻蚀处理，形成第一凹槽；形成第二PMD，以填充所述楼梯形沟槽和所述第一凹槽
一种 nand 外围器件集成方法

[发明专利]图像形成装置和传送装置-CN200610170229.5有效
发明人：吉田和彦 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种图像形成装置，包括：图像形成部分；第一传送辊，其将记录介质传送至所述图像形成部分；可正反转的第二传送辊，其在记录介质传送方向上位于所述第一传送辊与所述图像形成部分之间；接触部件，其与所述第二传送辊接触，在所述第二传送辊与所述接触部件之间形成辊隙；第一传送辊驱动器，其朝着与所述记录介质传送方向相同的方向旋转驱动所述第一传送辊；以及驱动传递机构，其执行从所述第一传送辊驱动器至所述第二传送辊的驱动传递，以便在记录介质的前边缘到达所述辊隙之前，开始使所述第二传送辊朝着与所述记录介质传送方向相反的方向旋转。
图像形成装置传送

[发明专利]N型薄膜晶体管的制备方法-CN201410849259.3有效
发明人：李关红;李群庆;金元浩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]抑制寄生通带的全极化柔性频率选择表面结构及天线罩-CN201810281783.3有效
发明人：吴微微;袁乃昌;袁文韬;袁野;马育红;张曦蒙;崔开博;王青平;黄敬健;陈曦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该结构包括一块非导电材料制成的介质基板和分别附着在所述介质基板上、下表面的周期性金属箔层；所述全极化柔性频率选择表面结构被虚拟地划分为多个周期性排布的正方形单元结构；所述正方形单元结构包括介质基板单元、附着在介质基板单元上表面的第一金属微单元和附着在介质基板单元下表面的第二金属微单元。
介质基板频率选择表面结构全极化天线罩附着抑制寄生通带正方形单元微单元下表面金属非导电材料周期性金属周期性排布带外抑制辐射方向辐射特性天线系统上表面虚拟地箔层通带天线

[发明专利]定影装置以及图像形成装置-CN201810136602.8有效
发明人：高木胜 -专利权人：京瓷办公信息系统株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：定影装置具有：加热体，其边旋转边对形成有调色剂图像并被输送的介质进行加热；加压体，其边旋转边与加热体一起形成夹持部，并在夹持部夹持着介质来对介质进行加压；热源，其将热量施加给加热体；引导部，其相对于夹持部配置于介质的输送方向的上游侧，将被输送的介质向夹持部进行引导；温度检测部，其与加热体相向而配置，对加热体的温度进行检测；和充电部，其隔着温度检测部配置于引导部的相反一侧，为通过放电而使加热体带与调色剂相同极性的电的电极型的充电部，
定影装置以及图像形成

[发明专利]一种基于数码印花系统的坯布选取定位方法-CN201810176659.0有效
发明人：袁明东;邱国培 -专利权人：杭州赛顺数码科技有限公司
申请日： 2018-03-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B41J3/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数码印花系统的坯布选取定位方法，其技术方案要点是包括如下步骤：基于获取的介质拍摄区域，对所述介质拍摄区域进行分割；识别介质拍摄区域中喷印介质的当前印花图案，基于当前印花图案在所有分割区域内的形状参数分布获取当前印花图案的若干转折点位基于若干转折点位生成打印色区的方式，一方面能够有效提高印花图案的定位效率，另一方面在喷印介质被拉扯时，通过转折点位的确定，能够最大程度上降低因为印花图案的形变所导致打印色区形状的变化程度，由此有效提高了打印色区的定位精准度
印花图案打印色转折点拍摄区域数码印花系统喷印介质坯布技术方案要点定位精准度定位效率分割区域形状参数形变拉扯分割

[发明专利]利用预制颗粒介质爆破输电塔的装置-CN201810722037.3有效
发明人：钟明寿;龙源;程良玉;高福银;殷勤;赵长啸;陈德志;李本伟;马华源 -专利权人：中国人民解放军陆军工程大学;南京君缘科爆工程技术有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： F42D3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用预制颗粒介质爆破输电塔的装置，包括第一角钢，第一角钢的两个侧面通过第二角钢与待爆破角钢连接，第一角钢与待爆破角钢构成筒状结构，在筒状结构的两端均通过第三角钢密封，在筒状结构的轴线处安装有连接管，连接管内设有间隔分布的药包，药包通过导爆管雷管引出筒状结构外，在连接管与筒状结构之间填充有预制颗粒介质。本发明的一种利用预制颗粒介质爆破输电塔的装置，该装置只需要利用角钢和螺栓将整个装置固定成筒状结构，在密闭空间中放置有预制颗粒介质和药包，利用预制颗粒介质的不可压缩性，极大的提高了爆破破坏程度，能够保证爆破效果
利用预制颗粒介质爆破输电装置

[发明专利]一种用于测量介电常数的微型三层磁耦合微波传感器-CN201810419931.3有效
发明人：徐魁文;刘洋;赵文生;陈世昌;赵鹏;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明包括上层介质基板、顶层SRRs环、中间层馈电环、下层介质基板、底层SRRs环；上层介质基板的底层正中心印刷馈电环并延伸出馈电长脚；上层介质基板的顶层正中心印刷耦合顶层SRRs环；下层介质基板的底层正中心印刷耦合底层
一种用于测量介电常数微型三层耦合微波传感器

[发明专利]用于金属矿与伴生脉石分离的重选介质材料及其使用方法-CN201810498343.3有效
发明人：李清湘 -专利权人：李清湘;李旷原
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：用于金属矿与伴生脉石分离的重选介质材料及其使用方法，属矿物的重选技术领域。将湿法冶金赤泥、或粘土、或红铁矿的选矿尾泥研磨过筛，经2～6次逐步加大磁场强度的磁选，再将各次磁选出的含铁磁性物质的材料重选，将重选呈现的材料分布带4～10等分，分别接出，如此经多次重选，最后得到本发明重选介质材料使用时，先通过试验确定重选介质材料中适合使用的具体规格，再将该介质材料与待选矿浆混合后加入重选设备，将重选形成的三个分布带分别接出，再分别对接出物进行一次磁选以回收介质材料，就得到金属精矿。
用于金属伴生脉石分离重选介质材料及其使用方法