“亮点缺陷”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果307640个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种彩色显示点缺陷检测方法-CN202210393952.9在审
发明人：陈怀新;解文强;王治玺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色显示点缺陷检测方法，包括步骤：将采集的显示屏图像进行RGB三个通道图像分解，采用约束系数对RGB通道分解图像进行视觉感知变换校正；对每个色通道的分解调整图，获得尺度方向滤波的特征图像并依据图像最大值准则进行尺度融合，获得RGB通道的特征融合图；分别计算特征融合图的均值与标准差，选择其中最大均值与标准差作为阈值进行特征融合图的二值化分割，采用图像或运算进行通道的特征融合图合并，检测出显示屏彩色点缺陷本发明的方法能有效突出彩色显示点缺陷，实现了符合人眼对色彩的感知特性、准确率高的显示屏的彩色点缺陷检测。
一种彩色显示点缺陷检测方法

[发明专利]用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法-CN201510178396.3有效
发明人：成鹏飞;宋江 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：本发明公开的用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法先将待测纯度的ZnO粉末压制成圆片状的ZnO生坯，对ZnO生坯依次进行烧结及表面被银电极处理，得到表面含银电极的ZnO陶瓷圆片；制备裹敷银电极的温差电势电流测试线将待测体的上表面连接降温装置，下表面连接加热装置；启动降温、加热装置，使待测体上、下表面形成温度差；用微安表检测并记录数据；根据记录的数据，对温差电势电流及载流子类型进行判断；结合判断结果和温差电势电流的活化能对点缺陷种类进行判断本发明用于ZnO陶瓷点缺陷结构检测的温差电势电流方法，通过施加温度梯度形成温差电势电流的方法，实现了对ZnO陶瓷本征点缺陷结构的准确检测。
用于 zno 陶瓷点缺陷结构检测温差电势电流方法

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷
一种高纯碳化硅衬底

[发明专利]一种用于模拟核反应堆关键材料位错运动的并行求解方法-CN202010544898.4有效
发明人：胡长军;任帅;杨文;贺新福;储根深;王珏 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：所述方法包括：S1，对位错线增加应力并同时更新位错线上的点缺陷，在介观尺度模拟位错运动及其与点缺陷相互作用的计算模型；S2，将计算模型中的所有结构演化力学方程划分到多个进程上，对结构演化力学方程进行并行求解，得到位错线对其上每个点缺陷施加的线张力合力；S3，根据得到的线张力合力判断是否满足去钉扎或绕过条件，若不满足，则返回S1；若满足，则将应力重置为0后，返回S1；S4，按照S1‑S3循环执行，直到使位错线穿过滑移平面上所有的点缺陷
一种用于模拟核反应堆关键材料运动并行求解方法

[发明专利]液晶显示器及其修复断线的方法-CN200810111881.9有效
发明人：彭志龙 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明通过像素电极作为导电层且采用激光焊接和激光切割相结合的方案，将栅线断线不良或公共电极线断线不良修复为像素点不良，即将亮线缺陷修复为亮点或暗点缺陷，以此提升了有缺陷的液晶显示器的等级，既可以应用在成盒工艺之前
液晶显示器及其修复断线方法

[实用新型]一种析出冷凝沉淀装置-CN201320598821.0有效
发明人：佟皑男;高宇 -专利权人：鞍钢蒂森克虏伯汽车钢有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：热镀锌时能将锌锅上方区域的锌蒸气吸走，不会有锌粉析出，无需再采用较高露点的方法抑制锌蒸气，同时能保持锌锅上方区域较高的还原气氛，因此能最大限度地控制条状锌灰缺陷和亮点缺陷的发生
一种析出冷凝沉淀装置

[实用新型]LED波峰焊定位治具-CN201120393945.6有效
发明人：蒋文;刘宏林;巩刘平 -专利权人：四川长虹电子系统有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：一改以往焊接工装定位不准，受热膨胀变形，装配复杂等缺陷。托板底部的筋上设置了弹性结构，很好地吸收了托板受热产生的变形量。采用本LED波峰焊定位治具很好地消除了LED大屏幕上出现色块现象、个别灯体浮高、亮点缺陷、图像模块化等现象。
led 波峰焊定位

[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体元件-CN202280015300.X在审
发明人：谷内卓;相场健 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：通过对离子注入了掺杂剂而产生了点缺陷的硅基板进行激光退火从而使掺杂剂活化。与掺杂剂的活化同时使点缺陷成长为{311}缺陷或位错环，并将{311}缺陷或位错环作为寿命控制体。
半导体元件制造方法

[发明专利]一种PCB表面焊点缺陷检测方法及系统-CN202211002564.X有效
发明人：陈小兰 -专利权人：倍利得电子科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种PCB表面焊点缺陷检测方法及系统，包括：采集焊接后PCB板的表面图像，对图像进行预处理；对图像进行分割，得到焊点，提取焊点区域的特征信息；根据缺陷特征完成识别与分类本发明通过图像处理技术，消除外界干扰，提取缺陷特征，自动完成对焊点缺陷的检测与识别，有效提高了检测效率与精度。
一种 pcb 表面点缺陷检测方法系统

[发明专利]三频点光子晶体滤波器-CN201210114732.4无效
发明人：李胜;张青;谢强;罗向阳;周瑞山;阳元江;刘剑林;罗彦军;李吉云;韩玉成 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：一种三频点光子晶体滤波器，包括光子晶体，线缺陷波导，还包括在光子晶体结构中去除三个介质柱形成的点缺陷微腔，所述点缺陷微腔成点缺陷微腔和直线型线缺陷波导配合的滤波器，能够满足同时上下载多个频点，可广泛应用于多载波通信系统及多频点频率监测系统中。
三频点光子晶体滤波器

[发明专利]线材表面缺陷的视觉检测方法及装置-CN201910320808.0在审
发明人：李清顺;谭良 -专利权人：东莞中科蓝海智能视觉科技有限公司
申请日： 2019-04-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及视觉检测技术领域，尤其是指一种线材表面缺陷的视觉检测方法及装置，包括如下步骤，对工件表面进行图像采集；设置斑点缺陷算法的固定检测框，对位于固定检测框内的图像部分进行斑点缺陷算法运算，该斑点缺陷算法的具体步骤如下，识别位于固定检测框内的部分工件表面图像中的异常区域；对异常区域与非异常区域进行阈值分割，得到显色明显的异常区域；计算显色明显的异常区域的面积数值；判断该面积数值是否在缺陷面积的数值公差范围内，若在则该工件存在缺陷，若不在则该工件不存在缺陷。从硬件到软件以及硬件和软件之间的配合均进行了创新性的优化，达到高质量检测识别缺陷的同时很好的控制使用成本。
异常区域斑点缺陷检测框工件表面视觉检测线材表面显色算法图像视觉检测技术判断结果算法运算图像采集质量检测阈值分割公差创新性与非输出配合优化

[发明专利]点缺陷模拟器、点缺陷模拟程序、点缺陷模拟方法、单晶硅的制造方法及单晶提拉装置-CN202080075986.2有效
发明人：末若良太 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：提出一种点缺陷模拟器，能够考虑培育单晶硅过程中的晶体内的热应力来求出单晶硅中的点缺陷的分布。本发明的点缺陷模拟器(1)使用考虑单晶硅中的热应力的影响的对流扩散方程式，通过CZ法计算提拉单晶硅过程中的孔隙及晶格间的硅的浓度分布，其特征在于，具备分析部(13)，所述分析部(13)将作为应力的项的系数的应力系数作为拟合参数
点缺陷模拟器模拟程序方法单晶硅制造单晶提拉装置

[发明专利]一种TFT阵列基板像素点修复制造方法-CN201210101988.1无效
发明人：陈龙龙;李喜峰;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT阵列基板像素点修复制造工艺，对己经制作完成的存在点缺陷的TFT阵列基板像素进行单点修复，首先对TFT阵列基板点缺陷处位置精确定位，再采用激光切割方式将存在点缺陷像素切割且移除，再将采用微机械加工工艺制作完成的单个采用本发明的方法，可以使存在缺陷的样品再利用，大大提高工业生产的良率，降低生产制造成本。
一种 tft 阵列像素修复制造方法

[发明专利]用高生长速率制备低缺陷密度硅的方法-CN01818313.1无效
发明人： R·J·法尔斯特;V·沃龙科夫 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2001-10-22 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长单晶硅锭的方法，上述单晶硅锭含有一个基本上没有附聚的本征点缺陷的轴向上对称的区域。上述方法包括(i)在恒定直径部分内部形成一个其中空位是主要本征点缺陷的区域；(ii)加热晶锭的侧表面以使硅自填隙原子从加热的表面热诱生向里流入上述区域，这样减少上述区域的空位浓度；及(iii)使上述区域在高于温度T_A下保温，在上述区域形成和该区域中空位浓度减少之间的这段时间里，在温度T_A下发生空位点缺陷附聚成附聚的缺陷。
生长速率制备缺陷密度方法

[发明专利]缺陷密度低，空位占优势的硅-CN200610139269.3无效
发明人： R·法尔斯特;S·A·马克格拉夫;S·A·麦克奎德;J·C·霍尔泽;P·穆提;B·K·约翰逊 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-04-09 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅，它含有第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度，还涉及其制备方法。
缺陷密度空位占优势

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条